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中微公司 - 688012.SH

中微半导体设备(上海)股份有限公司
上市日期
2019-07-22
上市交易所
上海证券交易所
保荐机构
海通证券股份有限公司
企业英文名
Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China
成立日期
2004-05-31
注册地
上海
所在行业
专用设备制造业
上市信息
企业简称
中微公司
股票代码
688012.SH
上市日期
2019-07-22
大股东
上海创业投资有限公司
持股比例
14.93 %
董秘
刘方
董秘电话
021-61001199
所在行业
专用设备制造业
会计师事务所
普华永道中天会计师事务所(特殊普通合伙)
注册会计师
张炜彬;胡玉琢
律师事务所
上海市锦天城律师事务所
企业基本信息
企业全称
中微半导体设备(上海)股份有限公司
企业代码
913101157626272806
组织形式
地方国有企业
注册地
上海
成立日期
2004-05-31
法定代表人
GERALD ZHEYAO YIN(尹志尧)
董事长
尹志尧(GERALD ZHEYAO YIN)
企业电话
021-61001199
企业传真
021-61002205
邮编
201201
企业邮箱
IR@amecnsh.com
企业官网
办公地址
上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
企业简介

主营业务:半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售

经营范围:研发、组装集成电路设备、泛半导体设备和其他微观加工设备及环保设备,包括配套设备和零配件,销售自产产品。提供技术咨询、技术服务。(不涉及国营贸易管理商品,涉及配额、许可证管理商品的,按照国家有关规定办理申请;依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动。)

中微半导体设备(上海)股份有限公司(证券简称“中微公司”,证券代码“688012”)是一家以中国为基地、面向全球的微观加工高端设备公司,为集成电路和泛半导体行业提供极具竞争力的高端设备和高质量的服务。

中微开发的等离子体刻蚀设备和化学薄膜设备是制造各种微观器件的关键设备,可加工微米级和纳米级的各种器件。

这些微观器件是现代数码产业的基础,它们正在彻底改变人类的生产方式和生活方式。

中微总部位于上海,聚焦亚洲,并为全球的客户提供技术和设备的解决方案。

作为制造和创新的中心,中国和亚洲具有得天独厚的优势和高速成长的市场,而这使中微有无限广阔的发展前景。

在中微员工的创新激情、多年的齐心奋斗和合作共赢的精神指引下,中微已经成为一家快速成长的微观加工设备公司,在技术创新、产品优化和市场准入方面取得了重大突破,赢得了众多客户和供应厂商的信任和支持,成为国际半导体微观加工设备产业极具竞争力的一颗新星。

商业规划

数码产业已成为国民经济发展的重要引擎,而作为数码产业的基石,加工集成电路和各种微观器件的半导体设备产业,正成为备受关注的硬科技领域。

作为国内外半导体高端设备的领先公司,中微公司迎来了快速发展机遇。

中微公司的主打产品等离子体刻蚀设备和薄膜沉积设备是除光刻机以外的核心微观加工设备,具有制程步骤最多、工艺过程开发难度最高的特点。

微观器件的不断缩小推动了器件结构和加工工艺的变化。

存储器件从平面2D到立体3D架构的转换,显著提升了等离子体刻蚀和薄膜沉积工艺的关键性,相应设备的需求量大大增加。

同时,光刻机由于波长的限制,更小的微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜沉积设备的组合“二重模板”和“四重模板”工艺技术来加工,刻蚀机和薄膜设备的重要性和市场空间持续提升,相关设备市场的年平均增长速度远高于其他种类的设备,为中微公司带来了强劲增长动力。

此外,随着半导体工艺节点持续缩小,量检测设备需满足更高精度要求,推动该设备市场快速增长,已成为占半导体前道设备总市场约13%的第四大设备门类。

量检测设备主要涵盖光学量检测设备和电子束量检测设备。

中微公司于2024年新发起设立了超微公司,重点开发电子束量检测设备等,公司将通过多种方式扩大对多门类量检测设备的市场参与和产品覆盖。

在集成电路产业飞速发展的浪潮中,中微公司站在先进制程工艺发展的最前沿,以高端半导体设备为核心,坚持技术的创新、产品的差异化和知识产权保护的基本原则。

凭借强有力的研发团队和深厚的客户关系,公司不断开发出具有市场竞争力的设备并快速进入市场;同时,中微公司将整合产业链上下游和相关资源作为另一发力点,积极考虑投资和并购,推动公司更快发展。

预计未来五到十年,中微公司将通过自主研发以及携手行业合作伙伴,覆盖集成电路关键领域超过60%的设备市场。

近年来泛半导体产业的发展也非常迅猛。

三五族化合物半导体器件,如照明和显示屏所用的发光二极管、氮化镓和碳化硅功率器件等市场发展极快。

这些器件所需的MOCVD设备是重要的关键设备。

与集成电路需要很多种设备、上千步循环的制造工艺不同,制造三五族化合物器件主要靠MOCVD设备实现,而且该设备的大部分市场集中在中国大陆。

中微公司瞄准世界科技前沿,持续践行三维发展战略,聚焦集成电路关键设备领域,扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会,推进公司实现高速、稳定、健康、安全发展。

公司坚持以市场和客户需求为导向,积极应对复杂形势,继续加大研发投入和业务开拓力度,推动以研发创新为驱动的高质量增长策略,抓住重点客户扩产投资机会,推进订制化、精细化生产模式,公司在刻蚀设备、薄膜沉积设备、MOCVD设备等设备产品研发、市场布局、新业务投资拓展等诸多方面取得了较大的突破和进展,产品不断获得海内外客户的认可,为公司持续健康发展提供了有力支撑。

公司同时兼顾外延性发展,在聚焦公司核心业务集成电路设备的同时积极探索布局包括健康领域在内的新业绩增长点,子公司中微惠创、中微汇链、芯汇康及公司参与投资的标的公司在各自细分领域取得了卓有成效的进展。

公司位于南昌的约14万平方米的生产和研发基地、在上海临港的约18万平方米的生产和研发基地已投入使用,产能大幅提升;上海临港滴水湖畔约10万平方米的总部大楼暨研发中心也在顺利建设;为确保今后十年有足够的厂房,并保障众多新产品研发和产能高速增长的需求,公司规划将在广州增城区及成都高新区建造新的生产和研发基地。

(图:中微南昌生产和研发基地项目整体航拍图)(图:上海临港生产和研发基地项目整体航拍图)报告期内公司持续提升综合竞争力,在技术进步、业务发展、业绩增长、规范治理等方面不断向国际先进水平的方向努力,实现公司高速、稳定、健康、安全发展。

报告期内重点任务完成情况报告期内,公司在研发创新、知识产权体系建设、生产经营、外延式生长等方面取得了积极成果:1、产品研发及客户拓展方面公司坚持自主创新,产品布局及技术研发面向世界科技前沿。

报告期内,公司继续保持较高的研发投入,与国内外一流客户保持紧密合作,相关设备产品研发进展顺利、客户端验证情况良好,在部分关键客户市场占有率稳步提升。

2025年上半年公司研发投入总额14.92亿元,较上年同期增加53.70%,研发投入总额占营业收入比例为30.07%。

公司目前在研项目涵盖六类设备,包含多个关键制程工艺的核心设备开发。

公司积极参与有影响力的市场活动,不断强化公司技术和品牌优势。

报告期内,公司发挥产品性能、技术及销售服务竞争优势,持续深化同海内外客户的业务合作,以更好的市场形象和更专业的服务为客户提供产品解决方案。

在持续改善量产机台的运行时间和生产效率的同时,研发团队和客户紧密合作,进行更多的关键制程工艺开发和验证,进一步提高产品的技术先进性和市场竞争力,拓宽机台的生产能力并赢得更多的量产机会。

公司主要产品的进展情况如下:(1)CCP刻蚀设备公司CCP刻蚀设备中双反应台机型PrimoD-RIE、PrimoAD-RIE、PrimoAD-RIE-e和单反应台机型PrimoHD-RIE等产品已广泛应用于国内外一线客户的生产线,用于高精度高选择比刻蚀工艺的单反应台产品PrimoHD-RIE和用于超高深宽比刻蚀工艺的PrimoUD-RIE持续获得客户订单,其中PrimoHD-RIE在2025年上半年累计装机超过120个反应台,PrimoUD-RIE累计装机接近200个反应台。

截至2025年上半年,CCP刻蚀设备累计装机量超过4500个反应台,较2024年同期增长超过900个反应台。

其中,双反应台刻蚀产品凭借独特设计,为成熟和先进技术节点的客户提供了均衡的解决方案,持续获得批量订单,截至2025年上半年累计装机突破了3300个反应台。

单反应台产品近年来在关键工艺取得持续突破,截至2025年上半年累计装机接近1200个反应台。

公司的刻蚀产品已经对28纳米以上的绝大部分CCP刻蚀应用和28纳米及以下的大部分CCP刻蚀应用形成较为全面的覆盖。

针对28纳米及以下的逻辑器件生产中广泛采用的一体化大马士革刻蚀工艺,公司开发的可调节电极间距的CCP刻蚀机PrimoSD-RIE已进入国内领先的逻辑芯片制造客户端进行验证,目前电性验证已经通过,并且在多个客户通过了器件可靠性的测试。

PrimoSD-RIE也已经进入28纳米以下的研发线,就多项关键刻蚀工艺开展现场研发工作。

针对28纳米以下和存储器件工艺中广泛用到的晶边刻蚀,公司推出了12英寸晶边刻蚀设备PrimoHalona。

该设备采用具有中微公司特有的双反应台设计,可配置最多三个双反应台,同时处理六片晶圆,在保证较低生产成本的同时,实现更高的产出密度和生产效率。

此外,设备腔体搭载Quadra-arm机械臂,其操控精准灵活,腔体内部采用抗腐蚀材料设计,可抵抗卤素气体腐蚀,提供了更强的设备稳定性与耐久性。

在存储器件制造工艺中,公司的产品已覆盖存储器件制造中的绝大部分应用。

公司针对超高深宽比刻蚀工艺(深宽比60:1)自主开发的PrimoUD-RIE,该设备具有超大功率的60MHz和400kHz射频馈入,并且配备了国际首创的主动边缘阻抗调节系统,该系统具有完全自主的知识产权,目前已大规模应用于先进的存储器件生产线。

PrimoUD-RIE在大规模量产场景下的可靠性持续得到验证,各项量产指标也在不断提升。

针对超高深宽比工艺的未来发展趋势,公司积极布局超低温刻蚀技术,在超低温静电吸盘技术和新型刻蚀气体研究上投入大量资源,以满足超高深宽比刻蚀技术迭代的需求。

(2)ICP刻蚀设备报告期内,公司的ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3DNAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上大规模量产,并继续验证更多ICP刻蚀工艺。

截至2025年上半年,ICP刻蚀设备累计装机量超过1200个反应台。

报告期内,公司NanovaLUX-Cryo在客户端认证通过,并取得重复订单。

与此同时,下一代ICP刻蚀设备PrimoNanova3G在实验室已经完成Alpha反应腔的搭建,正展开反应腔体表征。

公司ICP双台机机型PrimoTwin-Star则在海内外客户的逻辑芯片、功率器件、微型发光二极管Micro-LED、AR和VR智能眼镜用的超透镜(Metalens)等特色器件的产线上实现量产,并取得重复订单。

报告期内,公司8英寸和12英寸深硅刻蚀设备PrimoTSV200E、PrimoTSV300E在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时,在12英寸3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证,并获得在欧洲客户12英寸微机电系统芯片产线上进行机台认证的机会,这些新工艺的验证为公司PrimoTSV300E刻蚀设备拓展了新的市场。

公司PrimoMenova™12寸金属刻蚀设备全球首台机顺利付运国内一家重要集成电路研发设计及制造服务商,开始现场验证。

公司根据客户和市场技术发展需求,有序推进更多先进ICP刻蚀技术研发,为推出下一代ICP刻蚀设备进行技术储备,以满足新一代的逻辑、DRAM和3DNAND存储等芯片制造对ICP刻蚀的需求。

(3)MOCVD设备报告期内,公司用于蓝光照明的PRISMOA7、用于深紫外LED的PRISMOHiT3、用于Mini-LED显示的PRISMOUniMax等产品持续服务客户,公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。

其中PRISMOUniMax产品自2021年6月正式发布以来,凭借其高产量、高波长均匀性、高良率等优点,受到下游客户的广泛认可,在Mini-LED显示外延片生产设备领域处于国际领先。

(图:PRISMOUniMaxMOCVD设备)公司于2023年底付运Micro-LED应用的设备样机PreciomoUdx至国内领先客户开展生产验证。

报告期内样机验证顺利,满足客户小批量生产要求,并已取得客户重复订单。

(图:PreciomoUdxMOCVD设备)公司紧跟市场发展趋势,积极拓展MOCVD设备的应用范围;已启动用于红黄光LED的MOCVD设备开发,目前开发进展顺利,实验室测试已实现优良的波长均匀性。

报告期内,公司已付运首台红黄光LED专用的MOCVD设备至国内领先客户开展生产验证。

随着电动汽车、消费电子、人工智能、风力与光伏储能和轨道交通等应用的快速发展,市场对氮化镓和碳化硅功率器件的需求呈现爆发式增长。

公司在氮化镓LED外延装备的领先优势基础上,进一步研发了面向硅基氮化镓异质外延功率器件的专用设备。

公司于2022年推出了用于氮化镓功率器件生产应用的MOCVD设备PRISMOPD5,目前已交付客户进行生产验证,并取得了重复订单。

除此之外,公司正在开发新一代氮化镓功率器件应用的MOCVD设备,将进一步提升设备性能,降低客户生产成本,持续提升公司在氮化镓基MOCVD设备领域的竞争力,并尽快付运样机至客户端进行验证。

报告期内,公司在碳化硅功率器件外延生产设备的开发取得较大的技术进展,实现了优良的工艺结果,正与多家领先客户开展商务洽谈,并持续推进样机在国内领先客户端开展生产验证。

(4)薄膜沉积设备研发中微公司已开发出六款薄膜沉积产品并推向市场。

公司钨系列薄膜沉积产品:CVD(化学气相沉积)钨设备,HAR(高深宽比)钨设备和ALD(原子层沉积)钨设备,可覆盖存储器件所有钨应用。

该系列设备均已通过关键存储客户端现场验证,满足先进存储应用中所有金属互联应用(包含高深宽比金属互联应用)及三维存储器件字线应用各项性能指标,并获得客户重复量产订单。

同时,公司钨系列产品也可满足先进逻辑客户钨接触孔应用性能需求,已付运机台到多个逻辑客户,验证顺利推进中,为进一步积累市场优势打下基础。

同期,公司开发出应用于先进逻辑器件的金属栅系列产品:ALD氮化钛,ALD钛铝,ALD氮化钽产品,已完成多个先进逻辑客户设备验证,在满足先进逻辑客户性能需求的同时,设备的薄膜均一性,污染物控制和生产效率均达到世界先进水平。

该系列设备已付运到先进逻辑客户端进行验证,核准推进顺利。

其中,ALD氮化钛薄膜也是先进存储器件中钨填充阻挡层和粘结层的主要选择,公司开发的ALD氮化钛设备可满足先进存储器件高深宽比及三维结构的台阶覆盖率需求及各项性能指标,并已通过多个关键存储客户的样品验证,有利于进一步扩大市场规模。

中微公司在现有的金属CVD和ALD设备研发基础上,同步推进多款CVD和ALD设备开发,增加薄膜设备的覆盖率和市场占有率。

公司的薄膜沉积设备采用独特的双腔设计,每个腔体可独立进行工艺调节,保证产品性能的同时,大幅提高了生产效率,降低了材料成本。

设备采用中微独立自主的IP设计,确保了更优化的产品性能,也保障了产品未来的可持续迭代升级。

公司EPI设备研发团队,通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈,已经开发出具有自主知识产权及创新的平台,预处理和外延反应腔,目前公司减压EPI设备已顺利付运成熟制程客户进行量产验证,并已经进入先进制程工艺验证和客户验证阶段;新一代高选择比预清洁腔体满足先进工艺的需求,已顺利付运先进制程客户端,进入工艺验证和客户验证阶段;常压外延设备现已完成开发,进入工艺调试阶段;常压EPI设备已完成开发,进入工艺验证阶段。

(5)净化设备子公司中微惠创利用分子筛的吸附原理的化学反应器,开发制造了工业用大型净化设备。

设备可根据客户的要求灵活配置不同处理规模的系统,提供给客户可靠、稳定、安全和节能的净化解决方案。

中微惠创与德国DAS环境专家有限公司签订战略合作协议后,双方秉承协议内容按计划实施,在半导体行业尾气处理设备领域展开紧密的合作,目前已经生产制造的净化设备顺利地应用在各个客户端,共同推动环保科技行业的发展。

此外,中微惠创还在积极探索新能源领域的相关研究。

(图:净化设备)(6)分布式生态工业互联网平台子公司中微汇链基于多年来在中微公司沉淀的业务管理经验以及在高科技制造领域多家企业的数字化服务实践经验,研发和推广数字化运营体系及产品,专注服务以集成电路为代表的高科技制造行业与行业内企业。

汇链推出的“We”系列数字化产品不仅全面提升企业从研发、制造,到质量、售后的管理能力,还助力企业融入产业生态,全面参与产业协作体系,推动本土制造产业培育更多“专精特新”和单项冠军企业。

汇链还为高科技制造产业打造企业间协同互信、资源共享的生态型平台We-Linkin。

目前,中微汇链产品体系已涵盖超80个场景应用、超900项微服务。

中微汇链为国家信通院“星火链网”半导体骨干节点技术建设单位、上海市工业互联网协会首批理事单位、上海及苏州等多地中小企业数字化转型城市试点服务商、中国产业区块链企业50强,并代表中微公司成为上海市与上海浦东新区集成电路产业数字化转型“链主”培育企业并行使具体职责;入选2025年上海”工赋软件精选101“名单;获得上海市质量管理数字化转型案例十佳案例、工赋新质-上海市工业互联网创新发展实践案例等奖项;并参与制定《区块链服务基于区块链的去中心化标识(DID)技术要求》、《区块链服务数字孪生开发平台技术规范》等多项数字化领域团体标准。

报告期内,公司研发方向和产品符合市场趋势和需求,与产业发展深度融合。

各产品的研发成果均取得行业主流客户的认可,客户验证情况良好,巩固了公司产品的竞争优势。

2、生产基地建设公司位于南昌的约14万平方米的生产和研发基地、在上海临港的约18万平方米的生产和研发基地已投入使用,产能大幅提升;上海临港滴水湖畔约10万平方米的总部大楼暨研发中心也在顺利建设;为确保今后十年有足够的厂房,并保障众多新产品研发和产能高速增长的需求,公司规划将在广州增城区及成都高新区建造新的生产和研发基地。

3、供应保障方面公司在需求预测、库存管理和供应商管理三方面建立了动态协调机制,使生产所需的零部件原材料能够高效流转。

公司持续开发关键零部件的供应商,非常重视零部件的国产化工作。

公司建立了高效的库存管控体系,设置合理的库存警戒线,以加快存货周转。

随着智能工厂项目和精益管理的持续推进,人员效率和人均产能将稳步提升,制造成本更富竞争力。

同时,公司深入强化质量管理体系建设,增强员工质量意识,产品质量缺陷数量呈逐年下降态势。

4、营运管理方面公司在营运管理中采用关键指标管理,尤其在生产管理、材料管理、客户技术支持和设备运行表现方面设定了一系列的关键考核指标,覆盖了质量、效率、成本和安全等众多方面。

公司定期跟踪各项指标的执行情况,并根据统计结果和客户反馈,制定出关键指标的改进要求。

报告期内,公司营运效率持续提高,设备交付按时率保持在较高水准、物料成本控制等指标达到预期水平。

5、知识产权保障方面公司高度重视科技创新和知识产权保护工作。

报告期内,公司新增专利申请130项,其中发明专利85项。

截至2025年6月30日,公司已申请3038项专利,其中发明专利2507项;已获授权专利1901项,其中发明专利1593项。

公司鼓励创新,组织开展优秀专利奖项的评选活动,着重奖励在产品创新方面取得杰出成效的员工。

2025年1月9日,公司和南昌中微共同拥有的发明专利“一种化学气相沉积装置及其清洁方法”(专利号:ZL201510218357.1)荣获第二十五届中国专利奖银奖。

中国专利奖是我国专利领域的最高荣誉,由国家知识产权局和世界知识产权组织联合主办,旨在鼓励和表彰专利权人和发明人对技术创新及经济社会发展所作出的突出贡献。

至此,中微公司已荣获中国专利奖2项金奖、1项银奖和3项优秀奖,这标志着中微公司在技术创新和知识产权保护方面所取得的卓越成就。

6、人才建设方面公司视员工为最宝贵的资产,致力于为员工提供广阔的职业发展空间,构建专业线、管理线发展双通道,并设计了针对不同发展阶段,包括从入职、成长到成熟,形式多样的职业规划,拓展人才发展渠道,无论普通员工,还是高管团队均能获得充分的发展机会。

同时,公司践行“五个十大”的公司文化,打造赋能型、人性化、全员参与式的学习氛围,不断激发员工活力,助力员工实现自身职业理想,与企业共同成长发展。

报告期内,公司进一步拓宽人才吸引渠道,从国内外吸引了行业经验丰富的管理及技术人才,并从知名院校中挑选了一批优秀的毕业生,公司2025年上半年新入职员工278人。

公司注重激发组织和员工活力,组织开展多项深入的专题培训、学习交流,涵盖工程技术、战略商务、运营管理、财会金融、人工智能和人才发展六大学习版块,有力促进培养组织需要的技能,提升组织及人员竞争力,建立学习型组织文化氛围。

公司持续优化人才绩效评估体系及人才晋升机制,使得优势资源更进一步向高绩效员工倾斜。

2025年6月10日,公司向2458名激励对象授予1000万股限制性股票。

公司持续优化人才梯队,为业务可持续发展提供人才保障。

7、外延式发展方面公司不断践行外延式发展策略,公司下属的中微汇链、中微惠创、芯汇康在新业务拓展领域取得了良好的进展,得到了市场和用户的认可。

公司同时积极探索在相关领域的投资机会,公司诸多参股投资的公司营运表现良好,形成了良好的产业链协同效应。

8、内部治理方面公司建立了较为完善的公司内控制度和公司治理结构,报告期内持续完善公司治理机制,强化风险管理和内部控制,严格贯彻执行相关制度,切实保障公司和股东的合法权益,为企业持续健康发展提供坚实基础。

9、信息披露及防范内幕交易方面公司严格遵守法律法规和监管机构规定,严格执行公司信息披露管理制度,真实、准确、完整、及时、公平地履行信息披露义务,通过上市公司公告、投资者交流会、业绩说明会、上证e互动、电话、邮件等诸多渠道,与投资者保持有效沟通,并确保信息披露的合规。

报告期内,公司荣获“2024新财富杂志最佳上市公司”、证券时报“最受机构青睐(科创板)上市公司TOP5榜单”、中国证券报“金牛上市公司科创奖”、证券时报“第十六届投资者关系管理天马奖”等多个奖项。

公司高度重视内幕交易防范,做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。

对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育,敦促董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守买卖股票规定。

发展进程

发行人前身中微有限,系由中微亚洲出资设立,设立时为外商独资企业。

2004年5月18日,上海市张江高科技园区领导小组办公室向中微有限出具《关于中微半导体设备(上海)有限公司设立的批复》(沪张江园区办项字(2004)264号),同意中微亚洲投资设立中微有限,注册资本2,000.00万美元,其中注册资本以美元现汇出资1,300.00万美元,占注册资本的65%;以相关专利技术作价700.00万美元,占注册资本的35%。

2004年5月19日,上海市人民政府核发《中华人民共和国外商投资企业批准证书》(商外资沪张独资字[2004]1574号)。

2004年5月31日,中微有限完成工商注册并取得上海市工商行政局浦东新区分局核发的注册号为“企独沪浦总字第318810号(浦东)”的《企业法人营业执照》。

根据上海申洲会计师事务所有限公司于2004年7月23日、2004年8月28日、2004年10月20日、2005年2月25日、2005年8月19日和2006年1月18日出具的沪申洲(2004)验字第534号、沪申洲(2004)验字第586号、沪申洲(2004)验字第670号、沪申洲(2005)验字第105号、沪申洲(2005)验字第478号、沪申洲(2006)验字第028号验资报告,截至2005年12月8日止,中微亚洲已向中微有限足额缴纳设立时的全部出资,其中700.00万美元为无形资产出资。

2005年10月28日,上海科华资产评估有限公司出具《有关“等离子刻蚀和化学薄膜沉积半导体制成设备技术”无形资产评估报告书》(沪科华评报字(2005)第088号),确认以2005年6月30日作为评估基准日的该项无形资产的公允价值为7,830.00万元,折合946.00万美元。

2018年9月10日,立信评估出具《AdvancedMicro-fabricationEquipmentInc.Asia拥有的“等离子刻蚀和化学薄膜沉积半导体制成设备技术”市场价值追溯资产评估报告》(信资评报字[2018]第20095号),确认以2005年6月30日作为评估基准日的该项无形资产的市场价值为7,600.00万元。

追溯评估确定的无形资产公允价值高于中微有限设立时的专利技术作价金额。

2018年12月18日,中微有限召开董事会会议,同意以2018年7月31日为基准日,将中微有限整体变更为外商投资股份有限公司。

2018年12月20日,中微有限股东上海创投、巽鑫投资等签订《关于中微半导体设备(上海)有限公司整体变更设立外商投资股份有限公司的发起人协议书》,中微有限以2018年7月31日为基准日经普华永道审计的账面净资产1,818,997,862.62元按1:0.2474的比例折合成股本450,000,000股,剩余部分转作资本公积,整体变更后股份公司的注册资本为450,000,000.00元,股份面值为每股1元。

2018年12月21日,上海金桥出口加工区(南区)管理委员会对本次整体变更予以备案。

2018年12月21日,公司在上海市工商行政管理局办理了工商变更登记。

2019年3月7日,普华永道出具验资报告(普华永道中天验字(2019)第0099号,确认截至2018年12月21日,发行人之股东以基准日2018年7月31日经审计的净资产为基础,按1:0.2474的比例折合成股本450,000,000.00元。

股东交易

变动人 变动日期 变动股数 成交均价 变动后持股数 董监高职务
刘志强 2025-09-29 -1571 300 元 4714 核心技术人员
陳煌琳 2025-09-24 -10000 304 元 5781 核心技术人员
刘志强 2025-09-23 -2095 260 元 6285 核心技术人员
陳煌琳 2025-09-18 -5000 250.12 元 15781 核心技术人员
张凯 2025-09-17 -5000 223.6 元 0 核心技术人员
张凯 2025-08-22 -3000 212 元 5000 核心技术人员
刘志强 2025-07-31 -8380 197 元 8380 核心技术人员
尹志尧 2025-07-29 -17500 205.87 元 4159436 董事、高级管理人员、核心技术人员
尹志尧 2025-07-28 -27500 200.53 元 4176936 董事、高级管理人员、核心技术人员
尹志尧 2025-07-25 -5000 200 元 4204436 董事、高级管理人员、核心技术人员
张凯 2025-07-23 -2000 200.07 元 8000 核心技术人员
何伟业 2025-07-23 -5976 199.25 元 0 核心技术人员
陳煌琳 2025-07-23 -3000 199.24 元 20781 核心技术人员
张凯 2025-07-22 -2863 188.56 元 10000 核心技术人员
张凯 2025-07-08 -1300 183.88 元 12863 核心技术人员
何伟业 2025-06-30 -5975 180.57 元 5976 核心技术人员
陳煌琳 2025-06-18 5813 0 元 23781 核心技术人员
张凯 2025-06-18 4220 0 元 14163 核心技术人员
姜勇 2025-06-18 4186 0 元 21755 核心技术人员
刘志强 2025-06-18 5721 0 元 16760 核心技术人员
何伟业 2025-06-18 3139 0 元 11951 核心技术人员
尹志尧 2025-06-05 -20667 180.55 元 4209436 董事、高级管理人员、核心技术人员
尹志尧 2025-06-04 -24333 179.7 元 4230103 董事、高级管理人员、核心技术人员
尹志尧 2025-06-03 -15000 179 元 4254436 董事、高级管理人员、核心技术人员
何伟业 2025-05-29 -1288 173.88 元 8812 核心技术人员
陈伟文 2025-05-28 -99500 171.49 元 375500 高级管理人员
尹志尧 2025-05-28 -55000 171.62 元 4269436 董事、高级管理人员、核心技术人员
陈伟文 2025-05-27 -25000 173.43 元 475000 高级管理人员
尹志尧 2025-05-27 -5000 174.21 元 4324436 董事、高级管理人员
张凯 2025-05-14 -500 187.25 元 9943 核心技术人员
陳煌琳 2025-05-07 7175 0 元 17968 核心技术人员
张凯 2025-05-07 6746 0 元 10443 核心技术人员
姜勇 2025-05-07 7175 0 元 17569 核心技术人员
刘志强 2025-05-07 7175 0 元 11039 核心技术人员
何奕 2025-05-07 30000 0 元 30000 高级管理人员
何伟业 2025-05-07 7175 0 元 10100 核心技术人员
丛海 2025-05-07 18425 0 元 22005 董事、高级管理人员
何伟业 2025-04-23 2925 0 元 2925 核心技术人员
丛海 2025-04-23 3580 0 元 3580 董事、高级管理人员
陳煌琳 2025-04-23 3830 0 元 10793 核心技术人员
张凯 2025-04-23 3697 0 元 3697 核心技术人员
姜勇 2025-04-23 3813 0 元 10394 核心技术人员
刘志强 2025-04-23 3864 0 元 3864 核心技术人员
刘志强 2024-11-12 -5792 244.64 元 0 核心技术人员
陳煌琳 2024-11-11 -2000 236.01 元 6963 核心技术人员
姜勇 2024-10-31 -5000 186 元 6581 核心技术人员
姜勇 2024-10-23 5792 0 元 11581 核心技术人员
刘志强 2024-10-23 5792 0 元 5792 核心技术人员
陳煌琳 2024-10-09 -5000 210.04 元 8963 核心技术人员
何伟业 2024-10-09 -4864 200.26 元 0 核心技术人员
刘志强 2024-10-08 -7012 196.8 元 0 核心技术人员
姜勇 2024-09-30 -5000 163 元 5789 核心技术人员
尹志尧 2024-08-06 -100000 153.52 元 4329436 董事、高级管理人员、核心技术人员
YANG JAMES WEI 2024-08-02 -20000 160.5 元 454017 核心技术人员
NI TUQIANG 2024-08-02 -10000 161 元 764358 高级管理人员
刘志强 2024-07-31 -2000 156 元 7012 核心技术人员
YANG JAMES WEI 2024-07-31 -40000 153.5 元 474017 核心技术人员
NI TUQIANG 2024-07-31 -50000 152 元 774358 高级管理人员
陳煌琳 2024-07-18 -3500 152.93 元 13963 核心技术人员
刘志强 2024-07-18 -1000 152 元 9012 核心技术人员
YANG JAMES WEI 2024-07-18 -7355 152.5 元 0 核心技术人员
NI TUQIANG 2024-07-18 -20000 154.5 元 824358 高级管理人员
NI TUQIANG 2024-07-17 -30000 151.5 元 844358 高级管理人员
NI TUQIANG 2024-07-16 -40000 146.25 元 874358 高级管理人员
陈伟文 2024-07-01 -100000 141.07 元 500000 高级管理人员
刘志强 2024-06-21 -5363 147.6 元 10012 核心技术人员
YANG JAMES WEI 2024-06-20 -10000 152 元 514017 核心技术人员
NI TUQIANG 2024-06-20 -20000 150 元 914358 高级管理人员
陳煌琳 2024-06-19 5813 0 元 17463 核心技术人员
姜勇 2024-06-19 4186 0 元 10789 核心技术人员
刘志强 2024-06-19 5721 0 元 15375 核心技术人员
何伟业 2024-06-19 3139 0 元 4864 核心技术人员
YANG JAMES WEI 2024-06-19 7355 0 元 7355 核心技术人员
GERALD ZHEYAO YIN 2024-06-19 -68953 145.24 元 4429436 董事、高级管理人员、核心技术人员
陈伟文 2024-06-18 -54242 143.68 元 600000 高级管理人员
GERALD ZHEYAO YIN 2024-06-18 -61047 143.85 元 4498389 董事、高级管理人员、核心技术人员
YANG JAMES WEI 2024-06-11 -5000 147.06 元 0 核心技术人员
何伟业 2024-06-03 -1200 135.86 元 1725 核心技术人员
YANG JAMES WEI 2024-05-31 -3000 130.28 元 5000 核心技术人员
陳煌琳 2024-04-02 3830 0 元 11650 核心技术人员
姜勇 2024-04-02 3813 0 元 6603 核心技术人员
刘志强 2024-04-02 3864 0 元 9654 核心技术人员
何伟业 2024-04-02 2925 0 元 2925 核心技术人员
YANG JAMES WEI 2024-04-02 6500 0 元 8000 核心技术人员
YANG JAMES WEI 2024-03-21 -20000 160.28 元 524017 核心技术人员
YANG JAMES WEI 2024-03-12 -20000 156.88 元 544017 核心技术人员
YANG JAMES WEI 2024-03-05 -20000 150 元 564017 核心技术人员