中微公司 - 688012.SH

主营业务：高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售

经营范围：研发、组装集成电路设备、泛半导体设备和其他微观加工设备及环保设备,包括配套设备和零配件,销售自产产品。提供技术咨询、技术服务。(不涉及国营贸易管理商品,涉及配额、许可证管理商品的,按照国家有关规定办理申请;依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动。)

中微半导体设备(上海)股份有限公司(证券简称“中微公司”,证券代码“688012”)是一家以中国为基地、面向全球的微观加工高端设备公司,为集成电路和泛半导体行业提供极具竞争力的高端设备和高质量的服务。

中微开发的等离子体刻蚀设备和化学薄膜设备是制造各种微观器件的关键设备,可加工微米级和纳米级的各种器件。

这些微观器件是现代数码产业的基础,它们正在彻底改变人类的生产方式和生活方式。

中微总部位于上海,聚焦亚洲,并为全球的客户提供技术和设备的解决方案。

作为制造和创新的中心,中国和亚洲具有得天独厚的优势和高速成长的市场,而这使中微有无限广阔的发展前景。

在中微员工的创新激情、多年的齐心奋斗和合作共赢的精神指引下,中微已经成为一家快速成长的微观加工设备公司,在技术创新、产品优化和市场准入方面取得了重大突破,赢得了众多客户和供应厂商的信任和支持,成为国际半导体微观加工设备产业极具竞争力的一颗新星。

数码产业已成为国民经济发展的重要引擎,而作为数码产业的基石,加工集成电路和各种微观器件的半导体设备产业,正成为备受关注的硬科技领域。

作为国内外半导体高端设备的领先公司,中微公司迎来了快速发展机遇。

中微公司的主打产品等离子体刻蚀设备和薄膜沉积设备是除光刻机以外的核心微观加工设备,具有制程步骤最多、工艺过程开发难度最高的特点。

微观器件的不断缩小推动了器件结构和加工工艺的变化。

存储器件从平面2D到立体3D架构的转换,显著提升了等离子体刻蚀和薄膜沉积工艺的关键性,相应设备的需求量大大增加。

同时,光刻机由于波长的限制,更小的微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜沉积设备的组合“二重模板”和“四重模板”工艺技术来加工,刻蚀机和薄膜设备的重要性和市场空间持续提升,相关设备市场的年平均增长速度远高于其他种类的设备,为中微公司带来了强劲增长动力。

此外,随着半导体工艺节点持续缩小,量检测设备需满足更高精度要求,推动该设备市场快速增长,已成为占半导体前道设备总市场约13%的第四大设备门类。

量检测设备主要涵盖光学量检测设备和电子束量检测设备。

中微公司于2024年新发起设立了超微公司,重点开发电子束量检测设备等,公司将通过多种方式扩大对多门类量检测设备的市场参与和产品覆盖。

同时,公司于报告期内完成对众硅公司控股权的收购,完成了对化学机械抛光（CMP）设备的覆盖,实现从“干法”向“干法+湿法”整体解决方案的关键跨越。

这一整合不仅填补了上市公司在湿法设备领域的空白,更显著提升了公司在先进制程中为客户提供系统级整体解决方案的能力。

面对先进晶圆厂和先进存储厂对工艺协同性、产线稳定性与整体效率日益严苛的要求,上市公司可为客户提供高度协同的成套设备解决方案,大幅缩短工艺调试和验证周期,从而增强客户黏性,加速上市公司在主流产线的规模化渗透。

在集成电路产业飞速发展的浪潮中,中微公司站在先进制程工艺发展的最前沿,以高端半导体设备为核心,坚持技术的创新、产品的差异化和知识产权保护的基本原则。

凭借强有力的研发团队和深厚的客户关系,公司不断开发出具有市场竞争力的设备并快速进入市场；同时,中微公司将整合产业链上下游和相关资源作为另一发力点,积极考虑投资和并购,推动公司更快发展。

目前公司的五十多种设备产品已经覆盖了超30%前道集成电路设备产品,未来五年,公司将通过自主开发与外延并购,覆盖60%以上的集成电路高端设备市场和70%以上的先进封装设备市场,在规模上成为全球领先的高端设备平台型公司。

近年来泛半导体产业的发展也非常迅猛。

三五族化合物半导体器件,如照明和显示屏所用的发光二极管、氮化镓和碳化硅功率器件等市场发展极快。

这些器件所需的MOCVD设备是重要的关键设备。

与集成电路需要很多种设备、上千步循环的制造工艺不同,制造三五族化合物器件主要靠MOCVD设备实现,而且该设备的大部分市场集中在中国大陆。

中微公司瞄准世界科技前沿,持续践行三维发展战略,聚焦集成电路关键设备领域,扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会,推进公司实现高速、稳定、健康、安全发展。

公司坚持以市场和客户需求为导向,积极应对复杂形势,继续加大研发投入和业务开拓力度,推动以研发创新为驱动的高质量增长策略,抓住重点客户扩产投资机会,推进订制化、精细化生产模式,公司在刻蚀设备、薄膜沉积设备、化学机械抛光（CMP）设备、量检测设备、MOCVD设备等设备产品研发、市场布局、新业务投资拓展等诸多方面取得了较大的突破和进展,产品不断获得海内外客户的认可,为公司持续健康发展提供了有力支撑。

公司同时兼顾外延性发展,在聚焦公司核心业务集成电路设备的同时积极探索布局包括健康领域在内的新业绩增长点,子公司中微惠创、中微汇链、芯汇康及公司参与投资的标的公司在各自细分领域取得了卓有成效的进展。

为更好地完善公司的产业链布局,进一步提升公司的产能规模和综合竞争实力,公司在上海临港新片区建设中微临港产业化基地及中微临港总部和研发中心,在南昌高新区建设中微南昌产业化基地,在广州建设华南总部研发及生产基地,在成都建设成都研发及生产基地暨西南总部项目。

报告期内公司持续提升综合竞争力,在技术进步、业务发展、业绩增长、规范治理等方面不断向国际先进水平的方向努力,实现公司高速、稳定、健康、安全发展。

报告期内重点任务完成情况报告期内,公司在研发创新、知识产权体系建设、生产经营、外延式生长等方面取得了积极成果：1、产品研发及客户拓展方面公司坚持自主创新,产品布局及技术研发面向世界科技前沿。

报告期内,公司继续保持较高的研发投入,与国内外一流客户保持紧密合作,相关设备产品研发进展顺利、客户端验证情况良好,在部分关键客户市场占有率稳步提升。

2026年上半年公司研发投入约20.41亿元,同比增加约5.50亿元（增长约36.86%）,2026年上半年研发投入占公司营业收入比例约为30.51%。

公司目前在研项目涵盖六大类设备,包含多个关键制程工艺的核心设备开发。

公司积极参与有影响力的市场活动,不断强化公司技术和品牌优势。

报告期内,公司发挥产品性能、技术及销售服务竞争优势,持续深化同海内外客户的业务合作,以更好的市场形象和更专业的服务为客户提供产品解决方案。

在持续改善量产机台的运行时间和生产效率的同时,研发团队和客户紧密合作,进行更多的关键制程工艺开发和验证,进一步提高产品的技术先进性和市场竞争力,拓宽机台的生产能力并赢得更多的量产机会。

公司主要产品的进展情况如下：（1）CCP刻蚀设备公司CCP刻蚀设备中双反应台PrimoD-RIE、PrimoAD-RIE、PrimoAD-RIE-e,单反台PrimoHD-RIE等产品已广泛应用于国内外一线客户的生产线。

持续推进用于高深刻比刻蚀的PrimoUD-RIE设备的迭代,不断拓展应用场景,有效提高了该系列设备的工艺覆盖范围。

同时,公司积极开拓晶圆及先进封装及超透镜等领域,持续推进产品在多个客户端的验证,顺利取得重复订单。

公司针对超高深宽比刻蚀工艺,开发了全新的PrimoXD-RIE。

该设备采用全新腔体结构设计,适用于高腐蚀性气体和超低温刻蚀工艺,刻蚀工艺显著减少碳氟气体使用,刻蚀效率较上一代产品提升明显。

该设备还具备国内首创镜像磁场等离子体调节功能及等离子体边缘鞘层主动调节功能,可以更有效地改善深孔的刻蚀形貌,提高设备的生产稳定性。

目前,PrimoXD-RIE的Alpha机已完成实验室马拉松测试,Beta机在客户端验证顺利。

针对更加先进的7纳米及以下的逻辑器件生产中所需要的更高选择比和均匀度的接触孔,通孔以及金属掩膜大马士革工艺,开发的全新的高选择比高均匀度刻蚀设备,在实验室开展多个客户工艺开发,测试与迭代工作稳步推进,预计2026年内,运付客户端进行工艺验证。

此外,公司持续开展先进射频技术的研究,探索新的反应方式,通过多维度技术攻关,持续夯实技术储备,强化产品差异化竞争力。

（2）ICP刻蚀设备报告期内,公司的ICP刻蚀设备包括PrimoTwin-Star、PrimoNanova、PrimoMenova等产品在涵盖逻辑、DRAM、3DNAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上量产,并继续验证更多ICP刻蚀工艺。

报告期内,公司低温高深宽比ICP刻蚀设备PrimoNanovaLUX-Cryo在客户的下一代产品的产线上稳定量产。

与此同时,为应对先进节点高深宽比挑战,公司研发的下一代高精度ICP刻蚀设备的PrimoAngnova在实验室开展多个客户的工艺验证,全面满足客户的刻蚀需求,Beta机器在客户端认证顺利,并取得多个重复订单。

PrimoTwin-Star装机量快速增长,在海内外客户的逻辑芯片、功率器件、微型发光二极管Micro-LED、AR和VR智能眼镜用的超透镜（Metalens）等特色器件的产线上实现量产。

公司的PrimoMenova金属刻蚀设备,在客户端认证顺利,已投入量产。

公司开发的高选择比气相刻蚀设备PrimoDomingo,在实验室的Alpha腔上开展多个工艺验证,全面满足客户的刻蚀需求。

报告期内,公司ICP刻蚀设备类中的8英寸PrimoTSV2G200E和12英寸深硅刻蚀设备PrimoTSV2G在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时,在12英寸的3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证,并在欧洲客户12英寸微机电系统芯片产线上获得认证的机会,这些新工艺的验证为公司PrimoTSV2G刻蚀设备拓展了新的市场。

与此同时,公司针对更高金属污染和颗粒物控制要求等技术需求的第三代硅通孔刻蚀机PrimoTSV3G,取得BVR和0.15sBosch工艺验证成功。

此外,报告期内,公司根据客户和市场技术发展需求,继续推进包括方波技术,ALE技术和ALD技术在ICP等离子体刻蚀设备上的应用研发,为未来推出更多的ICP刻蚀设备做技术储备,以满足三维逻辑、三维DRAM和更多堆叠的3DNAND存储等芯片制造对更先进ICP刻蚀设备的持续需求。

（3）薄膜沉积设备研发公司开发的多款薄膜沉积产品已推向市场。

中微公司钨系列薄膜沉积产品：CVD（化学气相沉积）钨设备,HAR（高深宽比）钨设备和ALD（原子层沉积）钨设备,可覆盖存储器件所有钨应用；该系列设备均已通过关键存储客户端现场验证,满足先进存储应用中所有金属互连应用（包含高深宽比金属互连应用）及三维存储器件字线应用各项性能指标,并获得客户重复量产订单。

同时,公司钨系列产品也可满足先进逻辑器件中多道金属钨互连应用需求,已通过关键逻辑客户端现场验证,满足先进逻辑应用中各项性能指标,已获得客户重复量产订单。

此外,公司钨系列产品也通过了特殊器件客户金属钨应用现场验证。

基于公司钨系列产品独特的性能优势,已顺利完成先进逻辑、先进存储和特殊器件的现场验证,未来将进一步扩大市场占有率。

同期,公司开发出应用于先进逻辑器件的金属栅系列产品PreformaUniflash®ALD氮化钛,ALD钛铝,ALD氮化钽产品,已完成多个先进逻辑客户设备验证,可满足先进逻辑客户性能需求的同时,设备的薄膜均一性,污染物控制和生产效率均达到世界先进水平。

该系列设备已付运到多个先进逻辑客户端进行验证,已顺利通过客户现场验证。

其中,ALD氮化钛薄膜也可运用于先进存储器件中钨填充阻挡层和粘结层、先进存储及先进封装中的电容器极板等关键应用场景,公司开发的ALD氮化钛设备可满足高深宽比及三维结构的台阶覆盖率需求及各项性能指标,并已交付多个关键客户进行现场验证,有利于进一步扩大市场规模。

针对先进逻辑、先进存储器件的高选择比、低电阻金属-半导体接触层需求,公司推出了金属硅化物集成系统PreformaUniflash®,包含原位高选择性前清洁产品SA&SU,等离子体增强化学气相沉积金属钛SPTi,和原子层沉积氮化钛ALDTiN产品。

该系列产品已交付多个先进逻辑、先进存储客户,现场验证顺利推进,能够满足客户各项性能需求的同时,实现高生产效率。

中微公司金属硅化物集成系统适配先进逻辑器件中的源漏接触层,背部供电接触层及三维存储器件中的源漏接触层等关键应用场景,可以在小尺寸、高深宽比的复杂结构中实现高质量填充,在金属薄膜沉积领域中扩展了全新的市场版图,将为中微公司的持续高速增长提供更充足的空间。

公司的薄膜沉积设备采用独特的双腔设计,每个腔体可独立进行工艺调节,保证产品性能的同时,大大提高了生产效率,降低了材料成本。

此外,中微独立自主的IP设计,确保了更优化的产品性能,也保障了产品未来的可持续发展。

EPI设备方面,公司的减压外延设备已在成熟制程客户端验证成功,也已付运多家先进制程客户端,部分先进工艺已进入量产验证阶段；常压外延设备现已完成开发,进入晶圆验证阶段。

（4）MOCVD设备报告期内,公司用于蓝光照明的PRISMOA7、用于深紫外LED的PRISMOHiT3、用于Mini-LED显示的PRISMOUniMax等产品持续服务客户。

截止2025年,公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。

其中PRISMOUniMax产品自2021年6月正式发布以来,凭借其高产量、高波长均匀性、高良率等优点,受到下游客户的广泛认可,在Mini-LED显示外延片生产设备领域处于国际领先。

公司于2023年底付运Micro-LED应用的设备样机PreciomoUdx至国内领先客户开展生产验证。

报告期内样机验证进展顺利,其性能与可靠性已满足客户产线要求,并获得客户的重复订单。

同时,公司正进一步推进该新产品在Micro-LED市场的应用拓展与推广。

随着电动汽车、消费电子、人工智能、风力与光伏储能和轨道交通等应用的快速发展,市场对氮化镓和碳化硅功率器件的需求呈现爆发式增长。

公司已经建立了氮化镓LED外延装备的优势,在此基础上,进一步研发了面向硅基氮化镓异质外延功率器件的专用设备。

于2022年推出了用于氮化镓功率器件生产应用的MOCVD设备PRISMOPD5,目前已交付客户进行生产验证,并取得了重复订单。

除此之外,公司正开发新一代氮化镓功率器件应用的MOCVD设备,将进一步提升设备性能,降低客户生产成本；报告期内,公司已付运新型氮化镓功率器件应用MOCVD设备至领先客户端开展生产验证。

公司也启动了应用于碳化硅功率器件外延生产设备的开发,报告期内,公司持续提升优化该设备的工艺性能,并与多家行业领先客户开展技术对接和商务洽谈。

目前,该新型8寸碳化硅外延设备已进入国内头部企业进行生产验证,并取得了重复订单。

此外,公司紧跟市场发展趋势,积极拓展MOCVD设备的应用范围,进一步推进应用于红黄光LED的MOCVD设备开发,实验室已实现了优良的LED波长均匀性能。

报告期内,公司已付运红黄光LED应用的设备样机至国内领先客户开展生产验证,目前样机验证进展顺利。

针对光通讯等新兴应用需求,公司积极与行业领先客户开展合作,于报告期内启动磷化铟（InP）材料体系专用MOCVD设备的开发,实验室已取得良好进展。

下半年将结合客户反馈意见,加快产品开发,尽早付运样机至客户端开展生产验证。

（5）先进封装相关设备报告期内,公司用于2.5D、SoICWoW及高深宽比深槽电容刻蚀的PrimoTSV300E产品持续服务客户,并获得重复订单。

公司用于先进封装等离子体切割的PrimoMatrix即将发往国内头部客户产线验证。

同时,先进封装所用的第三代TSV刻蚀机研发顺利,获得优良的工艺结果,并且已得到多家客户订单,即将发往客户端验证。

此外,先进封装所用的TSVCuBSPVD集成设备开发顺利,报告期内得到了优良的工艺结果,正与多家领先客户开展商务洽谈。

同时,公司已启动UBMPVD集成设备研发,进一步完善先进封装平台化产品布局。

（6）气体净化设备子公司中微惠创利用分子筛的吸附原理的化学反应器,开发制造了工业用大型净化设备。

设备可根据客户的要求灵活配置不同处理规模的系统,提供给客户可靠、稳定、安全和节能的净化解决方案。

中微惠创与德国DAS环境专家有限公司签订战略合作协议后,双方秉承协议内容按计划实施,在半导体行业尾气处理设备领域展开紧密的合作,目前已经生产制造的净化设备顺利地应用在各个客户端,共同推动环保科技行业的发展。

此外,中微惠创还在积极探索新能源领域的相关研究。

（7）分布式生态工业互联网平台子公司中微汇链基于多年来在中微公司沉淀的业务管理经验以及在高科技制造领域多家企业的数字化服务实践经验,研发和推广数字化运营体系及产品,专注服务以集成电路为代表的高科技制造行业与行业内企业。

汇链推出的“We”系列数字化产品为提升企业从研发、制造,到质量、售后的管理能力,助力企业融入产业生态,为高科技制造产业打造企业间协同互信、资源共享的生态型平台We-Linkin。

目前,中微汇链产品已涵盖超80个场景应用、超900项微服务功能。

基于半导体产业数字化领域的战略布局,专注为中国半导体设备、核心零部件及特种材料领域的科创型、高成长性企业,提供端到端的数字化运营整体解决方案。

以“研发运营一体化、运营管理指标化”为核心理念的产业数字合伙人,致力于帮助客户将技术创新高效、可靠地转化为市场成功与可持续增长。

汇链科技已成功服务超过50家半导体领域的科创企业,产业链数字化解决方案覆盖率85%。

中微汇链为国家“星火・链网”半导体骨干节点技术建设单位、中国产业区块链企业50强,并被授予上海市集成电路产业数字化转型“链主”培育服务企业；入选上海市专精特新企业；入选上海市质量管理数字化转型十佳案例；并参与制定《区块链服务基于区块链的去中心化标识（DID）技术要求》、《区块链服务数字孪生开发平台技术规范》等多项数字化领域团体标准。

2、生产基地建设为更好地完善公司的产业链布局,进一步提升公司的产能规模和综合竞争实力,公司在上海临港新片区建设中微临港产业化基地及中微临港总部和研发中心,在南昌高新区建设中微南昌产业化基地,在广州建设华南总部研发及生产基地,在成都建设成都研发及生产基地暨西南总部项目。

公司位于南昌的约14万平方米的生产和研发基地已于2023年7月正式投入使用；公司在上海临港的约18万平方米的生产和研发基地已于2024年8月正式投入使用,临港二期约20万平方米的生产和研发基地拟于2026年下半年开工建设；上海临港滴水湖畔约10万平方米的总部大楼暨研发中心已于2026年8月1日举办落成典礼；位于广州的华南总部研发及生产基地总体规划占地约130亩,一期项目占地约50亩,主体结构已于2026年7月封顶,计划2027年投产；成都研发及生产基地暨西南总部一期项目占地约50亩,主体结构已于2026年8月封顶,预计2027年建成投产,为今后的发展夯实基础。

（图：中微临港总部大楼外景）3、供应保障方面公司在需求预测、库存管理和供应商管理三方面建立了动态协调机制,使生产所需的零部件原材料能够高效流转。

公司持续开发关键零部件的供应商,非常重视零部件的国产化工作。

公司建立了高效的库存管控体系,设置合理的库存警戒线,以加快存货周转。

随着智能工厂项目和精益管理的持续推进,人员效率和人均产能将稳步提升,制造成本更富竞争力。

同时,公司深入强化质量管理体系建设,增强员工质量意识,产品质量缺陷数量呈逐年下降态势。

4、营运管理方面公司在营运管理中采用关键指标管理,尤其在生产管理、材料管理、客户技术支持和设备运行表现方面设定了一系列的关键考核指标,覆盖了质量、效率、成本和安全等众多方面。

公司定期跟踪各项指标的执行情况,并根据统计结果和客户反馈,制定出关键指标的改进要求。

2026年,公司获得了多项殊荣,行业认可度不断提升,包括2025福布斯中国ESG50、气候灯塔制造优秀案例奖、2026年ESG新标杆企业奖入选2026ESG投资价值Top100榜单等。

报告期内,公司营运效率持续提高,设备交付按时率保持在较高水准、物料成本控制等指标达到预期水平。

5、知识产权保障方面公司高度重视科技创新和知识产权保护工作。

报告期内,公司新增专利申请145项,其中发明专利113项。

截至2026年6月30日,公司已申请3837项专利,其中发明专利3097项；已获授权专利2418项,其中发明专利1925项。

公司鼓励创新,组织开展优秀专利奖项的评选活动,着重奖励在产品创新方面取得杰出成效的员工。

公司深耕知识产权文化建设,以4月26日世界知识产权日为契机,在内部通过组织开展包括知识竞赛、优秀专利评选、圆桌论坛、大咖开讲等系列活动,提高员工的知识产权保护意识,激发员工对科技创新的信心和热情。

6、人才建设方面公司视员工为最宝贵的资产,致力于为员工提供广阔的职业发展空间,构建专业线、管理线发展双通道,并设计了针对不同发展阶段,包括从入职、成长到成熟,形式多样的职业规划,拓展人才发展渠道,无论普通员工,还是高管团队均能获得充分的发展机会。

同时,公司践行“五个十大”的公司文化,打造赋能型、人性化、全员参与式的学习氛围,不断激发员工活力,助力员工实现自身职业理想,与企业共同成长发展。

报告期内,公司进一步拓宽人才吸引渠道,从国内外吸引了行业经验丰富的管理及技术人才,并从知名院校中挑选了一批优秀的毕业生,公司2026年上半年新入职员工655人。

公司注重激发组织和员工活力,组织开展多项深入的专题培训、学习交流活动,涵盖工程技术、战略商务、运营管理、财会金融、人工智能和人才发展六大学习板块,有力促进培养组织需要的技能,提升组织及人员竞争力,建立学习型组织文化氛围。

公司持续优化人才绩效评估体系及人才晋升机制,使得优势资源更进一步向高绩效员工倾斜。

2026年4月23日,公司向3049名激励对象授予700万股限制性股票。

公司持续优化人才梯队,为业务可持续发展提供人才保障。

7、外延式发展方面公司不断践行外延式发展策略,公司下属的中微汇链、中微惠创、芯汇康在新业务拓展领域取得了良好的进展,得到了市场和用户的认可。

2025年度,公司参与设立智微资本；在2025年认购了上海智微攀峰创业投资合伙企业（有限合伙）、持股49%的基础上,2026年拟以14.7亿元认购上海智微凌峰创业投资合伙企业（有限合伙）,支持智微资本继续深耕半导体产业链,与公司业务形成良好的协同效应。

8、内部治理方面公司建立了较为完善的公司内控制度和公司治理结构,报告期内持续完善公司治理机制,强化风险管理和内部控制,严格贯彻执行相关制度,切实保障公司和股东的合法权益,为企业持续健康发展提供坚实基础。

9、信息披露及防范内幕交易方面公司严格遵守法律法规和监管机构规定,严格执行公司信息披露管理制度,真实、准确、完整、及时、公平地履行信息披露义务,通过上市公司公告、投资者交流会、业绩说明会、上证e互动、电话、邮件等诸多渠道,与投资者保持有效沟通,并确保信息披露合规。

报告期内,公司荣获SEMI“杰出半导体设备奖”、证券时报“第十七届中国上市公司投资者关系管理天马奖”等多个奖项。

公司高度重视内幕交易防范,做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。

对公司董事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育,敦促董事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守买卖股票规定。

发行人前身中微有限,系由中微亚洲出资设立,设立时为外商独资企业。

2004年5月18日,上海市张江高科技园区领导小组办公室向中微有限出具《关于中微半导体设备(上海)有限公司设立的批复》(沪张江园区办项字(2004)264号),同意中微亚洲投资设立中微有限,注册资本2,000.00万美元,其中注册资本以美元现汇出资1,300.00万美元,占注册资本的65%;以相关专利技术作价700.00万美元,占注册资本的35%。

2004年5月19日,上海市人民政府核发《中华人民共和国外商投资企业批准证书》(商外资沪张独资字[2004]1574号)。

2004年5月31日,中微有限完成工商注册并取得上海市工商行政局浦东新区分局核发的注册号为“企独沪浦总字第318810号(浦东)”的《企业法人营业执照》。

根据上海申洲会计师事务所有限公司于2004年7月23日、2004年8月28日、2004年10月20日、2005年2月25日、2005年8月19日和2006年1月18日出具的沪申洲(2004)验字第534号、沪申洲(2004)验字第586号、沪申洲(2004)验字第670号、沪申洲(2005)验字第105号、沪申洲(2005)验字第478号、沪申洲(2006)验字第028号验资报告,截至2005年12月8日止,中微亚洲已向中微有限足额缴纳设立时的全部出资,其中700.00万美元为无形资产出资。

2005年10月28日,上海科华资产评估有限公司出具《有关“等离子刻蚀和化学薄膜沉积半导体制成设备技术”无形资产评估报告书》(沪科华评报字(2005)第088号),确认以2005年6月30日作为评估基准日的该项无形资产的公允价值为7,830.00万元,折合946.00万美元。

2018年9月10日,立信评估出具《AdvancedMicro-fabricationEquipmentInc.Asia拥有的“等离子刻蚀和化学薄膜沉积半导体制成设备技术”市场价值追溯资产评估报告》(信资评报字[2018]第20095号),确认以2005年6月30日作为评估基准日的该项无形资产的市场价值为7,600.00万元。

追溯评估确定的无形资产公允价值高于中微有限设立时的专利技术作价金额。

2018年12月18日,中微有限召开董事会会议,同意以2018年7月31日为基准日,将中微有限整体变更为外商投资股份有限公司。

2018年12月20日,中微有限股东上海创投、巽鑫投资等签订《关于中微半导体设备(上海)有限公司整体变更设立外商投资股份有限公司的发起人协议书》,中微有限以2018年7月31日为基准日经普华永道审计的账面净资产1,818,997,862.62元按1:0.2474的比例折合成股本450,000,000股,剩余部分转作资本公积,整体变更后股份公司的注册资本为450,000,000.00元,股份面值为每股1元。

2018年12月21日,上海金桥出口加工区(南区)管理委员会对本次整体变更予以备案。

2018年12月21日,公司在上海市工商行政管理局办理了工商变更登记。

2019年3月7日,普华永道出具验资报告(普华永道中天验字(2019)第0099号,确认截至2018年12月21日,发行人之股东以基准日2018年7月31日经审计的净资产为基础,按1:0.2474的比例折合成股本450,000,000.00元。