江苏微导纳米科技股份有限公司

• 企业全称: 江苏微导纳米科技股份有限公司
• 企业简称: 微导纳米
• 企业英文名: Jiangsu Leadmicro Nano Technology Co., Ltd.
• 实际控制人: 王燕清,倪亚兰,王磊
• 上市代码: 688147.SH
• 注册资本: 45767.8129 万元
• 上市日期: 2022-12-23
• 大股东: 无锡万海盈投资合伙企业(有限合伙)
• 持股比例: 50.82%
• 董秘: 龙文
• 董秘电话: 0510-81975986
• 所属行业: 专用设备制造业
• 会计师事务所: 天职国际会计师事务所(特殊普通合伙)
• 注册会计师: 叶慧、蔡垒
• 律师事务所: 德恒上海律师事务所
• 注册地址: 无锡市新吴区长江南路27号
• 概念板块: 光伏设备 江苏板块 专精特新 沪股通 融资融券 BC电池 预盈预增 TOPCon电池 半导体概念 太阳能

• 注册地: 江苏
• 成立日期: 2015-12-25
• 组织形式: 大型民企
• 统一社会信用代码: 91320213MA1MDBFY36
• 法定代表人: 王磊
• 董事长: 王磊
• 电话: 0510-81975986
• 传真: 0510-81163648
• 企业官网: www.leadmicro.com
• 企业邮箱: wen.long@leadmicro.com
• 办公地址: 无锡市新吴区长江南路27号
• 邮编: 214028
• 主营业务: 从事先进微、纳米级薄膜沉积设备的研发、生产和销售,向下游客户提供先进薄膜沉积设备、配套产品及服务
• 经营范围: 电子产品、半导体、新能源材料、纳米技术镀膜专用设备、专用纳米材料的研发、设计、生产、技术咨询、技术服务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
• 企业简介: 江苏微导纳米科技股份有限公司(简称“微导纳米”,股票代码688147.SH)成立于2015年12月,是一家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商。公司形成了以原子层沉积(ALD)技术为核心,CVD等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系,专注于先进微米级、纳米级薄膜设备的研发、生产与应用。公司业务涵盖集成电路、光伏、LED,及MEMS等泛半导体相关领域,以及新能源和柔性电子领域;主要产品为应用于逻辑芯片、存储芯片、光伏电池、硅基微显示、化合物半导体和3D封装等半导体及泛半导体的专用设备和成套技术,以及应用于柔性电子、新一代高效太阳能电池整线的量产解决方案。公司先后荣获国家专精特新“小巨人”企业、中国独角兽企业、江苏省小巨人企业(制造类)等荣誉称号,并被认定为江苏省企业技术中心、江苏省工程技术研究中心、江苏省工程研究中心、江苏省外国专家工作室、江苏省博士后创新实践基地、江苏省研究生工作站等。在不断完善自有研发平台建设、持续巩固自身研发实力的同时,我们与复旦大学、上海交通大学、南京大学、芬兰赫尔辛基大学、澳洲新南威尔士大学等知名院校均建立了良好的合作关系,共同推进技术的创新发展。
• 发展进程: 2015年12月11日,王燕清、潘景伟、胡彬、刘兵武共同签署《江苏微导纳米装备科技有限公司公司章程》,约定微导有限注册资本为2,000.00万元,王燕清、潘景伟、胡彬、刘兵武分别认缴出资1,735.40万元、147.00万元、88.20万元、29.40万元,均为货币出资。2015年12月25日,微导有限取得了无锡工商行政管理局新区分局核发的《营业执照》。 股份公司设立方式为有限责任公司整体变更为股份有限公司。2019年12月3日,微导有限董事会通过决议,同意微导有限以2019年10月31日为基准日,将经天职国际审计的净资产59,597,806.03元按照1:0.7551的比例折合成股份公司股本4,500万元,每股面值1元,共计4,500万股,其余部分14,597,806.03元计入股份公司资本公积。2019年12月3日,微导纳米的发起人股东签署《江苏微导纳米科技股份有限公司发起人协议》;2019年12月5日,微导纳米全体发起人召开股份公司创立大会暨2019年第一次临时股东大会,审议通过了《关于江苏微导纳米科技股份有限公司以账面净资产折股整体变更为股份公司的议案》等议案。2019年12月5日,天职国际出具了《江苏微导纳米科技股份有限公司验资报告》(天职业字[2019]37647号),经审验,截至2019年12月5日,公司已收到全体股东以其拥有的微导有限净资产折合的实收资本4,500万元,余额14,597,806.03元计入资本公积。2019年12月10日,微导纳米取得了无锡市市场监督管理局核发的《营业执照》。2019年12月20日,微导纳米取得无锡市高新区(新吴区)商务局出具的《外商投资企业变更备案回执》(锡高管商资备201900507)。 2017年2月10日,微导有限董事会通过决议,同意LIWEIMIN将其持有的微导有限8.00%的股权(认缴出资额235.2941万元,实缴出资额0元)以0元的价格转让给聚海盈管理,LIXIANG将其持有的微导有限4.00%的股权(认缴出资额117.6471万元,实缴出资额0元)以0元的价格转让给聚海盈管理,王燕清将其持有的微导有限3.00%的股权(认缴出资额88.2496万元、实缴出资额88.2496万元)以88.2496万元的价格转让给聚海盈管理,王燕清将其持有的微导有限3.00%的股权(认缴出资额88.2496万元、实缴出资额88.2496万元)以88.2496万元的价格转让给德厚盈投资。同日,上述各方分别签署《股权转让协议》。2017年2月27日,微导有限取得了无锡市新吴区市场监督管理局核发的《营业执照》。2018年3月23日,微导有限董事会通过决议,同意刘兵武将其持有的微导有限1.00%的股权(认缴出资额29.40万元、实缴出资额29.40万元)转让给王燕清;王燕清将其持有的微导有限3.00%的股权(认缴出资额88.2353万元、实缴出资额88.2353万元)、2.00%的股权(认缴出资额58.7647万元、实缴出资额58.7647万元)、1.00%的股权(实缴出资额29.40万元、认缴出资额29.40万元)分别转让给LIXIANG、LIWEIMIN、胡彬;德厚盈投资将其持有的微导有限1.00%的股权(认缴出资额29.40万元、实缴出资额29.40万元)转让给胡彬。前述转让价格均为1元每出资额。同日,上述各方分别签署《股权转让协议》。2018年4月16日,江苏中企华中天资产评估有限公司出具了评估报告,分别对聚海盈管理、LIWEIMIN、LIXIANG拟用于出资的无形资产进行了评估,经评估,以2017年12月31日为评估基准日,聚海盈管理、LIWEIMIN、LIXIANG用于出资的专利技术的评估值分别为355.00万元、443.00万元和148.00万元。2018年3月,聚海盈管理、LIWEIMIN、LIXIANG分别与微导有限就出资的专利技术签订了相关转让合同。2019年12月20日,微导纳米通过2019年第二次临时股东大会决议,同意微导纳米注册资本增加246.3158万元,由上海君联晟灏、北京君联晟源、江阴毅达、中小企业发展基金、江苏人才四期、无锡毓立、无锡新通、上海亿钏以货币方式出资,增资后的注册资本为4,746.3158万元。此次增资价格为每股63.33元,合计增资15,600.0000万元,其中246.3158万元计入注册资本、15,353.6842万元计入资本公积。
• 商业规划: 微导纳米是一家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商。公司形成了以原子层沉积（ALD）技术为核心,化学气相沉积（CVD）等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系,专注于先进微米级、纳米级薄膜设备的研发、生产与销售,向下游客户提供尖端薄膜设备、配套产品及服务。原子层沉积（ALD）等尖端薄膜沉积技术作为原子级制造的核心关键技术之一,凭借优良的技术特性,具有广泛的普适性,在半导体集成电路、新能源、新材料等领域均有着重要的应用前景。微导纳米相关产品已在半导体、光伏领域实现了大规模产业化应用。在半导体领域内,公司是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积设备（ALD）应用于集成电路制造前道生产线的国产设备厂商,是国内首批成功开发并进入产业链核心厂商量产线的硬掩膜化学气相沉积设备（CVD）国产厂商,也是行业内率先为新型存储提供薄膜沉积技术支持的设备厂商之一。目前公司已与国内多家厂商建立了深度合作关系,相关产品涵盖了逻辑、存储、化合物半导体、新型显示（硅基OLED等）等诸多细分应用领域,多项设备关键指标达到国际先进水平,能够满足国内客户当前技术的需求以及未来技术更迭的需要。在光伏领域内,公司作为率先将ALD技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业,已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一,与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。同时,公司跟随下游厂商的量产节奏,持续优化XBC、钙钛矿、钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术,引领光伏行业技术迭代。根据公开的市场数据统计,公司ALD产品已连续多年在营收规模、订单总量和市场占有率方面位居国内同类企业第一。作为国家高新技术企业,公司先后荣获工信部“专精特新”小巨人企业、国家知识产权优势企业、苏南国家自主创新示范区独角兽企业、江苏省小巨人企业（制造类）及SEMIChinaSCC＆ECOPV联盟发起成员单位等称号,报告期内新增一个国家级研发平台,目前拥有包括国家博士后科研工作站、江苏省原子层沉积技术工程技术研究中心、江苏省原子层沉积技术工程研究中心、江苏省省级企业技术中心、江苏省外国专家工作室等七个国家级、省级研发平台,承担多项国家、省级重大科技专项。公司iTomicHiK系列半导体ALD设备和KF系列光伏ALD设备均入选江苏省首台（套）重大装备产品目录,半导体多款设备荣获“中国半导体创新产品和技术奖”及“集成电路产业技术创新奖”。报告期内,为推动新质生产力和未来产业创新发展,公司作为国内原子层沉积技术（ALD）代表企业之一,联合多家高校、研究所和企业共同发起和组建了原子级制造创新发展联盟,并担任联盟首批副理事长单位。（一）报告期内经营情况概述1、半导体业务：全球半导体产业在人工智能、新能源汽车、数据中心等终端需求驱动实现结构性增长。国内半导体产业依托国家政策支持和产业链协同效应,正从制程追赶转向通过新器件、新架构、新材料、新工艺及新设备实现产业突围和格局重塑。作为国内半导体薄膜沉积设备领域的技术引领者之一,公司抓住下游产业链核心客户产能扩张和技术创新的机遇,持续加大研发投入和市场拓展力度,取得显著成效。公司ALD设备在高介电常数材料、金属化合物薄膜等领域均实现了产业化应用并取得批量重复订单,已涵盖了行业所需主流ALD薄膜材料及工艺。CVD设备在硬掩膜等关键工艺领域实现产业化突破,成功进入存储芯片领域先进器件产线并完成批量验收,成为公司又一重要量产产品。2、光伏业务：光伏行业装机需求和产业规模保持增长,但受产业链各环节新增产能快速释放影响,短期内出现供过于求,产业链各环节盈利水平总体承压。面对当前光伏行业的调整,公司严格控制经营风险,积极推动项目的交付和验收,优化客户结构,并持续推进现有技术升级和XBC、钙钛矿、钙钛矿叠层等新型电池技术的产业化,以满足核心客户对先进产能的需求。3、业绩情况：2024年度,公司营业收入和营业毛利分别为269,990.04万元和107,957.97万元,同比增长60.74%和51.73%。其中,半导体设备收入32,732.82万元,同比增长168.44%；光伏设备收入229,027.70万元,同比增长52.94%。半导体设备收入占主营业务比重由2023年度的7.27%提升至12.14%,呈逐年上升的趋势。2024年度,公司归属于上市公司股东的净利润为22,670.82万元,同比下降16.16%。主要是由于公司规模的扩大以及研发投入的增加,研发费用上升较多；此外,出于谨慎性原则,公司根据信用风险计提坏账损失及资产减值增加。截至2024年12月31日,公司在手订单总额67.72亿元,其中光伏领域、半导体领域和新兴应用领域在手订单分别为51.88亿元、15.05亿元和0.79亿元。半导体领域在手订单同比大幅度增长65.91%,占订单总量的比重呈逐年上升趋势。预计随着公司战略布局的逐步落地,公司半导体领域产品的工艺覆盖面、客户数量和订单规模将继续保持增长。（二）半导体领域产品的研发和产业化进展半导体制造过程中,薄膜沉积设备与刻蚀设备、光刻设备并列为半导体前道工艺三大主设备,是我国半导体供应链安全的关键环节。公司半导体领域产品主要包括iTomic系列原子层沉积（ALD）设备和iTronix系列化学气相沉积（CVD）设备两大类的薄膜沉积设备。1、ALD设备的研发和产业化进展公司是国内领先的ALD设备供应商,相关产品涵盖了行业所需主流ALD薄膜材料及工艺。ALD技术在45nm以下节点以及3D结构等先进半导体薄膜沉积环节具有良好的应用前景,是半导体设备中增长最快的领域之一。公司开发的国内首台成功应用于集成电路制造前道生产线的量产型High-kALD设备,解决了国内集成电路突破28nm制程节点最核心工艺之一的高介电常数（High-k）栅氧层薄膜工艺。公司持续拓展技术覆盖面,陆续研发和推出HKMG技术、柱状电容器、金属化薄膜沉积技术及高深宽比3DNAND、3DDRAM、TSV技术等工艺解决方案,覆盖逻辑芯片、存储芯片、先进封装、化合物半导体和新型显示（硅基OLED）中ALD技术的主要应用场景。（1）iTomicHiK系列iTomicHiK系列是公司最早研发的ALD设备系列产品,经过多次迭代和技术升级,已实现产业化应用多年,核心设备总体表现和各项核心技术指标达到国际先进同类水平,具有领先的技术优势。通过持续的研发和应用拓展,目前该产品可适用于沉积多种氧化物和氮化物、多元掺杂沉积工艺等薄膜材料,可用于逻辑芯片、传统及新型存储芯片的电容介质层、高k栅介质层、掺杂介质层、芯片制造电极及阻挡层、化合物半导体钝化和过渡层等多个应用领域。针对客户对于在极高深宽比结构器件内壁沉积高介电常数（High-k）超薄膜材料的需求,公司在原有横向进气模式（Crossflow,CF）产品基础上,成功开发了采用垂直进气模式（Showerhead,SHD）的iTomicHiK系列ALD设备。该产品可有效应对先进半导体器件中超高深宽比结构的制造挑战,拓宽了iTomicHiK系列产品的应用场景。报告期内,该产品已实现产业化验证并获得重复订单。iTomicHiK(SHD):更适用于存储领域极高深宽比结构的高介电常数材料沉积（2）iTomicMeT系列半导体制程持续迭代,器件不断微缩化且从平面结构转变为三维立体结构,如FinFET、GAA等。在这一趋势下,传统采用PVD方式制备的金属/金属化合物已难以达到工艺所需效果,因此ALD已经成为国际上金属/金属化合物沉积的主流解决方案之一。针对客户对于在复杂结构表面和对薄膜厚度有精准要求的器件表面沉积金属/金属化合物材料的需求,公司开发了iTomicMeT系列产品。该系列产品可为先进逻辑芯片、存储芯片及先进封装的金属化等关键工艺提供解决方案。报告期内,该系列产品已实现产业化应用并获得重复订单。iTomicMeT:利用ALD在结构复杂和薄膜厚度要求精准的器件上沉积金属/金属化合物材料（3）iTomicPE系列ALD可分为等离子体增强原子层沉积（PEALD）和热原子层沉积（TALD）,与TALD需要加热来发生反应相比,PEALD可以在较低温度下获得高质量的薄膜,更适合应用于热预算较小的场景。同时与热反应相比,PEALD通过控制等离子体可以更灵活地调节膜层性能,因此广泛应用于逻辑、存储、新型存储等领域多重曝光介质膜和绝缘介质材料的薄膜沉积。针对客户对PEALD工艺的需求,公司开发的iTomicPE系列产品,可为逻辑芯片、存储芯片、先进封装等提供客制化掩膜、介质层、图案化等关键工艺解决方案。报告期内,该系列产品已实现产业化应用并获得重复订单。iTomicPE:满足客户对PEALD工艺的要求,形成工艺整体解决方案除上述三个系列外,公司的半导体领域ALD产品还包括iTomicMW系列批量式原子层沉积系统、iTomicLite系列轻型原子层沉积系统以及iTomicSpatix系列空间型原子层沉积系统等产品。其中,iTomicMW系列批量式原子层沉积系统主要适用于成膜镀率低,厚度要求以及产能要求高的关键工艺及应用,可一次处理25片12英寸晶圆；iTomicLite系列轻型原子层沉积系统主要是满足6、8英寸晶圆量产工艺需求和客户高端研发和新工艺试量产需求。两款产品均已经实现产业化应用并获得重复订单。iTomicSpatix系列空间型原子层沉积系统则是公司新开发的半导体领域空间型ALD设备。2、CVD设备的研发和产业化进展公司是国内首批成功开发并进入产业链核心厂商量产线的硬掩膜化学气相沉积设备（CVD）国产厂商,实现了相关领域国内高端CVD设备技术和产业化突破。CVD设备广泛应用于半导体薄膜沉积的各环节,尤其是高端CVD技术在芯片制造过程中具有不可替代的作用,与ALD等技术互相补充,共同满足先进半导体器件工艺需求。公司构建的以原子层沉积（ALD）技术为核心,化学气相沉积（CVD）等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系,能够满足客户芯片新功能、新架构和新材料的制程需要,提供多场景全方位的新工艺和新设备的解决方案。（1）iTronixMTP系列硬掩膜是集成电路领域应用广泛的工艺之一,尤其是无定形碳沉积的硬掩膜,属于其中最为先进和有技术难度的部分之一,通常由PECVD制备。无定形碳作为硬掩模材料具有多项先进特性,如高度的蚀刻选择性、低反射性、热稳定性和机械强度,这些特性使得碳硬掩模成为半导体制造技术中不可或缺的材料,能够满足高图形密度、高深宽比等复杂结构薄膜沉积的需求。针对客户对于沉积高蚀刻选择性硬掩膜材料的需求,公司开发了iTronixMTP系列产品。该系列产品适用于存储、逻辑等领域的硬掩模工艺,具备沉积无定形碳薄膜的能力。相关技术成功突破我国半导体设备领域关键技术,实现了高蚀刻选择比、高深宽比孔硬掩膜沉积设备的研发、制造与产业化,进一步巩固了公司在高端薄膜沉积设备领域的优势。报告期内,该系列中适用于高温领域的高端产品已取得批量验收,成为公司又一重要规模量产产品,并持续获得批量订单。未来该系列产品的目标是覆盖全温阈、全工艺（各类化学源）、全应用（逻辑、DRAM、3DNAND）的碳薄膜领域。iTronixMTP:国内首批成功应用并获得批量订单的高温无定形碳CVD设备（2）iTronixPE系列PECVD（等离子体增强化学气相沉积）是CVD设备中应用最广泛的设备类型之一,广泛用于制备各类常用膜层材料。由于其普适性且国产化率仍相对较低,常用国产PECVD设备市场需求依然十分广阔。相比于其他系列产品,用于制备常用膜层材料的PECVD设备技术路线较为成熟,在工艺应用中仍然发挥着不可或缺的作用,可与其他技术路线相互补充,共同满足客户多样化的需求。为满足客户和市场需求,同时与公司其他半导体薄膜沉积设备形成配套的技术解决方案,公司开发了iTronixPE系列产品。该系列产品主要面向应用范围更普适、技术路线更成熟的常用膜层材料（SiO2、SiN、SiON、a-Si等）。报告期内,该系列产品已通过多家客户的产品性能测试,处于样机测试阶段。iTronixPE:满足常规膜层CVD设备的需求,形成工艺整体解决方案（3）iTronixLP系列LPCVD是CVD设备中应用较多的设备类型之一,其与常压的CVD相比,具有较佳的阶梯覆盖能力,成膜质量好,依靠加热设备作为热源来维持反应的进行,降低了颗粒污染源等特点,在特定关键工艺环节具有不可替代的作用。为满足客户对关键工艺的需求,公司开发了iTronixLP系列产品。该系列产品可满足SiGe、poly-Si、dopeda-Si等薄膜沉积工艺的需求。报告期内,该系列产品已在关键工艺应用上取得突破。目前,该系列产品已产业化验证并获得客户重复订单。除上述三个系列外,公司半导体CVD产品还包括iTronixLTP系列低温等离子体增强化学气相沉积系统,该系列产品主要为先进封装制造领域提供薄膜沉积方案,可满足低温SiO2、SiN、SiCN等薄膜工艺的应用需求。（三）光伏领域产品的研发和产业化进展公司作为率先将ALD技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业之一,已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一,产品包括ALD、CVD和炉管等设备,覆盖了PERC、TOPCon、XBC电池、钙钛矿/钙钛矿叠层电池等技术路线。公司设备在光伏产品生产中的具体镀膜工艺和应用领域情况如下：（1）TOPCon电池技术路线凭借较高的转换效率、相对成熟的设备与工艺、较高的量产性价比,TOPCon电池技术路线已成为光伏行业的主流技术路线,市场份额占比超过70%。公司ALD技术在TOPCon电池金字塔绒面正面Al2O3钝化层制备上具有显著的技术优势,自产业化应用以来一直保持着领先地位。根据光伏行业协会的统计,公司ALD设备在TOPCon细分应用领域中累计市场占有率在国内同类型业务企业中位居第一。同时,公司也在持续丰富产品矩阵,为客户提供具有竞争力的ALD、PECVD、PEALD、扩散退火等多种定制化产品和TOPCon整线工艺解决方案,目前已实现了对TOPCon产线真空类设备的全覆盖。报告期内,公司针对TOPCon电池技术路线的另一大核心产品管式PE-Tox+PE-Poly设备（隧穿氧化及掺杂多晶硅层）进入规模量产阶段。根据光伏行业协会的统计,公司累计市场占有率在国内同类型业务企业中位居前三且在全球同类型业务企业中位居领先地位。公司在TOPCon整线工艺技术上持续创新,电池转换效率不断突破,目前已升级至SMARTAEP®TOPCon3.0版本,进一步巩固了在TOPCon技术领域的领先地位。在现有产品升级的同时,公司直击行业痛点,在半片电池边缘钝化技术领域取得突破,自主研发应用于光伏半片电池领域的边缘钝化2.0新技术设备已发往客户现场进行验证,攻克了该应用绕镀问题的技术瓶颈,为TOPCon电池制造环节的提效降本提供了强有力的技术支持。（2）XBC、钙钛矿、钙钛矿叠层电池等新型高效电池技术路线XBC、钙钛矿、钙钛矿叠层等新型电池技术凭借更高的理论光电转换效率,随着成本的逐步下降和技术的逐步完善,有望成为光伏电池新建产能的另一大方向。通过持续研发和市场扩展,公司在XBC、钙钛矿及钙钛矿叠层等电池技术领域均已建立了完善的技术储备、能够覆盖电池生产整线的关键工艺设备,产品已取得订单并出货至客户端。XBC电池技术路线基本沿袭了TOPCon钝化工艺,且单GW产线的ALD设备使用量有所提升。根据光伏行业协会的统计,公司ALD设备在XBC细分应用领域中累计市场占有率在国内同类型业务企业中位居第一。报告期内,公司应用于XBC电池的ALD设备新增了头部客户订单。此外公司还开发了应用于XBC电池的高产能LPCVD设备,并已成功发货至行业头部客户产线进行验证。钙钛矿、钙钛矿叠层电池作为下一代光伏发电技术路线,具有光电转换率高、材料成本低、应用场景广等特点,近年来产业化进展迅速。报告期内,公司应用于钙钛矿/钙钛矿叠层电池的ALD设备在客户端开展产业化验证,并获得多家客户重复订单,助力该领域头部客户持续刷新钙钛矿组件新的纪录。针对钙钛矿电池空穴传输层、钝化层、电极层专用的磁控溅射设备,以及电子传输层专用的蒸镀设备也首次出货至客户端,实现了对MW级钙钛矿电池整线主要工艺设备的覆盖。（四）其他新兴应用领域产品的研发和产业化进展除在半导体和光伏领域外,公司还持续在新兴领域进行前沿化开发,为公司未来发展创造更多收入增长极。目前,公司已在光学、柔性电子、车规级芯片等几个极具市场潜力的高端薄膜沉积技术应用领域进行产业化验证。相应产品包括应用于柔性电子领域的iSparol系列卷对卷原子层沉积系统和应用于光学领域的iOptomic系列原子层沉积系统。目前新兴领域的订单量较小,但受益于柔性电子和精密光学器件等市场需求增加和技术迭代升级,新兴领域高端薄膜沉积技术的应用前景十分广阔。（五）研发投入和知识产权保护方面报告期内,公司坚持自主创新,持续加大研发投入,加快半导体设备的产品布局,迭代发展新一代光伏电池技术路线。2022年-2024年,公司研发投入分别为13,839.54万元、30,814.00万元和41,909.38万元,最近三年累计研发投入近86,562.92万元,多年来保持高比例研发投入,其中超过60%投入半导体领域。公司半导体领域研发重点包括逻辑、存储、新型显示器、化合物半导体等项目；光伏领域研发重点包括TOPCon、XBC、钙钛矿/钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术等项目。在持续强化技术壁垒的同时,公司高度重视技术保护工作,完善专利布局。报告期内,公司新增专利申请及授权数量再创新高。其中,新增各类型国家专利授权共计49项,累计授权专利数达到178项,新增申请专利共计252项,累计申请专利数达到613项。（六）制造供应和运营管理能力建设公司在生产制造、供应链管理、质量管理、研发质量和系统工程等方面多举措优化提升。在生产制造方面,半导体制造和光伏制造全面实行模块化生产、均衡生产等精益生产理念,实施全面的数字化管理,实现了生产计划排程、生产进度实时分析、生产资源有效分配、产品质量安全追溯等,有效降低运营成本。供应链管理方面,面对国际贸易局势变动导致的全球产业链调整,公司进一步加强了在需求预测、库存管理和供应商管理等方面的运营,构建完善稳定的全球供应链体系,通过战略性采购、联合开发、增加供应商储备等方式维护供应链的可持续性,保证核心部件的可控性。在质量管理方面,公司对供应商管理系统进行了升级,新增了质量管理模块,规范了供应商反馈渠道,有效提升了处理效率和问题追溯性,减少了因沟通不畅导致的质量问题。针对关键OEM部件的质量问题,公司成立了专项团队,通过一系列技术手段和管理措施,显著降低了设备故障率,推动了客户设备的顺利验收,避免了高额的维修和更换成本。同时,公司通过原材料选型优化,显著降低了产品成本,进一步提升了产品的市场竞争力。在研发质量提升方面,公司制定了OEM部件选型标准流程,从性能、交付和成本等多个维度进行综合评估,选型最优的OEM部件,有效规避了选型风险,提升了整机设计质量。此外,公司还开发了质量综合看板和人员能力矩阵,并计划进一步推进供应商能力矩阵和研发质量系统的开发,在2025年完成多个系统质量模块的整合,实现质量信息的实时整合与共享,提高协同效率。在系统工程推进方面,公司针对产业链核心客户专项问题,成立了专项团队进行集中攻关,成功提升了设备运行效率,并获得了客户重复订单,增强了团队的战斗力和公司的市场声誉。同时,公司上线了PLM项目,推动了产品研发设计管理向数字化、智能化方向发展,缩短了产品开发周期,提升了产品设计水平和创新能力,搭建了产品研发项目管理平台,实现了对研发项目的全面管理。（七）人才队伍建设公司秉承“以客户为中心,为员工谋福祉”的价值观,为每一位员工提供完备的福利、培训、激励计划,旨在激发员工潜能,助力其职业成长。在人才培养方面,公司实施了多元化的培训机制,覆盖不同专业领域、职级和个人发展阶段,确保每位员工都能获得与其职业发展相匹配的培训资源。在人才激励方面,公司制定了系统化的人才激励机制,通过具有行业竞争力的薪酬福利、透明规范的晋升通道和长效共享的股权机制,持续激发人才创新活力。报告期内,公司完成了2023年限制性股票激励计划首次授予第一批次的归属以及预留授予工作,共归属登记第二类限制性股票322.2770万股,归属人数293人；共授予预留限制性股票356.42万股,授予人数295人,通过极具吸引力的股权激励计划与员工共享企业发展的经营成果。（八）ESG管理体系的建设公司高度重视ESG工作,在深耕主业、努力提升经营业绩的同时,将ESG理念深度融入公司战略和日常运营,积极履行国家生态文明建设的企业责任、持续为社会创造价值、不断提升公司治理水平。凭借卓越的绿色发展实践,公司荣获2024年度无锡市绿色工厂殊荣。报告期内,公司董事会全力支持并推动ESG相关工作,高度重视ESG议题的识别和管理。通过建立重要性议题评估流程图,全面梳理公司可持续发展工作要点与各利益相关方的反馈,对标行业热点与领先实践,参考资本市场ESG评级等相关评估要素,结合国内外可持续发展信息披露相关指引和目标,划定议题范围,识别ESG重要议题。报告期内,公司共筛选出七项重要性议题。同时,严格遵守证监会和上交所关于加强企业ESG实践的监管要求,督导公司ESG实践和首份ESG报告的信息披露工作,对识别的ESG重要议题进行重点披露,回应利益相关方关切和期望。