拓荆科技 - 688072.SH

主营业务：主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。

经营范围：一般项目:企业总部管理;企业管理;企业管理咨询;自有资金投资的资产管理服务;以自有资金从事投资活动;财务咨询;社会经济咨询服务;租赁服务(不含许可类租赁服务);国内贸易代理;销售代理。(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)(最终以工商登记机关核定为准)

拓荆科技股份有限公司成立于2010年4月,是国家高新技术企业,主要从事半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。

公司多次获评中国半导体行业协会授予的“中国半导体设备五强企业”称号。

拓荆在北京、上海、海宁、青岛、沈阳和美国、BVI、新加坡及日本成立子公司。

拓荆主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备、次常压化学气相沉积(SACVD)设备、高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)设备、超高深宽比沟槽填充(FlowableCVD)设备和三维集成(W2W/D2WHybridBonding)设备以及相关量测设备等系列,拥有自主知识产权,技术指标达到国际同类产品的先进水平。

产品主要应用于集成电路晶圆制造、先进存储和先进封装、HBM、MEMS、Micro-LED和Micro-OLED显示等高端技术领域。

拓荆产品已进入北京、上海、武汉、合肥、天津及中国台湾地区等30多个省市地区的100多条生产线,并设有技术服务中心,为客户提供每周7天,每天24小时的技术支持。

公司已形成一支国际化的专业团队,具备高科技研发实力及管理经验。

通过多年技术积累,公司已建立自主知识产权的核心技术群及知识产权体系,被国家知识产权局评为“国家知识产权示范企业(2022-2025)”。

拓荆总部坐落于沈阳市浑南区,拥有现代化办公大楼及高等级洁净厂房,总建筑面积达40,000平方米,2025年6月,投资近十亿的上海二厂已正式启用,同时投入十多亿筹建沈阳二厂。

公司已获得ISO9001、ISO14001、ISO45001体系的认证。

通过与全球的供应商合作,形成了稳定的供应链系统。

拓荆公司愿与业界伙伴建立真诚、友好、共赢的产业合作联盟,为中国及世界半导体产业的发展做出贡献。

报告期内,公司积极把握半导体技术迭代升级、下游应用需求扩张与国产替代的发展机遇,充分发挥公司在产品方面的技术创新迭代快、性能优异、覆盖面广、量产规模大等竞争优势,以及在研发团队、技术储备、客户资源及售后服务等方面的深厚积淀,坚持自主创新,构建了较为完善的薄膜沉积设备、三维集成设备的产品矩阵,并快速提升公司产品在先进存储、先进逻辑芯片制造领域的覆盖面及量产规模。

同时,持续强化公司运营管理,促进公司高质量、稳健、快速的发展,在经营业绩、产品研发、市场销售等诸多方面取得了优异成果,进一步促进公司综合实力的提升。

1、主要经营情况报告期内,随着公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜沉积设备及三维集成设备产品的持续性技术突破与规模化量产应用,公司在先进制程领域的产品核心竞争力显著提升,业务规模实现大幅增长。

报告期内,公司实现营业收入291,286.43万元,同比增长49.06%；实现归属于上市公司股东的净利润134,275.40万元,同比增长1,324.10%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润36,733.50万元,同比增长861.92%。

截至2026年6月30日,公司总资产2,531,214.98万元,较2025年年末增长27.69%；归属于上市公司股东的净资产1,271,569.96万元,较2025年年末增长92.37%。

公司资产质量良好,财务状况稳健。

2、公司产品研发及产业化进展情况报告期内,公司持续加大力度推进先进制程领域的新产品、新工艺的拓展与量产应用,通过持续自主创新和高强度研发投入,保持薄膜沉积设备和三维集成设备的技术领先优势,薄膜沉积设备和三维集成设备已广泛应用于先进存储、先进/成熟逻辑、先进封装、功率器件、Micro-OLED、硅光技术、图像传感器（CIS）等领域。

公司报告期内的研发投入金额达到42,280.92万元,同比增长21.09%。

公司先进产品凭借高质量、高性能的优异表现,批量通过了客户验证,致公司业务规模和收入快速增长。

在薄膜沉积设备方面,公司仍持续围绕以PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD以及FlowableCVD为主的薄膜沉积技术深耕拓展和迭代升级,定制化开发不同类型的高产能平台和反应腔,精准满足先进制程领域对多种先进薄膜工艺的高要求。

报告期内,公司已出货不同工艺的PECVD设备产品至海外客户端；基于反应腔pX和Supra-D研发的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM系列工艺、OPN、SiB等多款先进工艺设备以及PECVDBianca工艺设备持续扩大量产规模,且基于pX反应腔开发的α-Si工艺设备已通过先进逻辑客户的验证；公司基于原有已规模量产的PF-300M高产能平台开发了PF-300L平台,并设计了nX、kX等反应腔,以满足先进制程芯片对低介电常数材料的高性能指标需求,该系列产品已出货至客户端验证；公司目前已实现对PECVDACHM系列工艺（包括ACHM-I、ACHM-II、ACHM-III等适配不同沉积温度的薄膜工艺）、α-Si、SiB、高温SiN等多款硬掩膜工艺的覆盖,且这些工艺在先进制程中应用广泛,公司是国内集成电路领域硬掩膜工艺覆盖最全面的设备厂商。

公司多台PE-ALDSiO2、SiCO等工艺设备通过客户验证,在先进存储客户量产规模快速攀升,同时获得了客户批量订单,且SiO2、SiN、SiCO、TiO等工艺设备持续出货至客户端；Thermal-ALD在持续拓展新工艺,多台产品出货至客户端,包括AlN、Al2O3、LaO、TiON等先进工艺。

截至报告期末,公司多台ALD设备在客户端完成重复订单验收,量产规模持续增长。

公司沟槽填充系列产品持续获得客户批量订单、出货,进一步扩大量产应用规模,其中,SACVDPESAF薄膜工艺设备已多台通过不同客户验证。

截至报告期末,公司推出的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及FlowableCVD等薄膜设备可以支撑先进存储、先进逻辑等领域中所需的约100多种工艺应用。

在应用于三维集成设备方面,报告期内,公司持续拓展新产品,包括芯片对晶圆熔融键合、键合界面空洞修复等产品,同时,公司拓展了多个新客户。

目前公司三维集成设备产品已覆盖先进存储、先进逻辑、图像传感器等多个领域应用,公司致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案。

随着芯片技术的迭代升级,公司先进产品量产规模不断攀升,截至本报告期末,公司累计出货超过3,800个反应腔（包括超过480个新型反应腔pX和Supra-D）,进入约100条生产线。

公司薄膜沉积设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异,平均机台稳定运行时间（Uptime）超过90%（达到国际同类设备水平）。

公司薄膜沉积设备系列产品在晶圆制造产线的量产应用规模快速扩大,截至本报告期末,公司薄膜沉积设备在客户端产线生产产品的累计流片量约6亿片。

公司薄膜沉积设备累计流片量（1）PECVD系列产品研发及产业化进展情况公司自成立就开始研制PECVD设备,在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验,并形成了覆盖全系列PECVD薄膜材料的设备,主要包括PECVD产品和UVCure产品：1PECVD产品PECVD设备作为公司的主打产品,已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖,包括通用介质薄膜材料（包括SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）、先进介质薄膜材料（包括LoK-Ⅰ、LoK-Ⅱ、LoK-III、ADC-Ⅰ、ADC-Ⅱ、ADC-III、Stack（ONO叠层）、OPN等）及先进硬掩膜材料（包括ACHM-I、ACHM-II、ACHM-III、HTN、α-Si、SiB等）均广泛应用于国内集成电路制造产线。

报告期内,公司PECVD设备以良好的稳定性、高产能及优异的薄膜工艺指标等特点持续保持竞争优势,获得客户复购和批量订单,不断扩大量产规模。

报告期内,公司面向先进存储等领域自主研发的基于反应腔pX和Supra-D的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM系列工艺、OPN、SiB等多款关键工艺设备以及PECVDBianca先进工艺设备持续扩大量产规模,并持续获得客户批量复购订单；在先进逻辑领域,公司多台PECVD通过客户验证,包括基于pX反应腔开发的PECVDα-Si先进工艺设备。

上述工艺产品满足先进制程对高产能及更严格的薄膜性能指标的需求。

截至本报告期末,基于反应腔pX和Supra-D开发的系列工艺设备已累计出货超过480个反应腔,PECVDBianca先进工艺产品累计出货超过90个反应腔,该等关键工艺设备均在快速扩大应用规模,为客户提供先进薄膜工艺技术的全套解决方案,同时有效降低客户成本。

公司基于原有已规模量产的PF-300M高产能平台开发了PF-300L平台,并设计了nX、kX等反应腔,以满足先进制程芯片对低介电常数材料高性能指标需求,该系列产品已出货至客户端验证,为客户提供先进薄膜工艺技术的解决方案。

此外,公司紧跟先进存储、先进逻辑、三维集成等领域芯片技术迭代需求,不断前瞻式深耕拓展新工艺、新产品,其中,公司开发的更高产能的NF-300MSupra-H设备已进行工艺优化及多重验证。

该设备可以沉积多层Stack（ONO叠层）介质材料薄膜,实现更优异的均匀性和更高累计ONO叠层工艺,满足先进存储芯片制造领域最先进的研发和生产需求。

2UVCure产品UVCure设备作为公司薄膜后处理相关产品,与PECVD设备成套使用,为PECVDHTN、LoK-Ⅱ等薄膜沉积进行紫外线固化处理。

公司UVCure（HTN、LoK-Ⅱ工艺）均已实现产业化应用,报告期内持续获得客户的订单、出货,扩大应用规模。

（2）ALD系列产品研发及产业化进展情况1PE-ALD产品报告期内,公司多台PE-ALDSiO2、SiCO等工艺设备通过客户验证,在先进存储领域的量产规模进一步攀升。

同时,公司PE-ALD获得了客户批量订单,SiO2、SiN、SiCO、TiO等工艺设备持续出货至客户端。

截至报告期末,公司PE-ALD高温、低温、高质量SiO2、SiN、SiCO、TiO等介质薄膜工艺设备已应用至存储芯片、逻辑芯片制造等领域,覆盖芯片填孔(Gap-fill)、侧墙（Spacer）、衬垫层（Liner）等工艺需求。

2Thermal-ALD产品公司Thermal-ALD设备已实现产业化应用,可以沉积Al2O3、AlN、TiN、TiON、LaO等金属及金属化合物等先进薄膜材料,可应用于先进存储、先进逻辑、先进封装等领域,覆盖High-K栅极、电极层、金属互联等工艺需求。

报告期内,公司Thermal-ALD在持续拓展新工艺,多台产品出货至客户端验证,包括AlN、Al2O3、LaO、TiON等先进工艺。

此外,公司将持续稳步拓展Thermal-ALD其他薄膜工艺,前瞻性开发前沿技术所需的薄膜工艺材料。

截至报告期末,公司ALD设备量产规模持续增长,是集成电路领域量产型ALD设备的领军企业。

（3）SACVD系列产品研发及产业化进展情况报告期内,公司SACVD系列产品持续保持产品竞争优势,获得客户批量订单、批量出货及通过客户验证。

公司推出的PESAF薄膜工艺设备已多台通过不同客户验证,进一步扩大量产应用规模,并获得客户的复购批量订单,满足先进存储领域应用需求。

（4）HDPCVD系列产品研发及产业化进展情况报告期内,公司HDPCVD持续获得客户批量订单、出货及通过客户验证。

截至报告期末,公司HDPCVDUSG、FSG薄膜工艺设备均已实现产业化,并持续扩大量产规模。

（5）FlowableCVD系列产品研发及产业化进展情况截至报告期末,公司自主研发的FlowableCVD产品已有多台通过客户验证,在先进逻辑领域实现了产业化应用。

报告期内,公司持续获得订单并出货。

（6）三维集成领域系列产品研发及产业化进展情况报告期内,公司持续拓展应用于三维集成设备,包括先进键合产品及配套的量检测产品,主1晶圆对晶圆混合键合产品公司晶圆对晶圆混合键合产品是公司最早推出的混合键合产品,已实现产业化,可实现百纳米级晶圆混合键合,其关键技术指标、产能指标与设备开机率均达到国际同类产品量产水平。

报告期内,公司持续拓展晶圆对晶圆混合键合产品的应用领域,获得客户订单并出货。

报告期内,公司研发的新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品Dione300eX在客户端验证进展顺利。

该产品采用更先进的对准技术,拥有更高的对准精度、键合精度和设备产能,可达到国际同类产品最先进水平。

2晶圆对晶圆熔融键合产品公司研制的晶圆对晶圆熔融键合产品Dione300FeX,可实现载片晶圆和器件晶圆低应力熔融键合,具备优异的产能表现。

截至报告期末,该产品已出货至不同客户验证。

3芯片对晶圆键合前表面预处理产品公司推出的芯片对晶圆键合前表面预处理产品Propus已实现产业化,可以在芯片对晶圆混合键合前实现晶圆及切割好的芯片的表面活化和清洗,具备高产能的特点。

报告期内,该产品持续获得不同客户订单并出货。

4芯片对晶圆混合键合产品公司研制的芯片对晶圆混合键合产品Pleione,可以实现芯片顺序拾取并精准键合到晶圆上,精度可达百纳米级,具有高精度、高产能、低污染的特点。

截至本报告期末,该产品正在客户端进行验证,公司同时进一步提升其量产性能指标。

5芯片对晶圆熔融键合产品芯片对晶圆熔融键合技术可以支撑先进封装的前沿应用。

与传统键合方法不同,该技术无需键合介质或粘合剂,而是在室温下直接键合；同时,还能筛选已知合格芯片（KnownGoodDie）,从而大幅提升良率。

报告期内,公司已完成该产品的研制,并获得不同客户订单。

6键合套准精度量测产品公司自主研发的键合套准精度量测产品可以实现混合键合后的键合精度量测,具有超高精度、超高产能和无盲区量测三大特点,并有效兼容晶圆对晶圆和芯片对晶圆混合键合量测场景。

该产品已通过客户验证,实现产业化应用。

报告期内,公司持续拓展该产品的应用,获得新客户订单。

7键合强度检测产品公司研制的键合强度检测产品可以实现晶圆键合后的强度检测。

截至报告期末,该产品已通过客户验证,实现产业化应用。

8永久键合后晶圆激光剥离产品报告期内,公司已完成晶圆级永久键合后晶圆激光剥离产品的研制,并获得客户订单。

晶圆激光剥离技术能有效克服临时键合技术中有机胶残留和耐温性差的问题,帮助客户有效优化工艺成本和前道兼容性。

9键合界面空洞修复产品公司自主研发的高精度键合界面空洞修复设备可实现晶圆对晶圆、芯片对晶圆键合工艺中产生的界面空洞缺陷修复。

报告期内,该产品开发进展顺利。

3、供应链保障方面在供应链建设方面,公司建立了完善的供应链管理体系,吸纳积累全球半导体行业内的优质供应链资源,关键零部件采用“多源采购”模式,并与核心供应商建立长期战略合作关系,确保关键部件的及时稳定供应。

在此基础上,公司与供应商构建了协同创新机制,在开展新产品、新技术开发过程中保持与供应商的深度协作,确保部件产品性能达到公司先进技术需求,形成稳定的、互信的、共赢的供应链生态。

这一体系为公司产品研发、量产交付与持续创新提供了可靠保障。

报告期内,公司上游供应链总体保持稳定,有效保障设备生产并及时交付。

4、市场销售情况报告期内,公司持续深耕中国大陆高端半导体设备市场并积极开拓海外市场,依托自主可控的创新技术、客户资源的积累布局、高效售后服务体系等多方面的核心竞争优势,持续提升产品综合竞争力,成功导入多家新客户、获得海外客户订单并出口至海外市场。

截至报告期末,公司在手订单饱满,可为全年交付与业绩增长提供坚实支撑。

公司持续拓展薄膜沉积及三维集成设备新工艺、新机型,同时持续与下游芯片客户开展前瞻性联合研发,紧密跟进前沿工艺迭代需求,根据客户差异化制程目标,提供高度定制化、对标国际一线性能标准的成套设备解决方案,并配套7×24小时驻场调试、工艺迭代升级、备件快速响应、年度设备维保等全方位高质量的技术服务。

公司以客户的应用需求为导向,驱动技术创新,不断完善先进产品矩阵,保持市场份额的稳步提升,进一步巩固公司市场地位,为长期业务发展筑牢根基。

5、人才队伍建设情况报告期内,公司结合战略规划与业务发展目标,持续加强人才梯队建设,致力于打造一支高素质、富有创新精神和协作能力的人才队伍。

截至2026年6月30日,公司员工总数2,049人,其中研发人员856人,占公司员工总数的41.78%。

公司构建完善的人才引育留用体系。

在人才引进方面,通过校企合作、校园招聘、科学家进校园活动、赛事合作等方式吸纳优秀毕业生,借助行业活动、内部引才汇聚资深的高层次人才。

在人才培养方面,搭建分层分类培训体系,覆盖技术、管理等多方面,支持员工学历与能力提升,依托博士后基地深化产学研合作,培育复合型人才,为企业持续发展提供坚实人才支撑。

同时,公司定期开展员工关怀、评优表彰活动,在报告期内组织以“聚势向新,以质行远”为主题的企业年会、第一季度员工大会、三八节活动等,提升员工归属感与凝聚力。

截至本报告期末,公司已实施2022年限制性股票激励计划和股票增值权激励计划、2023年限制性股票激励计划（含首次授予和预留授予）以及2025年限制性股票激励计划,上述股权激励计划的实施将进一步促进公司人才队伍的建设和稳定,将公司发展和员工利益结合在一起,让员工共享发展成果,强化激励,助力公司长远发展。

6、营运管理方面报告期内,公司开发的智能化软硬件系统（SmartMachine）围绕提升用户使用体验、强化系统核心能力等方面,持续开展针对性优化升级,并积极推进商业化应用落地。

在技术与功能层面,公司结合先进的算法优化深入探索系统模型,并引入AI技术辅助分析设备运行数据,实现对设备性能的预测,形成完整的分析流程与结果呈现机制。

在用户体验方面,通过优化交互逻辑与系统性能,实现了用户体验与运行效率的双重提升。

2026年,公司积极推动SmartMachine系统在客户端的逐步落地推广,以进一步验证系统技术能力,赋能客户业务发展,提升公司的综合服务能力与市场竞争力。

公司不断提升产品生产制造水平,优化物料运营管理。

公司智能化MES系统（生产管理系统）在保障原有操作可记录、追溯功能的基础上,结合现场生产实际痛点与一线员工业务需求持续迭代优化,已累计提出多项系统改善项目,充分发挥MES系统生产支撑、作业指引作用。

公司使用配套数据传输系统,实现装配工序扭矩数据自动直传,有效保障装配作业精度。

公司持续优化质量管理体系,打通研发、供应链、制造及服务全链条,对全流程数据进行动态监测分析,进一步强化质量管控、提升生产效率与敏捷性,保障生产经营有序开展。

公司持续深化EHS（环境、健康、安全）体系建设,完善绿色环保、职业健康、安全生产及应急管理管控举措,常态化落实风险防控要求,夯实合规运营基础,保障各项生产经营活动安全有序开展。

同时,公司积极推进信息安全管理,持续规范信息资产管理、数据使用管理等流程,夯实数据安全与客户隐私保护的治理基础。

此外,公司内网部署了GPU服务器资源,自主搭建智能AI办公系统,开发了智能对话与智能体工作流,实现文档生成、智能问答等工具,使用智能化工具链深度赋能日常业务,有效提升办公效率。

7、募投项目建设进展情况“高端半导体设备产业化基地建设项目”（以下简称“沈阳二厂”）是公司在辽宁省沈阳市浑南区新建产业化基地,规划总建筑面积超15万平方米,规划建设内容包括高标准生产洁净间、智能化立体仓储库房、先进测试实验室等,并配套引入先进的生产管理系统及软硬件设施,致力于打造集规模化、智能化、数字化于一体的高端半导体设备产业化基地。

沈阳二厂建成后,将大幅提升公司高端半导体设备产能,支撑公司PECVD、SACVD、HDPCVD等薄膜沉积设备系列产品的产业化能力。

同时,通过智能化生产系统的部署,将有效提升生产运营效率,以充分满足下游市场需求。

本项目的实施将有力支撑公司业务规模的持续扩大,进一步巩固在高端半导体设备领域的竞争优势,为提升市场份额和行业地位奠定坚实基础。

报告期内,沈阳二厂主要开展产业化基地主要楼体主体的建设工作。

截至本报告披露日,沈阳二厂已完成主体结构封顶,目前整体项目实施进展顺利,后续将按照既定计划稳步推进,预计于2028年完成建设并投入使用。

注：上图为规划效果图8、对外投资情况报告期内,公司结合发展战略规划,进一步完善业务发展布局,提升公司的综合竞争力。

（1）向全资子公司增资报告期内,公司使用首次公开发行股票超募资金向拓荆上海增资人民币10,000.00万元,用于支付首次公开发行股票超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”尾款。

本次增资后,拓荆上海的注册资本由人民币143,253.79万元增加至人民币153,253.79万元,公司仍持有拓荆上海100%的股权。

拓荆上海在报告期内尚未办理公司注册资本的工商变更登记。

（2）积极开展产业投资报告期内,公司开展了对物元半导体、托伦斯及长鑫科技的股权投资,该等投资有助于公司业务的深度拓展,进一步提升公司整体的市场竞争力及上下游产业链的协同效应,符合公司主营业务及战略发展方向。

此外,公司与沈阳市人民政府国有资产监督管理委员会及其他产业合作方共同发起设立聚芯智能创新中心,该主体主要围绕应用于先进制程领域的高端集成电路装备新产品、新技术的需求,开展关键零部件的核心技术开发、验证与应用,并搭建设备及零部件研发、测试平台,孵化相关技术实现产业化聚芯智能创新中心的设立,将有效强化产业链协同创新机制,促进设备厂商、零部件供应商及应用端的深度融合,助力国家集成电路装备及零部件产业实现高质量发展。

截至本报告期末,公司及子公司已直接/间接累计投资23家企业,覆盖多个半导体设备产业链领域,强化产业链协同效应,提升整体业务竞争力。

9、公司治理情况报告期内,公司共召开股东会2次、董事会4次、董事会审计委员会2次、董事会薪酬与考核委员会1次、董事会提名委员会1次、董事会战略规划委员会1次及独立董事专门会议2次,所有审议议案均100%获得通过。

公司董事会职责清晰,全体董事能够认真、负责地履行职责。

公司严格遵循《公司法》《证券法》《上市公司治理准则》以及有关法律法规的要求,结合公司发展情况及时修订《拓荆科技股份有限公司薪酬管理制度》；公司建立由股东会、董事会（含各专门委员会）和公司管理层组成的健全的公司治理架构,持续完善公司制度建设,不断提升公司治理水平。

10、公司规范运作与信息披露、投资者关系管理及防范内幕交易情况公司高度重视上市公司规范运作与信息披露管理工作,严格依照股东会、董事会、信息披露和投资者管理等相关制度规则合规运作。

公司认真履行信息披露义务,确保信息披露及时、真实、准确和完整。

公司连续三年获得上交所年度信息披露工作评价“A级”评级。

公司高度重视投资者关系管理相关工作,不断提升投资者关系管理水平,建立了多元化的信息传递渠道,通过投资者邮箱、投资者电话专线、“上证e互动”平台、业绩说明会、接待投资者现场调研等多种形式加强与投资者的交流与沟通,促进公司与投资者之间建立长期、稳定的共赢关系,实现公司价值和投资者利益的最大化。

公司已召开2025年年度暨2026年第一季度业绩暨现金分红说明会,通过视频直播和文字互动的形式,针对广大投资者普遍关心的问题进行了充分交流。

公司高度重视内幕交易防范工作,持续做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。

公司对董事、高级管理人员及相关员工作出禁止内幕交易的提示,敦促董事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守股票减持等相关规定,维护公司及投资者合法权益。

发行人前身沈阳拓荆科技有限公司成立于2010年4月28日,注册资本1,000万元;中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司、孙丽杰分别出资600万元、400万元,持有拓荆有限60%、40%的股权。

为整体变更设立为股份有限公司之目的,拓荆有限分别聘请审计机构天健会计师事务所(特殊普通合伙)和资产评估机构北京中企华资产评估有限责任公司对公司截至2020年5月31日的净资产进行了审计和评估。

2021年1月12日,沈阳市市场监督管理局核准拓荆有限整体变更设立为股份有限公司,并向发行人核发了营业执照。

拓荆有限整体变更为股份有限公司时,改制基准日2020年5月31日的财务报表未分配利润为-28,126.78万元,存在累计未弥补亏损。

半导体专用设备行业具有技术壁垒高、研发投入大、产品验证周期长的特点。

在公司业务发展初期,公司需要对产品进行大额的投入。

在产品研发完成后,公司需要将产品发运至客户端进行验证,验证完成后才能形成销售,而客户端的验证周期通常较长。

因此,公司在前期产品技术研发、市场培育、客户导入的过程中,需要较高的投入,却不能在短期内转化为公司的销售收入,从而形成了整体变更设立股份有限公司时的累计未弥补亏损。

2019年5月,经拓荆有限董事会决议,大连港航向中微公司转让其所持拓荆有限3.9646%股权,转让价格为19元/元注册资本。

本次股权转让价格由转让双方参照北京中企华资产评估有限责任公司出具的《资产评估报告》(中企华评报字(2018)第3695号)为基础协商定价。

2019年5月6日,沈阳市浑南区市场监督管理局核准拓荆有限的本次变更。

经拓荆有限董事会2019年5月作出决议,中科仪拟对外转让所持拓荆有限4.215%的股权。

中科仪为中科院下属企业,本次转让采用进场交易。

2019年5月17日,沈阳市浑南区市场监督管理局核准拓荆有限的本次变更。

依据摘牌前与盐城燕舞达成的协议,宿迁浑璞于2019年7月向盐城燕舞转让所持拓荆有限2.1075%的股权,转让价格为宿迁浑璞在北京产权交易所挂牌交易中取得标的股权的交易本金及资金占用成本,转让价格为19.18元/元注册资本,转让价款共计2,887.0245万元。

2019年7月12日,沈阳市浑南区市场监督管理局核准拓荆有限的本次变更。