主营业务：功率半导体的研发与销售。
经营范围：电子科技、计算机专业领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让、技术培训,芯片、集成电路的设计、开发,电子产品、通讯产品、计算机硬件的研发、销售,计算机软件的开发、设计、制作、销售(以上除计算机信息系统安全专用产品);系统集成,网络工程,从事货物与技术的进出口业务。【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】
上海芯导电子科技股份有限公司(Prisemi)成立于2009年,专注于高品质、高性能的模拟集成电路和功率器件的开发及销售,总部位于上海市张江科学城,已在上交所科创板上市,股票代码为688230.SH。
公司在深耕国内市场的同时,积极拓展海外市场,目前产品已远销欧美日韩及东南亚等国家与地区,产品广泛应用于移动终端、网络通信、安防工控、储能、汽车电子、光伏逆变器等应用领域。
公司始终秉承“专注于技术创新和价值创造,为客户提供卓越的产品与服务,实现客户、员工、生态伙伴与企业的共存共赢”的使命,凭借优秀的研发团队及其强大的研发能力,历经十五载的技术积淀,公司拥有搭建功率半导体技术平台的能力,并在此基础上对产品不断进行更新迭代。
目前,公司在各类细分产品及应用领域的技术平台开发上取得了显著成果。
针对TVS产品,已陆续开发了平面工艺普通容值TVS技术平台、平面工艺低容值TVS技术平台、改进型台面工艺TVS技术平台、深槽隔离工艺TVS技术平台、穿通型NPN结构工艺TVS技术平台、具有SCR结构的低电容ESD平台等；针对MOSFET产品,先后开发了平面（Planar）工艺MOSFET技术平台、沟槽（Trench）工艺MOSFET技术平台、改进型沟槽（Trench）工艺MOSFET技术平台、屏蔽栅工艺MOSFET技术平台等；对于肖特基产品,已开发了平面工艺肖特基技术平台、沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台、改进型沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台等；针对第三代半导体GaNHEMT产品,公司开发了高压P-GaNHEMT技术平台；针对IGBT产品,公司开发了通用沟槽型IGBT技术平台、新能源用精细沟槽结构的IGBT技术平台。
在IC产品方面,公司的技术平台涵盖了PSC技术平台、过压保护类技术平台、PB技术平台、音频功放技术平台、DC-DC技术平台、负载开关技术平台。
公司紧跟客户需求的变化与技术的进步,在现有技术平台的基础上不断推陈出新、迭代升级,持续推出新一代产品以满足市场需求。
（一）报告期内主要经营情况报告期内,公司实现营业收入35,294.17万元,较上年同期增长10.15%；实现归属于上市公司所有者的净利润11,163.95万元,较上年同期增长15.70%；归属于上市公司所有者的扣除非经常性损益的净利润5,860.70万元,较上年同期增长34.50%。
报告期末,公司总资产232,793.57万元,同比增长2.03%；归属于上市公司的所有者权益226,413.94万元,同比增长1.87%。
（二）报告期内重点任务完成情况1、积聚创新动能,铸就技术基石作为专精特新“小巨人”企业和重点集成电路设计企业,公司一直坚持以自主技术创新为基础,坚持技术领先战略,不断强化技术创新能力。
根据市场发展趋势、下游客户需求,有计划、有步骤地进行技术开发和创新,扩展现有产品系列,加强对现有产品的更新迭代,保证公司产品的竞争优势和可持续发展。
（1）功率器件研发方面：①在TVS产品方面：A.公司具有深回退特性的低容超强浪涌防护能力ESD产品已经在终端大客户验证通过,将在新项目中采用。
另外该系列产品也由1.0*0.6mm的尺寸缩小至0.6*0.3mm,目前更小尺寸的深回退低容超强浪涌防护能力ESD产品已经进入产品推广阶段,这系列产品的推出将使产品的阵容更加完善和齐全。
B.超低容值（0.15pF）具有深回退特性、超小封装（0.6*0.3mm）的SCRESD产品及用于HDMI2.1接口保护应用的容值低于0.3pF的4路深回退保护器件已经实现量产出货。
C.公司开发出的超低钳位电压、超大泄放电流的TVS产品,已经通过大客户的性能验证,由于具有优异的钳位电压、电流泄放能力和动态电阻性能,优于同类其他品牌产品而已被客户设计到终端产品中,目前该系列产品已经有多个型号批量出货；同时,在Vbus（总线保护）应用方面,基于DFN2020封装在开发高工作电压的双向保护产品已经实现量产出货,同时,针对具有超低应用负向钳位电压的单向TVS产品,正在做进一步的性能提升。
②在MOSFET产品方面：1、中压超低导通电阻和超低栅极电荷的MOSFET,不断完善产品阵容,加快产品系列化进程。
目前在电源、电机驱动等领域开始批量出货,同时也逐步在向服务器及算力电源等其他领域应用方面进行扩展。
2、低压超低导通电阻和超低栅极电荷的MOSFET产品,新的增强栅极和源极之间静电保护能力的MOSFET系列产品已经在多个客户进行项目验证,部分已经实现出货,将在手机、平板电脑、TWS、笔记本电脑等消费类领域,为终端客户提供更加安全、可靠的产品。
在电动工具、BMS、电机控制等多领域也同步在完善产品阵容,包括N沟道、P沟道的不同档位的产品也逐步形成量产出货。
同时,在开发的具有典型应用、技术差异性的共S、共D极MOSFET产品已经完成工程样品,目前处于性能验证阶段。
③在肖特基产品方面：目前正在开发具有超小封装尺寸,超低正向导通压降的超低容值肖特基产品,该产品已经进入到封装阶段,开发成功后,具有开关频率快,产品损耗低等突出性能。
④在GaNHEMT产品方面：公司650VGaNHEMT产品阵列中已成功加入具有90-300mR的P-GaN系列产品,中低压GaNHEMT产品有序开发中,其中40V产品已在客户端测试通过。
650VCascode结构GaNHEMT有序开发中,目前初步形成了50-3000mR系列产品。
⑤在IGBT产品方面：公司650V/1200V100A以下小电流产品形成系列化；1200V100A以上大电流产品持续开发过程,1200V200A芯片已定型,1700V200A客户认定中,1200V100A/150A、1700V150A等系列化产品陆续进行流片产出。
⑥在SiC产品方面：SiCSBD系列包含650V/1200V/1700V电压档,其中650VSBD产品已在PD客户端出货,1200VSBD产品已在多家大功率系统客户测试验证中,1700VSBD产品陆续产出。
SiCMOSFET系列包含650V/1200V电压档有序开发中,其中1200V产品在充电桩、逆变器等领域正处于客户验证测试中。
（2）功率IC研发方面：①在过流过压保护类IC产品方面：A．带栅极控制,具有高电压插拔防护能力的40V/80mΩ规格产品成功导入多家知名终端产品中,并实现量产。
B．带反接保护的30V/115mΩ规格产品已完成开发,通过了多家终端产品的测试验证。
C．公司多款低成本和高过压阈值过压保护类产品MPW验证通过。
②在充电类IC产品方面：A．3A大电流（带协议、带路径管理）开关充电产品在国内某知名客户验证通过。
B．5A带路径管理开关充电IC和5-12V/3.78A高压充电IC已完成性能优化版本的样品评估,准备送样工作,推动客户端的测试验证。
C．双节/多节锂电池充电IC的项目立项,扩展公司充电IC的产品系列和产品应用领域。
③在负载开关IC产品方面：针对客户端的不同应用场景,对现有产品进一步进行系列化,推动新的负载开关IC的项目立项。
2、提升管理效能,激发增长活力报告期内,公司引入CRM客户管理系统,通过整合客户数据、自动化流程与智能分析,实现数据中枢（统一客户信息构建全景视图）、流程引擎（自动化销售跟进与跨部门协作）、决策大脑（AI分析预测与BI可视化）三大核心功能,以客户为中心重构客户管理全链路,推动企业从经验决策向数据决策转型,实现降本、增效、拓收的闭环增长。
CRM系统不仅实现了客户价值深度挖掘,更推动组织向数字化、生态化战略升级。
我们以公司战略目标为指引,强化绩效制度,激发员工潜能,以终为始,优化企业资源配置。
在一系列优化举措的推动下,公司治理能力显著提升,整体规模逐步壮大。
3、积蓄品牌势能,擘画发展蓝图公司始终以客户需求作为第一需求,积极参加行业展会、论坛,及时掌握行业动态及客户需求,促进与合作伙伴的交流合作,进一步加强品牌宣传力度,提升公司知名度。
提高产品质量,提升服务水平,为客户提供更丰富的产品和更优质的服务,赢得客户认可,实现市场拓展和业务增长,维护公司品牌形象。
报告期内,公司2024产品推介会暨合作伙伴大会在深圳举行,与合作伙伴及代理商加深合作,携手共进；公司受邀参加上海祥承通讯技术有限公司2024全球供应伙伴大会,公司凭借优质的产品与卓越的服务荣获“风雨同舟奖”；公司参加了2024年（春季）亚洲充电展（ACE）,展出了MOSFET、GaNHEMT、防护器件等产品在PD快充适配器、移动电源、无线充等电源相关设备中的应用；公司与ST、Qorvo、MPS等公司共同组成“绿色能源专区”亮相2024国际集成电路展览会暨研讨会(IICShanghai),公司展示了IGBT单管及模组、SiCMOSFET、SiCSBD、GaNHEMT、GaNIC等应用于风光储充及汽车领域的相关产品。
报告期内,公司荣获“上市公司金牛奖——金信披奖”、“上证金质量——科技创新奖”、“年度领军企业奖”、“2024上海专精特新‘小巨人’企业品牌价值榜——百佳企业”、“中国GaN十强企业奖”等荣誉。
这些殊荣不仅是对我们品牌影响力、科技创新实力、公司治理能力的权威肯定,更是客户信赖、行业认可、智库推崇、媒体赞誉的集中体现。
4、挖掘协同潜能,探索产学未来2024年初,西安交通大学党委书记卢建军一行莅临芯导科技调研走访,进一步推动产学研深度融合,促进学校与企业之间的合作共赢。
此次调研走访不仅加深了学校与校友企业之间的联系,更为双方未来的合作与发展奠定了基础。
2024年8月,公司便迎来了西安交通大学“思源学子源动力训练营”的学子们来访参考与交流。
此外,复旦MBA半导体俱乐部、复旦大学微电子学院等走进公司,共话第三代半导体前沿领域,探讨人才发展战略,本次参访为复旦大学与公司的更进一步合作奠定了良好基础。
长期以来,公司积极参与校企交流活动,高度支持在校学生们深入了解行业,参与到创新创业的实践中来,共同推动人才梯队的建设,为行业的蓬勃发展增势赋能。
发行人前身芯导有限设立于2009年11月26日,系由自然人孔凡伟和吕家祥出资设立的有限责任公司,设立时注册资本为200.00万元。
2009年11月24日,上海沪中会计师事务所有限公司出具《验资报告》(沪会中事(2009)验字第1438号),验证截至2009年11月23日,芯导有限已收到全体股东缴纳的实收资本合计200.00万元,均以货币出资。
2009年11月26日,芯导有限在上海市工商行政管理局浦东新区分局完成了工商设立登记手续并领取了《企业法人营业执照》(注册号为310115001173485)。
2019年12月2日,芯导有限召开临时股东会,审议通过芯导有限以截至2019年10月31日经审计的账面净资产折股整体变更为股份公司,其中4,500.00万元为公司股本,其余计入资本公积。
同日,全体股东签署《发起人协议》。
根据天职国际会计师事务所出具的《验资报告》(天职业字[2020]28316号),截至2019年12月26日止,各发起人以其拥有的截至2019年10月31日经审计的净资产折合为股份公司股本4,500万股,每股面值1元,净资产超出注册资本部分作为公司资本公积,变更前后各股东出资比例不变。
2019年12月26日,公司领取了上海市市场监督管理局换发的《营业执照》(统一社会信用代码:913101156972811715)。
2018年7月25日,芯导有限召开股东会并作出决议,同意增加芯导有限注册资本1,150.00万元,增资完成后,芯导有限注册资本变更为2,150.00万元,新增注册资本中莘导企管认缴出资1,046.50万元、萃慧企管认缴出资103.50万元。
根据天职国际会计师事务所出具的《验资报告》(天职业字[2020]28272号),截至2018年11月30日止,芯导有限已收到莘导企管、萃慧企管缴纳的新增注册资本1,150.00万元,出资方式为货币。
2018年8月27日,芯导有限领取了上海市市场监督管理局换发的《营业执照》(统一社会信用代码:913101156972811715)。
2019年12月2日,芯导有限召开临时股东会,审议通过芯导有限以截至2019年10月31日经审计的账面净资产折股整体变更为股份公司,其中4,500.00万元为公司股本,其余计入资本公积。
同日,全体股东签署《发起人协议》。
根据天职国际会计师事务所出具的《验资报告》(天职业字[2020]28316号),截至2019年12月26日止,各发起人以其拥有的截至2019年10月31日经审计的净资产折合为股份公司股本4,500万股,每股面值1元,净资产超出注册资本部分作为公司资本公积,变更前后各股东出资比例不变。
2019年12月26日,公司领取了上海市市场监督管理局换发的《营业执照》(统一社会信用代码:913101156972811715)。
报告期内,发行人未发生重大资产重组情况。