拓荆科技股份有限公司
- 企业全称: 拓荆科技股份有限公司
- 企业简称: 拓荆科技
- 企业英文名: Piotech Inc.
- 实际控制人: 无
- 上市代码: 688072.SH
- 注册资本: 27972.9118 万元
- 上市日期: 2022-04-20
- 大股东: 国家集成电路产业投资基金股份有限公司
- 持股比例: 19.77%
- 董秘: 赵曦
- 董秘电话: 024-24188000-8089
- 所属行业: 专用设备制造业
- 会计师事务所: 天健会计师事务所(特殊普通合伙)
- 注册会计师: 缪志坚、赵辉
- 律师事务所: 北京市中伦律师事务所
- 注册地址: 辽宁省沈阳市浑南区水家900号
- 概念板块: 半导体 辽宁板块 百元股 专精特新 MSCI中国 沪股通 中证500 上证180_ 预盈预增 融资融券 中芯概念 基金重仓 半导体概念
企业介绍
- 注册地: 辽宁
- 成立日期: 2010-04-28
- 组织形式: 央企子公司
- 统一社会信用代码: 912101005507946696
- 法定代表人: 刘静
- 董事长: 吕光泉
- 电话: 024-24188000,024-24188000-8089
- 传真: 024-24188000-8080
- 企业官网: www.piotech.cn
- 企业邮箱: ir@piotech.cn
- 办公地址: 辽宁省沈阳市浑南区水家900号
- 邮编: 110171
- 主营业务: 主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。
- 经营范围: 一般项目:企业总部管理;企业管理;企业管理咨询;自有资金投资的资产管理服务;以自有资金从事投资活动;财务咨询;社会经济咨询服务;租赁服务(不含许可类租赁服务);国内贸易代理;销售代理。(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)(最终以工商登记机关核定为准)
- 企业简介: 拓荆科技股份有限公司成立于2010年4月,是国家高新技术企业,主要从事半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。公司多次获评中国半导体行业协会授予的“中国半导体设备五强企业”称号。公司在北京、上海、海宁、沈阳和美国成立子公司。公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备、次常压化学气相沉积(SACVD)设备、高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)设备和晶圆混合键合(W2W Hybrid Bonding)设备等系列,拥有自主知识产权,技术指标达到国际同类产品的先进水平。产品主要应用于集成电路晶圆制造、TSV封装、MEMS、Micro-LED和Micro-OLED显示等高端技术领域。公司产品已进入北京、上海、武汉、合肥、天津、台湾等20多个地区的60多条生产线,并设有技术服务中心,为客户提供每周7天,每天24小时的技术服务。公司已形成一支国际化的专业团队,具备高科技研发实力及管理经验。通过多年技术积累,公司已建立自主知识产权的核心技术群及知识产权体系,被国家知识产权局评为“国家知识产权示范企业(2019-2022)”。公司总部坐落于沈阳市浑南区,拥有现代化办公大楼及高等级洁净厂房,总建筑面积达40,000平方米。目前公司生产能力可以满足生产需求。公司已通过ISO9001、ISO14001、ISO45001体系的认证,并拥有覆盖全球的供应商网络。拓荆公司愿与业界伙伴建立真诚、友好、共赢的产业合作联盟,为中国及世界半导体产业的发展做出贡献。
- 商业规划: 集成电路产业是推动科技进步的关键力量,更是支撑国家经济发展的重要支柱。半导体行业历来遵循着“一代产品、一代工艺、一代设备”的发展规律,晶圆制造作为半导体产业链的核心环节,需要超前于下游应用开发新一代工艺,而半导体设备则要超前于晶圆制造开发新一代设备。伴随着数字化、自动化、智能化趋势的不断深化,以消费电子、物联网、汽车电子等为代表的新兴产业快速发展,对半导体芯片的性能和效率提出了更高的要求。面对新兴市场需求的不断涌现,高端半导体设备需要持续迭代创新,不断提升产品性能,以满足市场对于更高性能、更低功耗、更小尺寸的集成电路需求,同时,也产生了巨大的半导体设备市场空间。根据SEMI统计,2024年全球半导体设备销售额达到1,171亿美元,相较2023年的1,063亿美元增长10%,并持续保持增长态势,预计2025年销售额将达到1,215亿美元,2026年预计达到1,394亿美元的新高。数据来源：SEMI中国大陆作为全球最大的消费电子市场,对半导体芯片的需求量巨大,同时也为半导体设备带来了广阔的市场空间,尤其是在终端市场强劲需求和新兴产业快速发展的拉动下,对半导体设备的需求呈现持续增长的态势。根据SEMI统计,2024年中国大陆半导体设备销售额达到496亿美元,同比增长35%,连续第五年成为全球最大半导体设备市场。近年来,在复杂多变的国际形势及我国持续加大半导体产业政策扶持的背景下,中国大陆半导体产业发展迅速,在半导体技术迭代创新、产业生态等方面均形成良好效果,产业链逐步完善,并加快先进技术领域的布局,为国内高端半导体设备厂商创造了巨大的发展机遇和市场空间。数据来源：SEMI在高端半导体设备中,薄膜沉积设备、光刻设备、刻蚀设备共同构成芯片制造三大核心设备,决定了芯片制造工艺的先进程度。薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层,在芯片制造过程中需求量巨大,且直接影响芯片的性能。由于不同芯片结构所需要的薄膜材料种类不同、沉积工序不同、性能指标不同,相应产生了巨大的薄膜沉积设备市场,2024年晶圆制造设备销售额达到约1,042亿美元,约占总体半导体设备销售额的90%。而根据历史年度统计,薄膜沉积设备市场规模约占晶圆制造设备市场的22%,由此推算,2024年全球薄膜沉积设备市场规模约为230亿美元。全球半导体设备及晶圆制造设备占比情况数据来源：SEMI、同行业公司定期报告公司自设立以来,一直在高端半导体专用设备领域持续深耕,聚焦薄膜沉积设备和应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备（以下统称“三维集成设备”）的研发与产业化应用。在薄膜沉积设备方面,公司凭借十余年的自主研发经验和技术积累,现已拥有多项具有国际先进水平的核心技术,形成了以PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）、HDPCVD（高密度等离子体化学气相沉积）及FlowableCVD（流动性化学气相沉积）薄膜设备系列产品,在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造等领域得到广泛应用。PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及FlowableCVD设备均属于CVD（化学气相沉积）细分领域产品,不同的设备技术原理不同,所沉积的薄膜种类和性能不同,适用于芯片内不同的应用工序,主要应用及薄膜材料如图示：在逻辑芯片中的主要应用图示在3DNAND存储芯片中的主要应用图示在DRAM存储芯片中的主要应用图示随着“后摩尔时代”的来临,芯片制程持续缩小并接近物理极限,单纯依赖平面工艺极限已无法实现性能迭代,技术路径逐步转向新的架构设计及芯片堆叠方式,三维集成技术则是这一技术创新和发展趋势的关键驱动力,而先进键合设备凭借其突破性技术优势成为三维集成技术领域的核心设备。面向新的技术趋势和市场需求,公司积极布局并成功进军高端半导体设备的前沿技术领域,研发并推出了应用于三维集成领域的先进键合设备（包括混合键合、熔融键合设备）及配套使用的量检测设备。先进键合技术根据堆叠的方式不同分为晶圆对晶圆键合和芯片对晶圆键合,主要应用如图示：在三维集成领域的主要应用图示报告期内,公司面向国内集成电路芯片制造技术的迭代创新和快速发展需求,充分发挥公司在产品方面的技术创新迭代快、性能优异、覆盖面广、量产规模大等竞争优势,以及在研发团队、技术储备、客户资源及售后服务等方面的深厚积淀,坚持以创新驱动业务发展,持续保持新产品、新工艺及新技术的研发和投入,增强公司产品的市场竞争力,不断扩大公司产品在先进技术领域的工艺覆盖面。同时,持续强化公司运营管理,促进公司高质量、稳健、快速的发展,在经营业绩、产品研发、市场销售、人才团队等诸多方面取得了优异成果,进一步促进公司综合实力的提升。1、主要经营情况报告期内,公司不断突破核心技术,加快推进各系列产品的创新迭代与产业化应用,并取得了重要成果,产品市场竞争力持续增强,同时,受益于国内下游晶圆制造厂对国内半导体设备的需求增加,公司新签销售订单及出货金额均同比大幅增加,营业收入维持高增长趋势。2024年度,公司实现营业收入410,345.39万元,同比增长51.70%；实现归属于上市公司股东的净利润68,815.47万元,同比增长3.86%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润35,613.79万元,同比增长14.10%。截至2024年12月31日,公司总资产1,531,416.61万元,较期初增长53.61%；归属于上市公司股东的净资产528,015.44万元,较期初增长14.94%。公司资产质量良好,财务状况稳健。2、公司产品研发及产业化进展情况报告期内,公司继续保持较高水平的研发投入,研发投入金额达到75,597.63万元,同比增长31.26%,研发投入占营业收入比例达18.42%。公司通过高强度的研发投入,保持细分领域内产品技术领先,同时,不断丰富薄膜沉积设备及三维集成设备产品的品类,拓宽工艺应用覆盖面,在新产品、新型平台研发、验证及产业化应用等方面均取得了突破性成果。在薄膜沉积设备方面,公司进一步扩大以PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD为主的薄膜工艺覆盖面,并拓展了应用于芯片沟槽填充的新产品FlowableCVD设备；开发的PECVDBianca产品,以及基于新型设备平台（PF-300TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM等先进工艺设备,实现了大批量出货,陆续通过客户验证；公司是集成电路领域国产ALD设备薄膜工艺覆盖率第一的设备厂商,推出的ALDSiCO、SiN、AlN等工艺设备已实现大量出货,持续扩大量产规模,此外,研发了ALD新型设备平台（VS-300T）,该平台具有业界领先的坪效比和最低的拥有成本(COO),满足客户高性能需求的同时,为客户节约成本。截至报告期末,公司推出的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及FlowableCVD薄膜设备可以支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料的约100多种工艺应用。在应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备方面,公司晶圆对晶圆混合键合设备、芯片对晶圆键合前表面预处理设备获得重复订单并扩大产业化应用,同时,公司自主研发并推出了新产品晶圆对晶圆熔融键合设备、芯片对晶圆混合键合设备、键合套准精度量测设备及键合强度检测设备,致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案。随着公司先进产品不断迭代升级,设备出货量实现了大幅攀升。2024年度,公司设备反应腔出货超过1,000个。截至报告期末,公司累计出货超过2,500个反应腔（包括超过220个新型反应腔pX和Supra-D）,进入超过70条生产线。报告期内,公司薄膜沉积设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异,平均机台稳定运行时间（Uptime）超过90%（达到国际同类设备水平）。公司薄膜系列产品在晶圆制造产线的量产应用规模持续扩大,截至本报告披露日,公司薄膜沉积设备在客户端产线生产产品的累计流片量已突破2.96亿片公司薄膜沉积设备累计流片量（1）PECVD系列产品研发及产业化进展情况PECVD设备是公司核心产品,也是芯片制造的核心设备之一,其主要功能是将硅片控制到预定温度后,使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体,通入适当的化学气体,在等离子体的激活下,经一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的CVD设备,PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜,不破坏已有薄膜和已形成的底层电路,实现更快的薄膜沉积速度,是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。公司自成立就开始研制PECVD设备,在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验,并形成了覆盖全系列PECVD薄膜材料的设备,主要包括PECVD产品和UVCure产品：1PECVD产品PECVD设备作为公司的主打产品,已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖,通用介质薄膜材料（包括SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）和先进介质薄膜材料（包括ACHM、LoK-Ⅰ、LoK-Ⅱ、ADC-Ⅰ、ADC-Ⅱ、HTN、a-Si等）均已实现产业化应用,广泛应用于国内集成电路制造产线。报告期内,公司PECVD设备以良好的稳定性、高产能及优异的薄膜工艺指标等特点持续保持竞争优势,获得客户复购和批量订单,不断扩大量产规模。公司自主研发并推出了PECVDBianca工艺设备,该设备为晶圆背面薄膜沉积设备,主要应用于集成电路制造过程中对晶圆翘曲的纠正以及晶圆背面保护。该设备可以实现在不使用翻片工艺、不使用去边工艺的情况下对晶圆背面进行薄膜沉积,减少集成电路制造的工艺步骤,降低客户成本。报告期内,公司PECVDBianca工艺设备已通过客户验证,实现了产业化应用。截至报告期末,累计超过40个PECVDBianca工艺设备反应腔已出货至客户端。公司基于新型设备平台（PF-300TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）研发的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM、LoK-Ⅱ等先进工艺设备实现了批量出货,并陆续通过客户验证,满足客户在先进技术更新迭代过程中对高产能及更严格的薄膜性能指标的需求。截至报告期末,累计超过220个反应腔出货至客户端。公司开发并推出了用于新型功率器件领域SiC器件制造中的SiO2、SiN、TEOS、SiON等薄膜工艺PECVD设备,已实现产业化应用,报告期内,该产品持续获得客户重复订单并出货。公司NF-300H型号是高产能PECVD设备,可以搭载3个6站反应腔,每次可以同时最多处理18片晶圆。该设备已实现产业化应用,可以沉积超厚TEOS等介质材料薄膜,在三维集成领域具有广泛应用前景,报告期内持续出货并扩大量产规模。公司在NF-300H基础上,再次开发了更高产能的设备平台NF-300M及反应腔Supra-H,可以搭载4个6站反应腔,每次可以同时处理24片晶圆。目前NF-300MSupra-H设备已完成样机研发,可以沉积多层氧化硅和氮化硅叠层介质材料薄膜,实现高均匀性和多种薄膜工艺集成,满足先进存储芯片制造领域最先进的生产需求。②UVCure产品UVCure设备主要用于薄膜紫外线固化处理,该工序通过对薄膜进行后处理,有效改善薄膜性能,提升薄膜应力、硬度等关键性能指标。公司UVCure设备与PECVD设备成套使用,为PECVDHTN、Lok-Ⅱ等薄膜沉积进行紫外线固化处理。公司UVCure（HTN、Lok-Ⅱ工艺）均已实现产业化应用,报告期内持续获得客户的订单、出货,扩大量产应用规模,截至报告期末,累计超过30个反应腔出货至客户端。（2）ALD系列产品研发及产业化进展情况ALD设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面,形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制,实现了芯片制造工艺中关键尺寸的精度控制,在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、存储芯片制造中,ALD是必不可少的核心设备之一。公司ALD系列产品主要类型如下：1PE-ALD产品PE-ALD是利用等离子体增强反应活性,提高反应速率,具有相对较快的薄膜沉积速度、较低的沉积温度等特点,适用于沉积硅基介质薄膜材料。报告期内,公司持续拓展PE-ALD薄膜种类及工艺应用,在新工艺拓展方面取得了突破性进展。公司自主研发的低介电常数SiCO薄膜工艺设备获得多台不同客户订单并出货,已通过客户验证,实现了产业化应用,该薄膜工艺设备主要用于先进逻辑芯片和存储芯片中的低介电隔离层；PE-ALDSiN工艺设备（PF-300TAstra）通过客户验证,实现了产业化应用。此外,公司研发了新型设备平台（VS-300T）,该平台具有业界领先的坪效比和最低的拥有成本(COO),满足客户高性能需求的同时,为客户节约成本。报告期内,基于该平台研发的ALDSiO2薄膜工艺设备已出货,可应用于先进逻辑芯片和存储芯片中的双重/多重曝光图形转移,以及先进封装TSV隔离层等,具有优异的片内均匀性等关键指标。截至报告期末,公司PE-ALD设备高温、低温、高质量SiO2、SiN、SiCO等介质薄膜工艺设备均已实现产业化应用,并逐步扩大量产规模,凭借其优异的性能表现,目前在芯片填孔(Gap-fill)、侧墙（Spacer）、衬垫层（Liner）等工艺中已实现广泛的应用。②Thermal-ALD产品Thermal-ALD是利用热能使反应物分子吸附在基底表面,再进行化学反应,生成薄膜,具有相对较高的反应温度、优越的台阶覆盖率、高薄膜质量等特点,适用于金属、金属氧化物、金属氮化物等薄膜沉积。公司Thermal-ALD设备已实现产业化应用。报告期内,公司Thermal-ALDAl2O3、AlN等工艺设备持续出货至客户端,包括集成工艺设备Thermal-ALD（TS-300Altair）,该设备不仅具有高产能的特点,并可以实现在同一台设备中沉积Thermal-ALDAlN及PECVDADC-II薄膜。此外,公司持续拓展Thermal-ALD其他薄膜工艺,扩大金属及金属化合物薄膜材料应用,整体进展顺利。（3）SACVD系列产品研发及产业化进展情况SACVD设备主要应用于深宽比小于7:1的沟槽填充工艺,是集成电路制造的重要设备之一。在集成电路结构中,沟槽孔洞的深宽比越来越大,SACVD反应腔环境具有特有的高温（400℃-550℃）、高压（30-600Torr）环境,具有快速优越的填孔能力。公司SACVD系列产品主要类型如下：报告期内,公司SACVD系列产品持续保持产品竞争优势,进一步扩大量产应用规模,同时,推出的等离子体增强SAF薄膜工艺设备在客户端验证进展顺利。截至本报告期末,公司SACVD系列产品反应腔累计出货超过100个。（4）HDPCVD系列产品研发及产业化进展情况HDPCVD设备主要应用于深宽比小于5:1的沟槽填充工艺,是集成电路制造的重要设备之一。HDPCVD设备可以同时进行薄膜沉积和溅射,所沉积的薄膜致密度更高,杂质含量更低。公司HDPCVD系列产品主要类型如下：报告期内,公司多台HDPCVDFSG、STI工艺设备通过客户验证,实现了产业化应用,HDPCVDUSG工艺设备持续扩大量产规模,公司HDPCVD设备持续获得客户重复订单。截至本报告披露日,公司HDPCVDUSG、FSG、STI薄膜工艺设备均已实现产业化,并持续扩大量产规模,HDPCVD系列产品反应腔累计出货量达到100个。（5）FlowableCVD系列产品研发及产业化进展情况FlowableCVD设备可实现对高深宽比沟槽结构的无孔洞填充,是集成电路制造的重要设备之一。FlowableCVD设备可以在晶圆表面沉积高品质的介电薄膜材料,经过固化及氧化等处理工艺后,达到完全填充间隙而不会留下孔洞和缝隙的效果。公司FlowableCVD系列产品主要类型如下：报告期内,公司自主研发并推出的FlowableCVD产品多台通过客户验证,实现了产业化应用,并获得不同客户订单。截至本报告期末,与FlowableCVD设备相关的反应腔累计出货超过15个。（6）三维集成领域系列产品研发及产业化进展情况三维集成是实现芯片高密度互连、三维堆叠及系统级集成的关键制造环节,正在成为半导体行业发展的重要趋势。先进键合设备主要应用于芯片或晶圆堆叠,通过对芯片或晶圆进行等离子活化、清洗、对准、键合、量测等一系列工艺处理和精准控制,实现芯片或晶圆的垂直堆叠架构,可有效提升芯片间的通信带宽及芯片系统性能,键合精度可达百纳米级,是三维集成领域中最重要的设备之一。报告期内,公司逐步完善应用于三维集成领域的半导体设备布局,包括先进键合产品及配套的量检测产品,主要产品如下：①晶圆对晶圆混合键合产品晶圆对晶圆键合产品可以在常温下实现复杂的12英寸晶圆对晶圆多材料表面的键合工艺。公司晶圆对晶圆混合键合产品Dione300是公司最早推出的混合键合产品,已实现产业化,可实现百纳米级晶圆混合键合,其关键技术指标、产能指标与设备开机率均达到国际同类产品量产水平。报告期内,该产品持续获得客户重复订单,扩大量产应用规模。②晶圆对晶圆熔融键合产品晶圆级熔融键合设备可高效实现非电气连接的晶圆间键合,将两个平整的晶圆自然连接键合,其特点是晶圆在清洗后进行亲水性加工,相互接触并在高温下退火,晶圆在室温下接合。公司研制的晶圆对晶圆熔融键合产品Dione300F,可实现载片晶圆和器件晶圆低应力熔融键合,具备优异的产能表现。报告期内,该产品已获得客户订单。③芯片对晶圆键合前表面预处理产品芯片对晶圆的键合工艺分为预处理和键合两道工序,芯片对晶圆键合表面预处理产品可以实现芯片对晶圆键合前表面预处理工序。公司推出的芯片对晶圆键合前表面预处理产品Propus已实现产业化,可以在芯片对晶圆混合键合前实现晶圆及切割好的芯片的表面活化和清洗,具备高产能的特点。报告期内,该产品持续获得客户重复订单,扩大量产应用规模。目前该产品是国内唯一应用在芯片对晶圆生产线上的同类型设备。④芯片对晶圆混合键合产品芯片对晶圆混合键合相较晶圆对晶圆键合具有更高的芯片集成度和灵活性,该设备的关键技术是在晶圆对晶圆混合键合的基础上,还需实现芯片的高精度选取和放置技术,主要应用于高带宽存储器（HBM）、芯片三维集成领域。公司研制的芯片对晶圆混合键合产品Pleione,可以实现芯片顺序拾取并精准键合到晶圆上,精度可达百纳米级,具有高精度、高产能、低污染的特点。报告期内,该产品已获得客户订单并出货。⑤键合套准精度量测产品键合套准精度量测产品是混合键合技术领域重要的键合精度量测设备。该设备主要采用红外光学技术原理实现量测功能。公司自主研发的键合套准精度量测产品Crux300可以实现混合键合后的键合精度量测,具有超高精度、超高产能和无盲区量测三大特点,并有效兼容晶圆对晶圆和芯片对晶圆混合键合量测场景。报告期内,该产品已通过客户验证。⑥键合强度检测产品键合强度检测设备主要应用于晶圆对晶圆键合强度检测。公司根据客户需求,研制了键合强度检测产品Ascella300,可以实现晶圆键合后的强度检测。报告期内,该产品已通过客户验证。3、供应链保障方面随着国际形势日益复杂,国内半导体设备产业面临高度复杂的供应链挑战及地缘政治风险,报告期内,公司及相关子公司被美国商务部工业和安全局列入“实体清单”。为应对错综复杂的局面,公司已采取多维度的保障措施,确保供应链安全与运营连续性,该事项对公司的供应链采购未产生影响。（1）建立多元化供应商体系公司目前已经建立全球化的供应商网络,关键零部件采用“多源采购”模式,避免单一供应商依赖。此外,公司与核心供应商签订长期合作协议,锁定产能并享受优先供应,同时,定期评估供应商的交付能力,保证关键部件的及时稳定供应。（2）战略库存与弹性备货公司根据市场供需波动动态调整安全库存水平,对交期长的部件保持3-6个月的战略储备。同时,推动供应商建立本地仓储,缩短交货周期。（3）创新保障与协同研发公司持续完善供应商支持与绩效考核机制,通过组织培训、现场稽核等方式,促进供应商产品质量与产品性能的不断提升。同时,公司通过召开合作伙伴大会等方式加强与供应商的互动交流,激发创新性解决方案,进一步推动与供应商新产品的开发、新技术的合作,促进公司设备先进性、可靠性的提升。（4）合规与可持续发展公司严格遵守国际出口管制相关法规,确保供应链合规性,推行绿色供应链管理,减少碳足迹及资源浪费。报告期内,公司上游供应链总体保持稳定,有效保障设备生产并及时交付。4、市场销售情况报告期内,公司继续深耕中国大陆高端半导体设备市场,凭借公司在产品技术创新、优质客户资源积累、高效售后服务体系搭建等方面的核心竞争优势,不断提升产品综合竞争力,在客户群体的拓展方面取得显著成效,公司产品的市场渗透力和客户认可度实现稳步提升。截至报告期末,公司在手订单饱满。在薄膜沉积设备方面,公司的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜系列产品持续获得客户的批量订单,量产应用规模持续扩大,产品销量同比大幅度增加；此外,公司积极布局三维集成领域的专用设备,公司在晶圆对晶圆混合键合设备和芯片对晶圆键合前表面预处理设备之外,拓展了晶圆对晶圆熔融键合设备、芯片对晶圆混合键合设备、以及配套使用的键合套准精度量测设备、键合强度检测设备,这些产品已取得客户订单或重复订单。公司始终致力于与下游客户保持紧密且深入的合作关系,根据客户不同需求,提供高度定制化、高性能的设备产品,以及全方位、高质量的售后服务。公司定期开展客户满意度调研,以更全面地了解客户反馈,持续优化产品设计与服务质量。同时,公司深入了解行业前沿需求,为产品研发和创新提供方向指引,为公司业务的持续高速增长及进一步巩固市场地位奠定坚实基础。5、人才队伍建设情况报告期内,公司结合战略规划与业务发展目标,持续加强人才梯队建设,致力于打造一支高素质、富有创新精神和协作能力的人才队伍。截至2024年12月31日,公司员工总数1,532人,其中研发人员648人,占公司员工总数的42.30%。在人才引进方面,公司采取多元化招聘策略精准引进人才,通过与国内高校合作、设立实习基地、赞助大学生创新创业活动大赛等形式,积极吸引优秀应届毕业生,同时,通过参加行业活动及内部人才推荐等方式,吸引业内资深人才。在人才培养方面,公司建立了多维度、全方位的人才培养体系,通过专业技术、通用能力、软性实力等方面的培训加强员工职业素养；为员工提供继续教育支持,符合条件的员工可申请在职研究生、在职博士进行学历提升,管理干部可申请MBA（工商管理硕士）管理课程学习；公司作为省级博士后实践基地,与高校共同联合培养博士后,报告期内有3名博士在博士后工作站学习深造；公司积极推动产学研密切合作,同时着力培养国际化、高层次、复合型的专业人才,夯实公司产业可持续发展的人才基础。报告期内,公司完成了2023年度限制性股票激励计划的首次授予和预留授予,其中,首次授予共向697名激励对象授予444万股（公司2023年年度资本公积转增股本后股数）第二类限制性股票,预留授予共向214名激励对象授予111万股限制性股票。上述股权激励计划的实施将进一步促进公司人才队伍的建设和稳定,助力公司长远发展。6、营运管理方面为实现产品系统性能的进一步提升,报告期内,公司开发了一套智能化的软硬件系统（SmartMachine）,通过引入数据统计、方差分析、机器学习等方法,搭建了智能化数据分析平台。该平台可对量产设备的海量数据实时收集,并进行高效分析,具有设备运行实时监控、性能变化识别、根因分析等功能,促进设备性能和维护效率的提升,以及研发成本、维护成本的降低,进一步提高产品综合竞争力。报告期内,公司不断提升产品生产制造水平,优化物料运营管理,搭建的智能化MES（生产管理系统）全面上线运行,有效提升生产效率,实现生产追溯性系统管理,形成整个生产过程透明化管理；公司深化产品质量管理体系,为顺利推进公司新产品的开发和验证,通过规范化流程开展质量改进活动,及时识别并分析产品质量相关议题,深入挖掘潜在问题,并基于内部目标与原因分析制定针对性改进措施,确保质量提升的持续性和有效性；公司EHS（环境、健康、安全）部门持续完善公司在绿色环保、员工健康、安全生产等方面的管理机制,保障公司生产的合规和安全。同时,公司持续完善信息系统技术防护和安全保密管理,加强公司网络安全、数据安全。7、募投项目建设进展情况①公司募投项目三“ALD设备研发与产业化项目”为进一步完善产业布局,公司在上海临港新片区购置整体厂房,建设新的研发及生产基地（建筑面积为5,181.68平方米）,基于公司原有ALD设备技术储备,开发ALD设备平台架构、发展多种工艺机型,并进行规模化量产。截至本报告期末,该项目的研发与产业化基地建设厂房改造已经完成并投入使用,相关的ALD设备研发和生产工作已完成,本募投项目已结项。2超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”公司超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”是在上海临港新片区建设研发与产业化基地（土地面积为39,990.20平方米）,用于先进半导体薄膜沉积设备及工艺的研发,并实现以临港为中心客户群所需半导体设备的产业化。报告期内,公司结合项目实际进展情况,将本项目原计划达到预定可使用状态日期由2024年12月延期至2025年6月,并按此计划顺利推进。截至本报告披露日,本项目已完成基地的整体建设,并计划于2025年6月前投入使用。注：项目尚在建设中,上图为规划效果图3新建项目“高端半导体设备产业化基地建设项目”公司新建投资项目“高端半导体设备产业化基地建设项目”是在沈阳市浑南区购置土地建设新的产业化基地,包括生产洁净间、立体库房、测试实验室等。项目总投资金额约为人民币110,000.00万元,其中募集资金及超募资金投入约为人民币26,826.60万元,其余项目资金约人民币83,173.40万元由公司及拓荆创益自筹。该产业化基地建成后,将大幅提高公司薄膜沉积设备的产能,以支撑公司PECVD、SACVD、HDPCVD等高端半导体设备产品未来的产业化需求,从而推动公司业务规模的持续增长。截至本报告披露日,公司已取得本项目的土地使用权证、用地规划许可证和工程规划许可证。注：项目尚在规划设计中,上图为规划效果图8、对外投资情况报告期内,公司结合发展战略规划,进一步完善业务发展布局,提升公司的综合竞争力,开展了以下对外投资事项：（1）投资设立子公司及向子公司增资报告期内,公司出资2亿日元设立全资子公司拓荆日本,出资1万美元设立全资子公司拓荆国际,为公司进一步拓展海外市场奠定基础；公司向全资子公司岩泉科技增资50,000.00万元,以增强岩泉科技对外投资资本；公司以向拓荆键科提供的借款形成的债权作价6,873.58万元认购拓荆键科新增注册资本67.5409万元,本次债转股完成后,公司合计持有拓荆键科注册资本617.5409万元,截至本报告披露日,公司合计持有拓荆键科57.8471%的股权,拓荆键科仍为公司的控股子公司。（2）参与成立产业投资平台报告期内,公司全资子公司岩泉科技出资900.00万元并作为执行事务合伙人设立上海岩池；由上海道禾长期投资管理有限公司作为执行事务合伙人、上海岩池作为普通合伙人、岩泉科技及上海道禾产芯私募投资基金合伙企业（有限合伙）作为有限合伙人共同发起设立道禾拓荆芯链,其中,上海岩池出资人民币100.00万元、岩泉科技出资2750.00万元。该基金将专注于半导体设备零部件产业链领域的股权投资,充分发挥公司的产业链主引领作用及其他投资方的产金融合优势,紧密围绕半导体产业链上游环节,助推我国半导体设备及零部件产业做大做强。（3）积极开展产业投资公司积极开展产业投资布局,报告期内,公司开展了对新松半导体、珂玛科技、芯密科技、素珀电子、星奇半导体、君原电子、辉龙电器、先锋精科、深圳冠华等公司的股权投资。公司开展的上述产业投资符合公司战略规划,与公司主营业务具有协同效应。9、公司治理情况报告期内,公司共召开4次股东大会、12次董事会、5次董事会审计委员会、1次董事会提名委员会、4次董事会薪酬与考核委员会、11次监事会及2次独立董事专门会议,所审议的议案100%通过,并得到有效执行和实施。公司严格依照《公司法》《证券法》《上市规则》以及《公司章程》等有关法律、法规、规范性文件的要求不断完善公司的治理结构,提高经营管理决策的科学性、合理性、合规性和有效性,提升公司的治理和规范运作水平,为公司业务目标的实现奠定良好的基础。10、公司规范运作与信息披露、投资者关系管理及防范内幕交易情况公司高度重视上市公司规范运作与信息披露管理工作,严格依照股东大会、董事会、监事会、信息披露和投资者管理等相关制度规则合规运作。公司认真履行信息披露义务,确保信息披露及时、真实、准确和完整。公司高度重视投资者关系管理相关工作,通过投资者邮箱、投资者电话专线、“上证e互动”平台、业绩说明会、接待投资者现场调研、电话交流以及反路演等多种形式加强与投资者的交流与沟通,促进公司与投资者之间建立长期、稳定的共赢关系,实现公司价值和投资者利益的最大化。报告期内,公司召开7次业绩说明会/投资者交流会,开展180余次投资者交流活动。公司高度重视内幕交易防范工作,做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育,敦促董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守股票减持及增持等相关规定。
财务指标
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| 营业收入（亿元） |
| 净利润（万元） |
| 资本公积（万元） |
| 未分配利润（亿元） |
| 每股净资产（元） |
| 基本每股收益（元） |
| 稀释每股收益（元） |
| 每股经营现金流（元） |
| 加权净资产收益率（%） |
企业发展进程