主营业务：公司专注于第三代半导体材料碳化硅衬底及相关产品的研发、生产和销售
经营范围：生产第三代半导体碳化硅产品(碳化硅晶片);研究、开发碳化硅晶片;生产、销售碳化硅单晶生长设备(限外埠从事生产经营活动);技术咨询、服务、培训、转让;销售自产产品;货物进出口;技术进出口;代理进出口。(市场主体依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)
北京天科合达半导体股份有限公司(简称“天科合达”)成立于2006年,总部位于北京市大兴区,是国内率先从事第三代半导体碳化硅单晶衬底及相关产品研发、生产和销售的国家级高新技术企业之一,也是国内碳化硅单晶衬底领域生产规模较大、产品种类较全的碳化硅衬底供应商,并于2021年被工信部认定为专精特新“小巨人”企业。
公司拥有雄厚的技术研发实力,历经近二十年卓有成效的自主研发和技术积累,公司已形成拥有自主知识产权的碳化硅单晶生长炉制造、原料合成、晶体生长、晶体加工、晶片加工、清洗检测和外延片制备等七大关键核心技术体系,覆盖碳化硅材料生产全流程。
目前,公司拥有一个研发中心、四家全资子公司和一家控股子公司,产业涵盖碳化硅单晶炉制造、碳化硅单晶衬底制备和碳化硅外延片制备。
公司在辽宁沈阳市建有碳化硅单晶生长炉制造基地,在北京大兴区和江苏徐州市分别建有两处完整的碳化硅单晶衬底制备基地。
同时,由控股子公司深圳市重投天科投建的省级重点工程——“碳化硅衬底及外延制造基地项目”已于2023年中建成投产,初步形成了立足京津冀、长三角、粤港澳大湾区三大核心优势区,辐射带动全国的产业布局。
天科合达始终坚持走质量为本、精益求精的道路,一直致力于大尺寸和高品质碳化硅材料的生产和研发,努力将公司打造成具有自主知识产权和知名品牌效应的全球碳化硅主要衬底供应商,并为我国“双碳”战略的实施和第三代半导体产业的发展贡献自己的力量。
报告期内,受国内下游客户产线投产以及公司产品良品率大幅提高的多重因素影响,市场需求在2018年度显现出旺盛的需求。
1、财务状况报告期末,公司总资产228,886,661.49元,较期初169,615,626.00元增长34.94%;总负债84,396,668.33元,较期初28,635,125.09元上升194.73%;归属于公司股东的净资产144,489,993.16元,较期初140,980,500.91元增长2.49%。
总资产增长主要是1)销售订单增多使应收票据与应收账款增幅较大同时也使备货量增多造成存货增幅较大;2)扩大产能,投入设备增多。
2、经营成果报告期内,实现营业收入78,130,604.80元,较上年同期增长224.65%;营业成本58,524,316.00元,较上期增长178.98%;实现净利润3,509,492.25元,主要是市场需求持续增长,研发成效显著,成品率提升,成本降低,利润提高。
3、现金流量公司本年度经营活动现金净流量13,060,330.67元,比上年大幅提升。
主要是因为销售量迅猛增长,销售回款增多。
投资活动现金净流量减少28,219,722.81元,主要为本期固定资产投入较上期增多。
筹资活动现金净流量减少16,076,916.89元,主要是上年增资45,000,000.00元。
4、业务拓展情况一是随着国内市场以中车、国家电网、为代表的下游客户,在2017年年底产线调试完成,对工业级碳化硅衬底需求强劲。
公司紧紧抓住发展机遇,千方百计扩大产能,满足国内客户的爆发性需求;二是积极开拓国际市场。
目前,已经在公司产品销往日本、欧洲的基础上,成功建立了美国市场的销售网络。
5、研发情况公司一直注重产品的研发与技术的更新,截至披露日,公司先后申请发明专利31项(包括4项国际专利),其中已获授权发明专利20项(包括2项国际专利)。
充分表明了研发及技术创新作为公司未来核心竞争力的地位。
(二)行业情况第三代半导体产业已经成为国际上公认的战略性新兴产业,具有巨大的技术带动性和市场牵引性。
预计到2020年,第三代半导体产业将在节能减排、信息技术、国防装备三大领域催生上千亿美元的潜在市场。
碳化硅是发展第三代半导体产业的关键基础材料。
随着国家为贯彻实施制造强国战略,加快推进新材料产业发展,国务院成立的国家新材料产业发展领导小组规划中明确指出要大力扶持以碳化硅为代表的第三代半导体材料技术与产业的发展;目前《中国制造2025》以及“十三五规划”都明确将碳化硅行业定位为重点支持行业。
以中车、国家电网、三安光电代表的下游企业产线的建成、投产,碳化硅为代表的第三代半导体产业的快速发展期已经到来。
2006年8月16日,天富集团原间接控股子公司上海汇合达、中科院物理所和新加坡吉星蓝光签订《北京天科合达蓝光半导体有限公司合作经营合同》,约定共同设立天科合达有限,注册资本为1,600.00万元。
其中,上海汇合达以货币出资816.00万元,占注册资本51%;中科院物理所以“碳化硅单晶生长和晶片加工技术”发明系列技术出资480.00万元,占注册资本30%;新加坡吉星蓝光出资304.00万元,其中以美元现汇折合出资人民币26.00万元,以非专利技术“以碳化硅(氮化镓)晶体和外延晶体的X射线衍射分析技术和其专用设备的设计和改造技术”出资278.00万元,占注册资本19%。
2006年3月10日,北京心田祥会计师事务所有限公司出具《关于中国科学院物理研究所用“碳化硅单晶生长和晶片加工技术”发明系列非专利技术拟投资项目的资产评估报告书》(京心田祥评报字[2006]第3-10号)并经中国科学院备案,中科院物理所用于出资的“碳化硅单晶生长和晶片加工技术”发明系列技术的评估值为2,553.87万元。
中科院物理所以该系列技术作价2,553.87万元认购注册资本480.00万元,溢价部分计入资本公积。
2006年5月25日,北京市洪州资产评估有限责任公司出具《资产评估报告书》(洪州评报字[2006]第2-122号),非专利技术“碳化硅(氮化镓)晶体和外延晶体的X射线衍射分析技术和其专用设备的设计和改造技术”的评估价值为1,551.00万元。
新加坡吉星蓝光以该项非专利技术作价1,551.00万元认购注册资本278.00万元,溢价部分计入资本公积。
2006年9月7日,中关村科技园区海淀园管理委员会出具《关于合作企业“北京天科合达蓝光半导体有限公司”合同、章程及董事会组成的批复》(海园发[2006]1268号),同意设立天科合达有限。
2006年9月12日,天科合达有限取得北京市工商行政管理局颁发的《企业法人营业执照》,注册资本为1,600.00万元,实收资本待实缴。
天科合达有限取得《中华人民共和国外商投资企业批准证书》。
2006年11月14日,拓天信诚(北京)会计师事务所出具《验资报告》(拓天信诚验字[2006]第124号),审验截至2006年11月14日,天科合达有限的注册资本已足额缴纳。
2006年11月23日,北京恒信诚会计师事务所有限公司出具《非专利技术出资财产转移审计报告》(恒信诚审字[2006]第2-058号),确认2006年10月31日天科合达有限已将中科院物理所和新加坡吉星蓝光出资的无形资产计入无形资产和实收资本账户,财产转移手续办理完毕。
2006年12月13日,天科合达有限取得换发后的《企业法人营业执照》,注册资本为1,600.00万元,实收资本为1,600.00万元。
发行人系天科合达有限以截至2015年7月31日经审计的净资产折股整体变更设立的股份有限公司。
发行人设立的具体情况如下:2015年9月25日,致同会计师事务所(特殊普通合伙)出具《北京天科合达蓝光半导体有限公司审计报告》(致同审字(2015)第140ZB4832号),确认截至2015年7月31日,天科合达有限经审计的净资产为116,024,617.74元。
2015年9月28日,北京华信众合资产评估有限公司(现更名为北京华亚正信资产评估有限公司)出具《北京天科合达蓝光半导体有限公司拟股份制改组涉及该公司净资产价值评估项目评估报告》(华信众合评报字[2015]第B1067号)并经第八师国资委备案,天科合达有限截至评估基准日2015年7月31日的净资产评估价值为11,823.42万元。
2015年9月28日,天科合达有限召开临时股东会,审议批准天科合达有限全部股东作为股份公司发起人,天科合达有限整体变更为股份有限公司。
天科合达有限以经致同会计师事务所(特殊普通合伙)审计的截至2015年7月31日的账面净资产116,024,617.74元按照1:0.6653折合股本7,719.4350万股,每股面值1元,剩余38,830,267.74元全部计入资本公积。
2015年10月18日,天科合达召开创立大会暨第一次股东大会,审议通过股份公司设立相关议案。
2015年10月18日,致同会计师事务所(特殊普通合伙)出具《验资报告》(致同验字[2015]第140ZC0495号),审验确认发行人的注册资本已足额缴纳。
2015年11月20日,公司取得北京市工商行政管理局海淀分局换发的《营业执照》。
发行人的股份公司整体变更方案已由第八师国资委出具的《关于北京天科合达蓝光半导体有限公司整体改制变更为股份公司的批复》(师国资发[2015]158号)批准。