新洁能 - 605111.SH

主营业务：MOSFET、IGBT等半导体功率器件及功率模块的研发设计及销售

经营范围：电力电子元器件的制造、研发、设计、技术转让、技术服务、销售;集成电路、电子产品的研发、设计、技术转让、技术服务、销售;计算机软件的研发、技术转让;利用自有资产对外投资;环境保护专用设备的制造、销售;自营和代理各类商品及技术的进出口业务(国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)

无锡新洁能股份有限公司(以下简称“公司”)成立于2013年1月,拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体、国硅集成电路四家子公司以及深圳分公司、宁波分公司。

公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,产品优质且系列齐全,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域;未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展,公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。

公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和封装成品。

公司是专业化垂直分工厂商,芯片由公司设计方案后交由芯片代工企业进行代工生产,封装成品由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。

公司为国内MOSFET等半导体功率器件设计领域领军企业,2016年以来连续五年名列“中国半导体功率器件十强企业”。

公司已建立江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工作站、东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心、江南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心。

公司参与的“智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用”项目获得了2019年度江苏省科学技术一等奖,且获得2020年度国家级技术发明奖。

公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品,是国内率先掌握超结理论技术,并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一,是国内提前早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的企业,也是国内MOSFET品类齐全且产品技术先进的公司。

同时,公司是国内较早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一,产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品、达1700余种,为国内MOSFET等功率器件市场占有率排名前列的本土企业。

公司将进一步依托技术、品牌、渠道等综合优势,结合大尺寸晶圆芯片(8英寸、12英寸)先进工艺技术,开拓国际先进功率器件封装制造技术,全力推进高端功率MOSFET、IGBT、集成功率器件的研发与产业化,持续布局半导体功率器件先进前沿的技术领域,并投入对SiC/GaN宽禁带半导体、智能功率器件的研发及产业化,提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。

2020年9月28日,公司在上交所主板完成挂牌,证券代码:605111。

报告期内,公司共实现营业收入116,738.88万元,较去年同期增长了25.57%；利润总额26,823.69万元,较去年同期增加了0.26%；归属于上市公司股东的净利润23,336.59万元,较去年同期下降了0.75%。

2026年第二季度,公司实现营业收入65,034.64万元,环比第一季度增长25.78%；利润总额15,976.67万元,环比增长47.29%,实现归属于上市公司股东的净利润13,882.26万元,环比第一季度增长46.84%。

（一）市场营销当前,功率半导体行业正经历一场由“AI算力+新能源”双轮驱动的深刻变革,迎来新一轮量价齐升的景气周期。

AI算力基础设施、新能源汽车及储能三大赛道景气度持续提升,无人机、机器人、工业自动化等细分领域需求旺盛,得益于国产功率半导体高性价比、快速响应及本土化服务优势,客户积极导入本土方案,国产替代进程持续加速。

从供给端看,2025年起全产业链成本刚性上涨,成熟制程产能扩充存在周期约束,AI相关产品对晶圆产能的挤占,导致原本分配给功率器件的产能更加紧张。

供需两端共振,推动功率器件产品交期从2025年一季度起逐步拉长,供需关系错配持续紧张。

同时,行业库存前期已充分消化,渠道与终端库存水位处于低位,库存结构持续优化,行业彻底走出此前周期性低谷,进入高质量发展的复苏新阶段。

2026年上半年,先后已有多家国内外功率半导体企业发布了涨价通知。

当前行业景气度持续向好、高端产品呈现结构性缺货,但市场竞争亦日趋激烈。

国际头部厂商为巩固国内市场地位,加速核心技术本土化落地,同时通过产品下沉、本土合作等方式深度布局国内市场；国内同业方面,本轮缺货周期下原材料与制造成本显著上行,然而中低端产品领域同质化竞争加剧,行业价格竞争态势仍存在,对行业整体盈利空间与长期发展质量形成一定挑战。

面对机遇与挑战并存的市场环境,公司坚定践行“技术驱动、市场导向”发展战略,积极应对行业变革。

内部持续构建以客户需求为核心的运营体系,高效响应客户的特殊化需求；外部全力开拓新兴市场蓝海,挖掘优质新客户,持续优化市场布局。

依托长期积累的核心技术优势、全场景丰富产品矩阵及高效产业链协同能力,公司稳步推进产品结构、市场结构与客户结构的三重优化升级。

报告期内,凭借卓越的产品实力与综合服务能力,公司在战略新兴领域实现进一步发展：产品已成功通过更多新能源汽车及充电桩、AI算力中心、机器人、高端无人机、光伏储能等赛道头部客户严苛认证,实现量产销售并不断扩大规模,有力推动公司中高端功率半导体业务规模持续扩张。

依托核心场景的稳定表现,公司品牌认可度与核心竞争力进一步提升,差异化竞争壁垒持续夯实。

同时,公司全球化战略布局持续深化并取得扎实成效。

作为海外市场拓展与技术服务的核心枢纽,新加坡研发及销售中心稳定运营,实现海外客户服务覆盖度的不断提升,在海外客户开拓、技术响应及本地化支持等方面已取得阶段性成果,海外业务落地能力持续增强。

该中心既是公司深度融入全球半导体产业链、推进全球化布局的关键支点；也是汇聚国际化人才与前沿技术资源、推动产品对标国际高端标准的创新平台；更是精准服务海外客户、高效拓展全球市场的前沿阵地,为公司提升国际竞争力、扩大全球市场份额提供了坚实支撑。

产品结构方面：（1）SGT-MOSFET产品：核心产品在多高端赛道持续放量。

SGT-MOSFET为公司综合竞争力最强、销售规模最大、客户覆盖最广的核心产品平台。

报告期内,SGT-MOSFET产品实现销售收入5.45亿元,占主营业务收入比例为46.92%,比去年同期增长28.57%。

公司第三代SGT-MOSFET产品已实现全系列市场化落地,产品性能、可靠性处于行业先进水平,广泛适配汽车电子、AI算力中心、高端通讯电源、无人机、电摩电机控制、工业电源、高功率密度电动工具等高端战略赛道,其中车载领域全面覆盖域控制器、油泵水泵控制器、智能辅助驾驶系统等核心场景。

报告期内,面对汽车电子市场需求的波动,公司紧抓功率半导体国产化替代机遇,持续抢占外资厂商替代份额。

同时,AI算力中心、无人机、高端储能、电动工具等下游新兴赛道需求持续高增。

公司强化销售、研发、生产全链条协同,快速响应客户定制化需求,提前布局产能备货,保障头部客户稳定交付,产品订单维持稳健增长态势。

依托持续的市场拓展与优质的产品交付能力,该产品持续稳居公司第一大营收品类,核心产品壁垒进一步巩固。

（2）IGBT产品：光储赛道高景气爆发,应用版图持续拓宽。

公司IGBT产品以光伏、储能市场为核心基本盘,2026年上半年,受全球地缘冲突加剧、海外能源短缺、各国新能源政策加持影响,全球光伏储能行业需求显著回暖、市场热度持续攀升,为公司IGBT业务发展提供了强劲的推动力。

IGBT产品实现销售收入1.96亿元,占主营业务收入比例为16.85%,比去年同期增长48.10%。

公司持续深化与阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、科华数据等光伏储能领域头部企业的战略合作,合作深度与供货规模持续提升,产品在微型逆变器、户用储能、工商业储能、便携储能等细分场景渗透率稳步提高。

在此基础上,公司持续加大IGBT产品在汽车电子、变频家电、工业伺服控制等领域的市场推广力度,不断丰富产品应用场景。

目前公司第七代IGBT产品已实现稳定批量供货,第八代IGBT产品顺利市场化销售,两代新品凭借优异的能效表现与稳定性,获得工控、变频、伺服驱动领域客户的广泛认可,逐步形成规模化销售,为IGBT业务长期增长筑牢基础。

（3）SJ-MOSFET产品：应用场景主要覆盖家电、车载OBC充电机、新能源充电桩、微型逆变器、移动储能、AI服务器电源、工业电源及消费电子等领域。

报告期内SJ-MOSFET实现销售收入1.02亿元,占主营业务收入比例为8.77%。

公司紧抓结构性机遇,在AI服务器电源、高端工业电源、汽车电子等相对高附加值赛道持续深耕拓展,客户导入与批量供货进度顺利推进,相关板块销售稳步上行,有效对冲传统板块需求疲软带来的影响；加快第五代SJ-MOSFET新品落地推广,依靠能效、耐压等性能优势构筑差异化竞争力,缓解低价内卷压力,稳固存量市场份额；车载业务层面,公司重心转向大电流规格产品布局,加大车载OBC、大功率充电桩配套器件推广,持续优化产品营收结构,力争在激烈竞争环境中实现细分市场稳步突围。

（4）Trench-MOSFET产品：夯实成熟基本盘,行业景气上行打开增量空间。

报告期内,Trench-MOSFET产品实现销售收入2.75亿元,占主营业务收入比例为23.79%,比去年同期增长10.27%。

Trench-MOSFET产品是公司量产工艺最成熟、客户基础最稳固的产品平台,长期深耕智能家居、电动工具、消费电子、基础工业控制等领域,同时持续向光伏储能、汽车电子等新兴领域渗透,多款产品已实现批量导入量产。

公司持续优化经营策略,灵活调整产品定价体系,稳固存量客户基本盘的同时积极挖掘新兴增量需求。

公司紧抓市场窗口期,充分盘活现有产能、优化生产排产,全力保障客户交付,持续扩大成熟产品市场规模,进一步提升细分赛道市场占有率。

市场结构和客户结构方面：2026年上半年,功率半导体行业呈现显著结构性分化特征。

报告期内,公司坚持“深耕存量客户、拓展增量市场”的经营主线,持续加大客户需求挖掘力度,加快潜在客户试样验证及导入量产的全流程推进,不断优化市场响应机制,深化全链条客户服务能力,切实提升业务转化效率与客户粘性。

在市场布局方面,公司坚持国内市场为主体、海外市场为补充的双轮驱动策略。

境内市场,持续巩固与各细分领域头部企业的战略合作关系,紧抓国产替代提速机遇,稳步提升本土市场份额；境外市场,依托新加坡子公司构建全球化运营枢纽,有序推进海外相关核心区域的业务布局,持续强化品牌影响力,稳步扩大公司在全球功率半导体赛道中的市场占有率和竞争位势。

从具体结构来看：汽车电子领域：2026年上半年,整车及车载供应链进入调整周期,公司依托完备的车规产品体系、稳定可靠的交付品质,紧抓海外器件国产化替代窗口期,实现份额稳中有升,筑牢车载功率器件技术壁垒与竞争优势。

截至报告期末,公司累计车规级功率器件产品近400款,上半年整体出货量突破1.3亿颗,产品全面覆盖车身控制、智能座舱、智能驾驶、动力总成、底盘系统五大车载核心场景,广泛适配车载OBC、DC-DC转换器、线控底盘、PTC加热器等关键车载模块。

凭借优异的产品性能与长期稳定的批量交付实力,公司深度绑定比亚迪、联合电子、星驱、富特科技、伯特利、欣锐等国内主流车企与一线Tier1供应商,合作规模持续扩容,行业领先地位进一步夯实。

同时公司前瞻把握车载电压平台迭代趋势,技术落地节奏稳步推进：适配48V车载系统的80V-200V功率MOSFET已实现大规模量产；面向下一代800V高压车载平台研发的车规级SiCMOSFET正处于严苛产品验证阶段,未来有望成为公司车载业务全新增长曲线。

AI算力及通信领域：2026年上半年,全球AI算力需求持续迸发,高阶算力芯片、HBM、DrMOS需求旺盛,拉动服务器算力供电系统（SST、AIDC、二次DC-DC电源等）需求快速扩容。

公司精准把握市场布局AI算力与通信电源赛道,自研SiCMOSFET、高速SGTMOSFET产品在可靠性、能效指标层面已比肩国际一线品牌水准。

报告期内,公司相关产品顺利导入包括E-Fuse、液冷在内的算力服务器细分应用,并逐步实现销售,未来有望成为公司新的成长支撑点。

光伏储能领域：报告期内,全球油气供给端扰动持续,能源安全战略地位进一步凸显；叠加国内外新能源政策利好频出,以及欧洲市场前期库存已基本去化完毕,光伏及储能行业迎来景气度上行周期,境内外装机需求与储能配置需求均实现显著回暖。

公司紧抓全球能源结构转型长期机遇,以IGBT、MOSFET等功率器件为核心,精准匹配光伏、储能各类应用场景。

报告期内,公司持续深化与阳光电源、德业股份、思格能源、固德威等储能逆变器领域头部客户的战略合作,供应品类稳步拓宽,交付规模显著提升,客户合作黏性进一步增强。

同时,公司围绕光伏储能市场,系统布局功率模块PIM、大电流单管及SiC产品线,并针对微型逆变器、阳台储能、户用储能及工商业光储系统等差异化细分场景,实施精细化市场渗透策略。

受益于前瞻性产品布局及下游客户的强劲采购需求,报告期内公司在该业务领域的销售规模实现较大幅度的同比增长,市场竞争力持续巩固。

工业自动化领域：报告期内,公司工业自动化功率器件在无人机、电动工具、伺服变频、具身机器人四大细分赛道收获亮眼增长。

公司提前布局低空经济产业链优质客户,深度对接大疆等行业龙头,MOSFET产品作为电能变换与电控核心元器件,大规模应用于无人机电池管理系统、储能充电舱、机载电机驱动等关键单元。

伴随具身机器人商业化落地提速、应用场景持续拓宽,公司多款功率器件顺利导入各类机器人关节驱动电机、整机BMS系统核心环节,已批量配套宇树科技等头部客户。

后续公司将紧随终端产品迭代需求,持续研发适配机器人高动态工况的高性能功率产品,推动工控板块营收规模稳步上行。

（二）研发创新2026年1-6月,公司实现研发投入5,638.37万元。

2026年上半年公司（含子公司）新增授权专利13项,其中发明专利8项、实用新型专利5项。

截至目前,公司共有专利258项,其中发明专利135项（不含已到期专利）。

SGTMOS平台：（1）具有业界最小单位元胞尺寸（CellPitch）的N15V第五代SGTMOS已完成仿真设计,进入工程流片阶段,目标市场为AI算力、大功率数据中心等。

（2）具有业界最小单位元胞尺寸（CellPitch）的N25V第三代SGTMOS平台动静态参数符合预期,进行可靠性优化验证,目标市场为AI算力、大功率数据中心、PC电脑等。

（3）具有业界最小单位元胞尺寸（CellPitch）的N30V第三代SGTMOS平台实现量产,涉及大功率数据中心、电机驱动、锂电保护、工控电源等领域,并且该平台在第三代半导体cascode合封应用领域实现批量交付。

该平台目前正在进行车规级考核验证。

（4）具有业界最小单位元胞尺寸（CellPitch）的N40V第三代SGTMOS产品已经全面进入量产阶段,涉及行业有新能源汽车、大功率数据中心、工业电源、电机驱动等；在此基础上开发N40V第五代平台,进一步降低品质因子FOM。

（5）N60V第三代SGTMOS平台Rsp相较上一代产品降低26%,首颗产品量产,开始平台衍生产品拓展工作,同步开始车规级考核验证。

（6）N80V第三代SGTMOS平台和N100V第三代SGTMOS平台目前处于量产阶段,产品进入AI算力、新能源汽车、机器人、光伏储能、工业电源等行业,且两个平台均在持续进行系列产品拓展。

（7）N80V第五代SGTMOS平台已完成初期工程批流片,基本功能达预期,正在进行工艺微调以保证足够的工艺窗口,以最终固化工艺,目标市场AI算力、大功率数据中心、通信、高能效电源等领域。

（8）N100V第五代SGTMOS平台已完成仿真设计,目前处于工程开发阶段,目标市场AI算力、大功率数据中心、机器人、通信、高能效电源等领域。

（9）N120V第三代SGTMOS平台首颗产品量产,开始平台衍生产品拓展工作,同步开始车规级考核验证,目标市场新能源汽车、光伏储能、通信、高能效电源等领域。

（10）达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性N150V第三代SGTMOS平台,器件核心综合性能优值（FOM）较业界同规格最优竞品降低达25%以上,该平台产品已在新能源汽车、光伏储能、服务器电源、植物照明、工控电源领域大批量使用。

同时该平台已完成第二产线技术转移,进一步提升产能,以满足客户端的持续需求。

（11）N200V、N250V第三代SGTMOS平台首个工程批已完成流片,基本功能均满足需求,目前正在调整工艺,实现性能参数与工艺窗口折中最优化,以最终固化工艺条件。

（12）基于N250V第一代平台完成超快恢复平台开发,其动静态参数符合预期,反向恢复电荷Qrr相对上一代产品降低86%,目前处于市场推广阶段。

同时向下延伸开发150V、100V电压档位产品,搭建完备的超快恢复器件产品矩阵,适配大功率电机控制器、车载充电机、新能源充电桩等高功率应用场景。

TrenchMOS平台：（1）在8寸,P20~40V0.75&0.8umpitch工艺平台完成frozen&衍生系列产品。

（2）TTO结构的P60V~200V平台完成系列衍生产品,P250V~300V工艺平台确认设计优化方案、工艺条件和材料片,layout中,待ETO和工程流片。

（3）完成用于穿戴设备的G2世代CSPN12V系列产品后道流程的固化及量产,更高电压系列CSP产品（N20V、N30V）,N20V已完成1st工程流片,封测评估中。

（4）G3世代CSP12V产品工艺平台后道工艺（超薄Si+超厚背面金属）基本frozen,优化成本的背面选择性电镀厚金属的工艺完成评估,待后续frozen。

（5）宽SOA的用于大功率调速的N40V产品完成1st工程流片,封测中,待后续完成应用评测后确定工艺条件。

（6）在12寸平台完成第六代（0.65umCellPitch）N30V产品平台工艺固化。

（7）N30V超短沟工艺优化：Rsp优化7%,工艺固化待衍生系列产品。

（8）带ESD的工艺平台基本frozen,N30V工艺流程基本frozen；已ETON20V,目前工程批流片中。

（9）开发N40&60V红磷衬底工艺平台进一步优化Rsp,工程流片中。

（10）0.9umN60V产品工艺平台基本固化：Rsp优化12%,待衍生系列产品。

（11）开发短路能力强的用于安全气囊控制的N40~60V产品平台&LFPAK封装,1stN60V工程批完成流片,封测完成应用评测中。

（12）进一步丰富车规产品家族。

IGBT平台：（1）第七代微沟槽高功率密度IGBT产品在2座12英寸晶圆厂和3座8英寸晶圆厂均已实现量产,产品平均良率提升至98%左右,第七代IGBT产品目前在新能源汽车、光伏、储能、电能质量、OBC、充电桩、消费电子等行业都已批量交付。

（2）基于1.2um工艺平台的第八代微沟槽高功率密度IGBT已经完成多轮工程流片,目前1200V产品已经通过可靠性考核。

（3）第八代1400V/1200V/750VIGBT产品已经初步完成动静态参数优化,目前正在进行良率改善和产品电流规格拓展。

（4）第八代1200VIGBT具有一类短路能力的产品系列已经初步完成工程流片,产品短路能力达到设计预期,开始进行模块产品评估。

（5）第八代650VRCIGBT已经完成动态参数优化和可靠性考核,正在进行良率优化以及产品验证推广。

（6）基于第八代技术平台的1700VIGBT已经完成产品设计,正在进行首轮单芯片工程批流片验证。

（7）配合第八代IGBT产品的1700VFRD产品正在进行工程流片,流片完成后用于功率模块产品。

SJMOS平台：（1）第四代600~650VSJMOS产品在fab2、fab7、fab9全面稳定量产,基于12寸工艺平台的第四代800V/900V深沟槽SJMOS平台产品已经通过可靠性考核和客户试用,正式进入量产阶段。

第四代SJMOS产品已在汽车电子、工业电源、消费电子、新能源等行业批量交付。

（2）第五代600~650VSJMOS平台基于7umpitch设计,使用优化工艺、材料规格,在12寸晶圆厂已经完成多轮工程流片,目前产品参数已经达成设计目标,正在进行可靠性验证和应用测试；（3）650V第五代7umpitchSJMOS特征导通电阻（Rsp）降低至0.80欧姆每平方毫米(Ω.mm2),进一步提升器件功率密度,可以在相同器件规格中使用更小的封装体积,并且进一步降低器件成本。

目标市场主要是对器件成本、体积和效率有要求的应用中,如大功率汽车OBC、铂金电源等。

（4）新一代200V~250V低压SJMOS产品已经完成首轮工程批流片,200V产品已经完成168小时可靠性考核,正在进行良率改善和工艺窗口验证。

（5）新一代300VSJMOS产品已经完成首轮工程流片,产品特征导通电阻达到设计目标,正在进行可靠性优化。

第三代半导体功率器件平台：（1）公司第2~3代SiCMOSFET平台已全面进入量产,电压段覆盖650V/750V/900V/1200V/1700V平台,导通电阻覆盖13mohm~1ohm,新增产品型号20余款,其中第三代SiCMOSFET可以实现0电压关断,有助于终端客户简化电路设计,相关产品已通过车规级AEC-Q101可靠性考核,并已广泛应用于光伏逆变、储能、新能源汽车充电桩、汽车OBC、工业可靠性设备、工业电源、工业自动化等领域。

（2）第4代SiCMOSFET产品平台完成工艺平台开发,电压段覆盖650V~2300V,目标市场包括SST、高压直流断路器、光伏逆变、储能、新能源汽车、工业可靠性设备、工业电源、工业自动化、家用电器等领域,相关产品处于工程验证阶段。

同时,公司还规划有和传统硅基IGBT/超结MOSFET驱动完全兼容的SiC产品,并启动第一代沟槽SiCMOSFET产品研发,相关产品处于工艺设计、产品设计阶段。

（3）已开发完成1200V和650VSiC二极管平台搭建,新增产品20余款,相关产品进入量产阶段,并批量供货给多家行业龙头客户。

（4）SiC功率模块产品已通过客户测试,相关产品处于小批量阶段。

（5）100V/200VGaNHEMT产品开发中。

汽车电子平台：（1）上半年持续丰富公司车规级产品矩阵,累计新增55款车规级产品,所有产品均顺利通过AEC-Q101车规认证。

其中40V电压平台新增20款产品,60V电压平台新增12款产品,100V~150V中高压平台新增14款产品,P型40~60V电压平台新增9款产品。

本次新增产品主要采用PDFN3*3、PDFN5*6、TOLT、TOLL等主流封装形式,精准适配汽车电子零部件高功率密度、高散热效率的行业发展趋势与终端需求,有效完善了公司车规产品布局,为产品后续规模化市场应用筑牢技术与产品基础。

（2）稳步推进车规产品原材料与生产环节国产化替代工作,针对晶圆衬底、外延、键合引线、引脚框架、焊接材料等核心物料完成国产化适配开发。

通过供应链国产化升级,有效规避外部供应链风险,全面保障公司车规产品供应链自主安全,同时实现生产降本增效。

其中,Cu键合工艺已顺利完成工程验证,后续将加速推进小批量试制与产业化验证工作,进一步落地国产化替代方案。

（3）依托TrenchMOS晶圆核心技术平台,持续拓展车规级P型功率MOSFET产品家族版图。

目前已有5款新品完成全方位可靠性验证,现已进入客户DV认证阶段。

该系列产品具备高性价比、宽安全工作区（SOA）的核心优势,量产后可进一步丰富公司汽车功率器件产品体系,为车企及车载零部件客户提供差异化、高适配的P型车规级产品解决方案。

（4）聚焦车载48V电气系统应用场景,针对性布局80V~150V电压段产品研发,其中100V,3mohmsToll封装产品,成功导入国内头部Tier1厂商DCDC电源系统供应链,目前已实现大批量量产交付,市场落地成果显著。

（三）生产运营报告期内,公司生产运营工作紧密围绕年度经营目标有序开展。

面对行业整体供给紧张,原材料、生产成本持续上行的现状,运营部门一方面积极与供应商开展多轮商务洽谈与资源协调,全力争取更多产能配额,建立常态化价格监控机制,实时跟踪市场原材料行情走势及供应商报价变动,主动联动合作供应商开展成本复盘拆解,通过长期战略合作议价、批量集中下单、年度锁价合作等方式优化成本；另一方面构建多元化供应链,持续拓展供应商资源渠道,加速推进芯片研发匹配,全力推动新项目落地量产,进一步扩充整体产能储备,夯实供应链交付能力。

同时,公司积极推进供应链国产化替代战略,全力配合封装材料国产化落地推进工作,稳步推进封装供应链自主可控,降低进口材料依赖及供应链风险。

公司持续强化供应链统筹协调与产品成本管控能力,保障了公司供应链的稳定供应。

公司在芯片代工、封装测试等关键环节实现产销高效衔接与产能灵活调配,为后续深化合作及产能保障奠定了坚实基础。

报告期内,公司积极开拓芯片代工产能,8寸及12寸芯片回货量明显增长,其中FRD产品、SiCMOSFET产品出货量实现大幅提升。

与此同时,探索封装技术创新,开发了QDPAK、TSC5X7等高性能封装工艺支撑产品竞争力提升；加强数字化转型,全面实现订单电子化,提高运营工作效率；在团队建设方面,公司注重提升员工专业技能与综合素养,为高效运营和业务创新提供了坚实的人才保障。

（四）子公司建设1、电基集成公司全资子公司电基集成,专注为公司提供优质、稳定的封装与测试资源保障。

报告期内,受下游终端市场需求旺盛驱动,子公司核心封装产线持续保持满产运行状态,经营规模实现持续提升。

为抢抓市场发展机遇、保障订单交付能力,公司上半年重点针对TOLL、TO-247等市场需求量较大的功率器件封装产品实施产能扩产改造。

根据当前项目推进进度,预计下半年TOLL、TO-247产品产能将实现约一倍增长,其余各扩产封装形式产能也将获得20%-50%的不同幅度提升,进一步夯实公司功率器件封装业务的供给保障能力。

伴随公司IPM（智能功率模块）及SiC业务板块的快速放量,封装测试环节的产能瓶颈正逐步显现。

为缓解当前IPM及SiC封装工序的产能紧张态势,子公司电基集成将积极扩大相关产品的流片后道加工及规模化生产规模,从而弥补现阶段产能短板,提升综合制造交付能力,为公司未来业务规模的持续增长提供坚实支撑。

信息化建设方面,CIM二期、WMS四期、PMS系统相继完成验收并投入使用。

其中,CIM系统整合生产管理系统（MES）与设备自动化系统（EAP）,PMS系统为预防性维护系统（PreventiveMaintenanceSystem）,有效提升公司生产运营智能化与精细化管理水平。

作为区域内稀缺的同时斩获三大权威认证的高科技企业,电基集成以“智能制造+云端赋能+物联网融合”的多维能力,形成差异化竞争优势。

2、金兰半导体公司的控股子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司,其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。

随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛,金兰功率半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展,成为公司发展道路上新的业绩增长点。

目前公司已建立一支完整的包括产品开发、工艺技术、设备维护的技术团队,该团队大部分成员有十几年丰富的IGBT模块产品及工艺开发经验,也有很好的生产品质管理经验。

完成建设第一条IGBT模块的封装测试产线,生产线所选用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备,满产后可达到产能6万个模块/月。

产品开发方面：（1）开发完成：基于650V和1200V电压平台,使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片,完成了9个模块产品平台的开发,为L34、LE1、LE2、LE3、L62、LD3、LQ2、LN2、LN3,电路拓扑有半桥、全桥6单元、PIM7单元、INPC、TNPC、ANPC等。

以应用领域而分,在工业控制,完成开发了电流覆盖10A~800A的101款产品；在光伏逆变、储能、风电领域,完成开发了电流100A~600A的43款产品；在电源应用和电网自动化领域,完成开发了27款产品；在焊接应用领域,完成开发1200V电压平台上电流40A~300A系列产品15款,其他领域包括SIC模块23款产品。

（2）正在开发：基于750V、1200V、1400V、1700V产品平台,使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片和第三代SICMOS芯片,1款600A/750V储能模块：1款2毫欧1200V固态断路器SIC模块；基于升级的1400V产品平台,使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片,3款10A50A75A应用于马达驱动；多款1700V平台产品应用于风电、高压电机驱动、高压SVG、集中式储能；第三代SICMOS芯片,多款SIC模块正在开发,模块内阻从2毫欧到5毫欧不等,应用于高频焊机、车载电源管理、固态变压器（SST）等应用。

公司已初步完成各应用领域的产品布局,接下来计划在原有产品平台上拓展产品,完善产品系列,同时积极开发针对新应用领域的产品,如固态变压器（SST）、固态断路器应用领域等。

截止到2026年上半年公司申请了专利39项（其中10项为发明专利）,已授权34项（发明5项）；通过了“无锡市智能制造成熟度二级”、“科技型中小企业”、“江苏省星级上云企业”的认定。

3、国硅集成公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司,专注于智能功率集成电路芯片设计,具备自主研发体系,掌握多项国内领先的核心技术,产品应用覆盖汽车电子、光伏及储能、数据中心、工业控制等领域。

自纳入公司合并报表范围以来,国硅持续加强研发体系建设与生产质量管控,已通过ISO9001质量管理体系认证。

在驱动芯片领域,国硅已形成从低压到高压、从分立驱动到智能模块的全覆盖产品布局。

低侧驱动系列：25V低侧驱动已量产50款,产品成熟度及出货规模持续提升。

2026年上半年,公司新增35V耐压档产品17款,进一步拓展至SiCMOSFET驱动、光伏MPPT及家电PFC等应用场景,适配第三代半导体及新能源需求增长趋势。

低压桥式驱动系列：40V桥式驱动已量产11款,主要应用于中小功率风机、中低压水泵及小型电机等领域。

高压桥驱动系列：250V半桥驱动已量产55款,期内新增10款,覆盖智能短交通、电动工具等市场；700V高压半桥驱动已量产58款,期内新增12款,面向储能及工业控制等高压应用场景。

高压产品线的持续扩充,契合储能、工控等领域对高耐压驱动的需求增长。

碳化硅智能功率模块（SiC-IPM）：该产品线于2025年布局,涵盖半桥IPM及三相桥IPM两种架构。

报告期内,SiC-IPM产品已在头部厂商及标杆风机客户实现量产交付,应用覆盖大家电、小家电、水泵、高压吊扇、高速吹风筒等终端市场,商业化推进进展符合预期。

量产应用情况：上述驱动芯片及功率模块产品已在储能、工业控制、电池化成柜、智能短交通、电动工具等多个领域的头部客户实现大批量出货,产品验证及客户导入持续推进。

2026年上半年,国硅通过高新技术企业复审,并获无锡市太湖湾科创带企业补助。

知识产权方面,期内新增授权知识产权5项（均为发明专利）。

截至报告期末,国硅累计获得知识产权73项,其中专利25项（含发明专利18项、实用新型7项）,集成电路布图设计47件,软件著作权1件。

4、SingaporeErubyMicroelectronicsPte.,Ltd功率半导体全球市场规模中,海外市场占比约60%,市场空间广阔。

公司海外全资子公司SingaporeErubyMicroelectronicsPte.,Ltd.已正式投入运营并高效运转,承载海外研发中心及全球销售中心两大核心功能。

该子公司的设立是公司深化全球化战略布局的重要举措,旨在借助新加坡作为国际人才与科技创新高地的区位优势,推动功率半导体前沿技术的研发与突破。

海外研发中心为公司的半导体功率器件提供底层原理性技术创新和突破,作为公司在国内研发中心的海外拓展及前瞻项目布局,前瞻性的开发功率前沿技术,主要产品包括高集成度智能化电机驱动IC芯片、高集成度电源管理IC芯片（含高压隔离型高集成度电源管理IC芯片、高功率密度高集成度电源管理IC芯片）,这两大平台产品与母公司现有市场、客户群体的需求高度吻合,结合公司既有且在发展的分立器件、功率模块等产品,助力公司成为整体应用方案提供商。

在研发层面,子公司聚焦国际功率半导体领域最新技术趋势,致力于跟踪并掌握行业顶尖技术动态,同时建立与全球领先企业的技术交流与合作机制,持续提升公司研发团队的技术素养与创新能力。

报告期内,公司组建了一支具备深厚智能功率IC及模拟集成电路研发经验的海外团队,有效增强了公司在高压高功率密度集成领域的技术储备。

基于该团队的研发能力,公司已顺利完成两款智能高边开关集成电路的设计工作。

样品已完成测试。

设计更新工作正在进行中。

该系列产品主要面向12V及24V汽车车身控制与配电系统,依托海外代工厂的先进功率器件工艺平台,提供多种导通电阻选项,可满足不同负载场景下的应用需求。

与此同时,面向服务器电源、AC-DC电源及家用电器等领域的LLC及PFC控制器正处于研发阶段。

该类产品可与公司SiCMOSFET产品协同使用,实现更高开关频率、更大输出功率及更高功率密度,同时有效降低系统热损耗,助力下游客户提升电源系统整体能效。

未来,公司海外研发团队将持续聚焦AI数据中心、电动汽车等高端应用领域的快速增长需求,依托国际化人才与技术资源,推动行业领先的集成化功率器件与电源控制芯片产品的研发迭代,进一步完善公司产品生态,提升在高端市场的综合竞争力。

在经营及销售方面,公司海外全资子公司SingaporeErubyMicroelectronicsPte.Ltd.已正式投入运营并保持有序运转,主要承担公司全球销售中心职能。

报告期内,Eruby已组建一支具备多语言能力、熟悉当地市场环境并拥有功率半导体专业知识的国际化销售团队,以新加坡为核心枢纽,统筹海外客户开发、渠道管理、技术支持及区域业务拓展,持续加强对东南亚、印度、欧洲及北美等重点市场的客户覆盖与本地化服务能力。

市场拓展方面,Eruby重点推进东南亚经销商网络建设,并积极开拓印度等高潜力市场。

其中,在印度和越南市场,公司通过客户拜访、技术交流及项目跟进,深入了解客户应用需求,加快产品推荐、样品测试及项目认证。

同时,公司积极参与及支持越南当地展会和行业活动,集中展示新洁能、金兰半导体及国硅集成产品组合,并通过展后客户筛选、持续跟进及技术支持,推动潜在需求向实际项目转化。

代理商建设方面,Eruby持续拓展重点市场的本地经销商,并通过定期项目检讨、联合客户拜访、产品培训及市场推广等方式,深化与现有区域经销商的合作,提升其产品推广、客户服务及项目转化能力。

同时,公司不断加强新加坡销售中心、区域经销商与技术团队之间的协同,持续优化客户开发、项目管理、报价、送样及交付流程,逐步完善区域销售与服务体系。

目前,Eruby已在光伏逆变与储能、电动汽车、工业电机驱动、数据中心UPS及服务器电源、电动自行车等应用领域取得积极进展,部分相关产品已实现批量交付。

海外市场拓展及渠道建设成效逐步显现,为公司海外业务持续增长及全球化战略的深入推进奠定了良好基础。

（五）内部管理报告期内,公司持续完善内部治理体系,不断健全内部控制制度与流程管理体系。

通过强化内部培训与企业文化建设,公司进一步整合优化各项制度流程,提升了组织协同效率与整体运营能力。

同时,严格按照资本市场规范要求,持续提升公司治理水平和合规运营能力,确保公司运作透明、规范、高效。

在信息披露方面,公司严格遵守相关法律法规,认真履行信息披露义务,确保信息披露的及时性、真实性、准确性和完整性,保障投资者公平获取公司信息的权利。

公司高度重视投资者关系管理,通过多元化沟通渠道加强与投资者的互动交流,积极传递公司价值,树立了良好的资本市场形象。

此外,公司在合法合规的前提下,聚焦主业发展,稳步推进市值管理工作,致力于做优做强公司价值,并积极借力资本市场工具,推动公司实现高质量、可持续发展。

（六）资本市场2026年1-6月,公司紧紧围绕整体发展战略,持续关注并积极推进外延式发展机遇。

投资方向重点聚焦于功率半导体产业链上下游及相关领域,通过直接或间接方式,对国家战略性新兴产业中具备良好发展前景与增长潜力的企业进行股权投资,稳步推进横向整合与纵向延伸。

通过上述资源整合,公司充分发挥产业链协同效应,进一步加深与核心客户的合作黏性,提升对下游市场的响应能力与理解深度,为新品精准开发及快速市场化推广奠定了坚实基础。

相关举措有效增强了公司的核心竞争力,有助于提升长期盈利能力,实现经济效益与社会价值的协同增长。

同时,公司积极通过产业投资拓展产品线布局,不断完善产业链生态体系,加快产品集成化进程,为公司可持续发展注入新动能。

报告期内,公司参股投资了专注于高性能特色工艺功率器件及功率集成电路生产的高科技企业；以及掌握GPU核心架构和软件驱动、专注于图形图像和AMOLED显示驱动解决方案的研发与应用的高新技术企业。

相关投资有利于公司产能开拓,构建从研发、制造到市场应用的全链条合作体系,夯实交付能力,完善产业链布局。

（七）荣誉奖项截至目前,公司新增荣誉如下：2025年中国半导体行业功率器件十强企业江苏省“1650”产业体系“补短板”技术攻关项目国家级专精特新小巨人复审。

2012年11月15日,公司召开创立大会,决议发起设立新洁能,发起人为朱袁正、新潮集团和新洁能半导体。

新洁能设立时法定代表人为朱袁正,股本为1,000万元,经营范围为电力电子元器件、集成电路、电子产品的研发、设计、技术转让;利用自有资产对外投资;环境保护专用设备的制造、销售;自营和代理各类商品及技术的进出口业务。

2012年12月25日,无锡大方会计师事务所(普通合伙)出具“锡方会师内验字(2012)第052号”《验资报告》,截至2012年12月25日,公司(筹)已收到全体股东缴纳的注册资本(实收资本)1,000万元,均以货币出资。