新洁能 - 605111.SH

主营业务：MOSFET、IGBT等半导体功率器件及功率模块的研发设计及销售

经营范围：电力电子元器件的制造、研发、设计、技术转让、技术服务、销售;集成电路、电子产品的研发、设计、技术转让、技术服务、销售;计算机软件的研发、技术转让;利用自有资产对外投资;环境保护专用设备的制造、销售;自营和代理各类商品及技术的进出口业务(国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)

无锡新洁能股份有限公司(以下简称“公司”)成立于2013年1月,拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体、国硅集成电路四家子公司以及深圳分公司、宁波分公司。

公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,产品优质且系列齐全,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域;未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展,公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。

公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和封装成品。

公司是专业化垂直分工厂商,芯片由公司设计方案后交由芯片代工企业进行代工生产,封装成品由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。

公司为国内MOSFET等半导体功率器件设计领域领军企业,2016年以来连续五年名列“中国半导体功率器件十强企业”。

公司已建立江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工作站、东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心、江南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心。

公司参与的“智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用”项目获得了2019年度江苏省科学技术一等奖,且获得2020年度国家级技术发明奖。

公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品,是国内率先掌握超结理论技术,并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一,是国内提前早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的企业,也是国内MOSFET品类齐全且产品技术先进的公司。

同时,公司是国内较早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一,产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品、达1700余种,为国内MOSFET等功率器件市场占有率排名前列的本土企业。

公司将进一步依托技术、品牌、渠道等综合优势,结合大尺寸晶圆芯片(8英寸、12英寸)先进工艺技术,开拓国际先进功率器件封装制造技术,全力推进高端功率MOSFET、IGBT、集成功率器件的研发与产业化,持续布局半导体功率器件先进前沿的技术领域,并投入对SiC/GaN宽禁带半导体、智能功率器件的研发及产业化,提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。

2020年9月28日,公司在上交所主板完成挂牌,证券代码:605111。

报告期内,公司共实现营业收入187,706.95万元,较去年同期增加2.66%；其中主营业务收入186,964.41万元,较去年同期增加2.68%；归属于上市公司股东的净利润39,363.19万元,较去年同期减少9.42%。

（一）市场营销近年来,在国家政策大力推动半导体产业国产化进程的宏观背景下,叠加新能源汽车、AI算力基础设施、工业机器人及光伏储能等战略性新兴市场的爆发式增长,公司所处的功率半导体行业迎来结构性复苏机遇。

下游核心应用需求持续释放,带动行业整体订单量回升,国产功率半导体凭借在性价比、响应速度及本土化服务等方面的突出优势,市场份额稳步提升。

与此同时,随着前期库存逐步消化,行业库存水位回归合理水平,库存结构显著优化,产品周转效率有效提升,标志着行业已逐步摆脱周期性低谷,步入高质量发展的复苏新阶段。

尽管行业整体呈现向好态势,但市场竞争亦日趋激烈。

国际头部厂商为巩固在国内的市场地位,主动调整经营策略,一方面加速核心技术本土化落地,另一方面通过产品下沉及与本土企业合作等方式深耕国内市场；国内同行则因部分中低端产品同质化严重,采取价格竞争策略,以短期利润换取市场份额,进一步加剧了行业部分领域供大于求的矛盾,对全行业盈利空间和发展质量形成一定挑战。

面对机遇与挑战并存的市场环境,公司始终坚持“技术驱动、市场导向”的发展战略,以积极姿态应对行业变革。

内部持续深化以客户需求为核心的运营体系,快速响应定制化需求；外部着力开拓新兴市场蓝海,挖掘优质新客户资源,持续优化市场布局。

依托长期积累的核心技术领先优势、覆盖全场景的丰富产品矩阵,以及高效产业链协同能力,公司不断推进产品结构、市场结构与客户结构的三重优化升级。

凭借过硬的产品实力与综合服务能力,公司在战略新兴领域取得突破性进展：产品已顺利通过新能源汽车及充电桩、AI服务器与数据中心、工业机器人、高端无人机、光伏储能等赛道头部客户的严格认证,并实现规模化量产销售,有力推动公司在中高端功率半导体市场的销售规模持续扩大,凭借在核心场景的稳定表现,公司品牌认可度与核心竞争力显著提升,差异化竞争壁垒逐步构建。

此外,公司全球化战略布局在报告期内取得里程碑式进展。

作为公司拓展海外市场的核心枢纽,新加坡研发及销售中心已于上半年正式建成并投入运营,目前已全面启动对东南亚、欧洲、北美等地区海外客户的技术支持与市场服务。

该中心的落地具有多重战略价值：既是深化全球化布局的重要支点,助力公司融入全球半导体产业链分工；也是推动产品升级迭代的研发高地,依托国际化人才与技术资源,加速产品向国际高端标准靠拢；同时更是拓展海外销售渠道的前沿阵地,为公司抢占全球功率半导体市场份额开辟了新路径。

产品结构方面：（1）SGT-MOSFET产品：现已成为公司综合竞争力最强、销售规模最大及客户群体最为广泛的核心产品平台。

2025年,公司SGT第三代产品全系列成功推向市场,广泛应用于汽车电子（含舱域控制器、油泵/水泵控制器、智能辅助驾驶系统）、AI算力与大功率数据中心、通讯电源、无人机、电机控制、工业电源及新一代高功率密度电动工具等战略新兴领域。

报告期内,受益于汽车电子、储能、无人机、电动工具及AI算力服务器等下游市场需求持续释放,公司订单保持稳健增长。

公司积极把握市场机遇,强化销售前端与研发、运营部门的高效协同,及时响应客户需求,提前布局备货并充分利用扩大的产能保障供应。

得益于上述举措,公司SGT-MOSFET产品2025年实现销售收入8.66亿元,占主营业务收入比例为46.3%。

（2）IGBT产品：光伏与储能市场为公司IGBT产品的主要应用领域,在此基础上,公司持续加大在汽车电子、变频家电及工业控制等领域的市场推广力度,进一步拓展产品应用范围,提升销售规模。

2025年,公司第七代IGBT产品进入批量供货阶段,第八代IGBT产品亦实现市场销售,在光储、工业变频、伺服驱动等领域获得客户认可,逐步形成销售规模。

报告期内,公司IGBT产品实现销售收入2.79亿元,占主营业务收入比例为14.9%。

（3）SJ-MOSFET产品：公司SJ-MOSFET产品广泛应用于家电、汽车车载充电器（OBC）、充电桩、微型逆变器、移动储能、AI服务器电源、工业电源及消费电子等领域。

2025年,公司在移动储能、AI服务器电源及工业电源等市场的推广取得积极进展,销售规模稳步提升。

但在小电流小封装消费电子领域,市场价格竞争激烈,公司针对性加大第四代SJ-MOSFET产品的推广力度,凭借产品性能优势积极扩大市场份额；同时,在汽车OBC及充电桩领域,持续加强大电流产品推广力度。

报告期内,公司SJ-MOSFET产品实现销售收入2.05亿元,占主营业务收入比例为11.0%。

（4）Trench-MOSFET产品：Trench-MOSFET作为公司最早量产的成熟工艺平台,具备应用领域广泛、客户基础稳固的优势,在智能家居、电动工具、消费电子、工业控制等市场占据重要地位,并在光伏储能、汽车电子等领域实现多款产品的成功导入与量产销售。

但与此同时,Trench-MOSFET市场竞争最为激烈,部分中低端产品同质化严重,国内部分设计公司及封装厂采取降价策略争夺市场份额,对行业盈利空间形成压力。

公司根据市场变化及时调整产品销售价格,在稳固现有市场地位的同时积极寻求增量机会。

2025年第四季度以来,Trench-MOSFET对应市场需求快速恢复,出现供不应求的局面,对全年销售产生积极影响。

报告期内,Trench-MOSFET产品实现销售收入4.86亿元,占主营业务收入比例为26.0%。

2026年以来,Trench-MOSFET市场需求呈现旺盛趋势,公司将积极把握时机,充分利用产能资源,力争实现业务规模的进一步突破。

市场结构和客户结构方面：报告期内,公司坚持深耕存量市场与拓展增量客户并重,持续提升重点领域的市场份额。

通过深度挖掘客户需求,公司加速推动潜在客户的验证导入及量产落地进程,不断增强市场响应能力与客户服务深度。

在市场战略层面,公司坚定实施“国内市场为主、海外市场为辅”的双轮驱动策略：一方面,持续深化与国内行业头部客户的战略合作,巩固并扩大本土市场优势；另一方面,以新加坡子公司为海外核心枢纽,稳步推进全球化布局,积极拓展东南亚、欧洲及北美等重点市场,进一步提升公司在全球功率半导体领域的品牌影响力与市场份额。

从具体结构来看：汽车电子领域：在车规级功率器件领域,公司已构筑起具备核心竞争力的产品技术护城河。

截至报告期末,公司累计推出车规级功率器件产品逾330款,报告期内出货量突破2亿颗,产品矩阵全面覆盖车身控制、智能座舱、智能驾驶、动力总成及底盘系统五大核心应用领域,并广泛应用于OBC、DC-DC转换器、线控底盘、PTC加热器等关键汽车模块。

凭借卓越的产品性能及长期稳定、高质量的交付能力,公司已获得比亚迪、联合电子、星驱、富特科技、伯特利、阳光电动力等国内一线Tier1供应商及头部车企的深度认可与广泛合作,市场领先地位持续巩固。

与此同时,公司精准把握行业技术演进趋势,前瞻性布局成效显著：针对48V车载系统开发的80V-150V功率MOSFET产品已实现大规模量产,并进入客户端小批量试产阶段；面向800V高压平台的车规级SiCMOSFET产品正处于产品验证阶段,有望成为公司未来业绩增长的重要新引擎。

工业自动化领域：报告期内,公司工业自动化领域相关产品在无人机、电动工具、伺服变频及具身机器人等细分市场实现高速增长。

公司前瞻性布局低空经济产业链核心客户（如大疆、好盈科技等）,MOSFET产品作为电能转换与电路控制的核心器件,已广泛应用于无人机电池管理系统（BMS）、电池充电储能舱及电机驱动系统等关键部件。

伴随具身机器人市场的快速发展与应用场景的持续拓展,公司多款产品已成功导入机器人关节电机驱动系统、电池管理系统等核心环节,并实现对宇树科技等头部客户多款机型的批量供货。

未来,公司将紧跟客户需求迭代,持续开发适配机器人应用的高性能产品,推动该领域销售规模持续提升。

AI算力及通信领域：2025年,受益于AI算力需求的爆发式增长,全球半导体市场保持高速发展态势,高阶算力芯片及HBM高带宽内存需求尤为旺盛,带动服务器算力供电系统（包括SST、AIDC、二次DCDC电源等）细分领域快速增长。

公司紧密跟踪行业发展趋势,前瞻性布局AI算力及通信市场,自主研发的SiCMOSFET及高速SGTMOSFET产品在可靠性和能效方面已达到与欧美竞品相当的水平。

报告期内,公司相关产品成功导入多家新兴AI算力服务器客户,并实现海内外市场的批量销售,且更多的产品在高端客户开展送样验证,为公司在中高端功率半导体市场的持续拓展奠定了坚实基础。

光伏储能领域：报告期内,受益于国内外光伏储能行业政策激励及欧洲市场库存周期结束后的需求回暖,行业呈现高速反弹态势。

公司秉持长期主义理念,聚焦全球能源结构转型趋势,IGBT及MOSFET产品精准定位于光伏及储能应用场景,深度服务阳光电源、德业股份、上能电气、固德威、科华数据等头部客户。

为满足客户多样化需求,公司在光伏储能市场同步布局功率模块、大电流单管及SiC产品,并针对微型逆变器、阳台储能、户用储能及工商业光储系统等细分应用场景进行精细化市场拓展。

得益于上述布局以及下游客户的强需求,公司在该领域的销售规模预计将实现稳步增长。

（二）研发创新2025年度,公司实现研发投入11,794.62万元,占营业收入的比例为6.28%。

截至目前,公司（含子公司）拥有249项专利,其中发明专利130项（不含已到期专利）,集成电路布局图47项,软件著作权1项,此外,公司参与在IEEETDMR等国际知名期刊中发表论文22篇,其中SCI收录论文15篇。

SGTMOS平台：(1)具有业界最小单位元胞尺寸（CellPitch）的N25V第三代SGTMOS平台动静态参数符合预期,正在进行可靠性验证,目标市场为AI算力、大功率数据中心、PC电脑等。

(2)具有业界最小单位元胞尺寸（CellPitch）的N40V第三代SGTMOS平台完成平台系列化拓展,产品数量已拓展至148款,其中车规产品62款,包含sTOLL、TSC5x7、双面散热DFN5x6、双面散热DFN3x3等先进封装。

(3)N40V第三代SGTMOS产品已经全面进入量产阶段,涉及行业有新能源汽车、大功率数据中心、工业电源、电机驱动等。

(4)N80V第三代SGTMOS平台和N100V第三代SGTMOS平台Rsp相较于上一代产品分别降低35%和50%,均通过工规和车规考核,这两个平台全面进入量产阶段,产品进入AI算力、新能源汽车、光伏储能、电机驱动、工业电源等行业。

(5)达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性N150V第三代SGTMOS平台,器件核心综合性能优值（FOM）较业界同规格最优竞品降低达25%以上,该平台产品已在新能源汽车、光伏储能、服务器电源、植物照明、工控电源领域大批量使用,市场需求量持续增加。

(6)基于N250V第一代平台完成超快恢复平台开发,其动静态参数符合预期,反向恢复电荷Qrr相对上一代产品降低86%,目前处于市场推广阶段,主要针对通信、电机控制、工业电源等应用领域。

(7)基于华虹12寸新产线,N100V第二代SGT平台和N80V/N100V第三代SGT平台均不但完成技术转移,并且实现大批量投产。

(8)N120V、N200V、N250V第三代SGTMOS平台首个工程批已完成流片,基本功能均满足需求,部分参数需进一步调试。

(9)N40V第五代SGTMOS平台和N80V第五代SGTMOS平台已完成仿真设计,目前处于工程开发阶段,目标市场AI算力、大功率数据中心、通信、高能效电源等领域。

TrenchMOS平台：(1)在8寸平台TTO结构的P60V~200V平台完成系列衍生产品,P250V~300V工艺平台完成模拟优化和设计定型,确认工艺条件和材料片基本确定,待ETO和工程流。

(2)TTO结构的N200V工艺平台工程流片结果表明窗口需进一步优化,已完成进一步模拟优化,待新ETO&工程流片。

(3)完成用于穿戴设备的G2世代CSPN12V系列产品后道流程的固化及量产,更高电压系列CSP产品（N20V、N30V）完成设计定型和ETO,工程流片中。

(4)G3世代CSP12V产品工艺平台后道工艺（超薄Si+超厚背面金属）完成初步评估待进一步工程确认并固化(5)宽SOA的平台产品通过汽车客户所有严苛评测,工艺固化具备量产能力。

(6)在12寸平台完成第六代（0.65umCellPitch）N30V产品平台工艺初步固化。

(7)N30V超短沟工艺优化基本达成参数要求：Rsp优化7%,待工艺固化后会展开到全系列产品。

(8)带ESD的N30V工艺平台基本frozen。

开发N40&60V红磷衬底工艺平台进一步优化Rsp,工程流片中。

(9)0.9umN60V产品工艺平台基本固化：Rsp优化12%,将衍生出系列产品。

(10)用于三代半导体cascode合封的N30V高Vth&高ESD产品工艺条件frozen,三家客户完成验证。

(11)进一步丰富了车规产品家族。

IGBT平台：(1)第七代微沟槽高功率密度IGBT产品在2座12英寸晶圆厂和3座8英寸晶圆厂均已实现量产,产品平均良率大于97%,第七代IGBT产品目前在新能源汽车、光伏、储能、电能质量、OBC、充电桩,消费电子等行业都已批量交付。

(2)基于1.2um工艺平台的第八代微沟槽高功率密度IGBT已经在8寸和12寸同步开发,目前已经有650V、750V和1200V产品工程批产出。

(3)第八代IGBT产品在确保器件击穿电压耐测性的同时,器件漂移区厚度降低10%以上,器件开关损耗和导通损耗大幅降低,器件电流密度可以上升10~20%。

此外,随着电流密度提升,芯片尺寸变小,IGBT器件短路能力理论上会下降,第八代IGBT中使用了新的短路能力优化技术,在保证器件短路电流的前提下,可以确保IGBT的短路能力符合器件和模块的要求。

(4)目前第八代产品1200V高频系列已经在核心客户进行应用测试,1200V中频短路系列产品已经有PIM模块客户通过应用测试,开始排量供货。

(5)第八代650VRCIGBT也有工程批产出,参数基本符合预期,已经有消费电子客户开始进行应用测试评估。

(6)1400V和1700V第八代IGBT产品已经完成MPW工程流片,产品参数基本符合设计预期,已进入单芯片产品开发阶段。

(7)1400VFRD和1600V整流二极管已经完成产品开发和可靠性验证,1700VFRD产品开发中,研发进度基本于IGBT芯片同步。

SJMOS平台：(1)第四代600~650VSJMOS产品目前已经在fab2、fab7、fab9全面量产,基于12寸工艺平台的第四代800V/900V深沟槽SJMOS平台产品已经通过可靠性考核和客户试用,正式进入量产阶段。

第四代SJMOS产品已在汽车电子、工业电源、消费电子、新能源等行业批量交付。

(2)在12寸工艺平台上,基于第四代SJMOS设计开发优化特征导通电阻（Rsp）和EMI特性的小电流产品,已完成可靠性测试,样品已经通过客户端验证,产品在保证温升达标的前提下,EMI性能大幅度改善,且产品成本大幅度降低,已经完成360mohm~900mohm的650V和700V多款产品开发,开始进入批量阶段。

(3)第五代600~650VSJMOS平台基于7umpitch设计,使用优化工艺、材料规格,在12寸晶圆厂已经完成多轮工程流片,目前产品参数已经达成设计目标,正在进行一致性和良率优化,预计2026年Q2投入市场。

(4)650V第五代7umpitchSJMOS特征导通电阻（Rsp）降低至0.80欧姆每平方毫米(Ω.mm2),进一步提升器件功率密度,可以在相同器件规格中使用更小的封装体积,并且进一步降低器件成本。

目标市场主要是对器件成本、体积和效率由要求的应用中,如大功率汽车OBC、铂金电源等。

(5)LVSJMOS150V~300V产品已经开始工程开发,目前正在进行工程流片。

第三代半导体功率器件平台：(1)公司第2代和第2.5代SiCMOSFET平台已全面进入量产,电压段覆盖650V/750V/900V/1200V/1700V平台,导通电阻覆盖13mohm~1ohm,新增产品型号40余款,相关产品已通过车规级AEC-Q101可靠性考核,并通过多家头部客户测试评估,实现批量供货,主要用于光伏逆变、储能、新能源汽车充电桩、汽车OBC、工业可靠性设备、工业电源、工业自动化、家用电器等领域。

(2)第三代SiCMOSFET产品平台完成工艺平台开发,相关产品处于可靠性验证阶段。

(3)同时,公司还规划有和传统硅基IGBT/超结MOSFET驱动完全兼容的SiC产品,相关产品已完成工艺设计、产品设计,处于工程验证阶段。

(4)已开发完成1200V和650VSiC二极管平台搭建,新增产品20余款,相关产品进入量产阶段,并批量供货给多家行业龙头客户。

(5)开发SiC功率模块产品5款,相关产品处于客户验证阶段。

(6)100V/200VGaN产品开发中。

汽车电子平台：(1)基于第三代SGT晶圆开发的电压等级为40V的车规品,其中,PDFN3*3开发10款产品全部开发完成并取得车规认证,以导通电阻8mohm为代表的产品在车载无线充上实现大批量交付。

PDFN5*6开发24款产品,18款产品开发完成并取得车规认证,以1.5mohm为代表的产品在线控底盘EPB中实现大批量交付。

TOLL与sToll产品系列新增4款新品开发,累计11款产品,进一步细分产品规格,其中6款产品开发完成并取得车规认证,以0.8mohm为代表的产品在汽车电子稳定控制系统（ESC）上处于小批量验证中。

PDFN5*6双芯开发13款产品,10款产品开发完成并取得车规认证,以6.5mohm为代表的产品在车载150W水泵中实现批量交付。

(2)针对新能源汽车48V系统使用的80V~150V产品,累计开发完成40余款产品并取得车规认证,其中以100V1.5mohm的TOLT产品为例,已导入多家头部Tier1,应用在DCDC中,以其顶部散热的独特优势,进一步提高了其零部件的功率密度,处于小批量试产中。

(3)先进封装顶部散热PDFN5*7系列产品,已开发完成2款40V的产品,导通电阻典型值为0.7mohm,目前已给客户送样,处于DV验证阶段。

(4)适用于车载信号类需求的SOT-223产品系列,处于可靠性验证阶段。

(5)PDFN3*3双面散热、PDFN3*3dualDie封装平台处于产品可靠性验证阶段。

报告期内,公司进一步加大了研发方面投入,积极扩充研发团队,不断通过外部引进和自主培养等方式引进和培育高端技术人才,并积极组织内部学习和培训,以进一步加强AI与数据中心,新能源光储充、汽车电子、工业自动化、和半导体功率模块产品的开发力度。

（三）生产运营报告期内,公司生产运营工作紧密围绕年度经营目标有序开展。

面对市场供需环境的动态变化,运营部门前瞻布局,积极协同代工厂推进新品导入流程,快速完成产品验证并实现量产上量,持续强化供应链统筹协调与产品成本管控能力,保障了公司供应链的稳定供应。

公司在芯片代工、封装测试等关键环节实现产销高效衔接与产能灵活调配,目前已与十余家封测领域供应商建立并保持良好合作关系,为后续深化合作及产能保障奠定了坚实基础。

报告期内,公司芯片代工供应整体稳定,芯片回货量稳步增长。

其中,FRD产品出货量实现大幅提升,SiCMOSFET产品顺利进入批量生产阶段,并积极拓展代工资源以应对持续增长的市场需求。

与此同时,公司持续推进封装成本优化,构建多元化供应链体系,不断开发更具性价比优势的供应商资源；协同推进关键材料的国产化替代进程。

在团队建设方面,公司注重提升员工专业技能与综合素养,为高效运营和业务创新提供了坚实的人才保障。

（四）子公司建设1、电基集成公司全资子公司电基集成,专注为公司提供优质、稳定的封装与测试资源保障。

报告期内,电基集成公司应用于汽车电子、电池管理、电机驱动等关键领域的TOLL封装产品销售增长显著,同比增速显著。

产品与技术布局方面,PDFN3.3×3.3、sTOLL等无引脚先进功率封装已实现规模化量产；面向车载及工业设备应用的大功率双面散热封装技术已完成立项,相关研发工作稳步推进。

信息化建设方面,CIM二期、WMS四期、PMS系统相继完成验收并投入使用。

其中,CIM系统整合生产管理系统（MES）与设备自动化系统（EAP）,PMS系统为预防性维护系统（PreventiveMaintenanceSystem）,有效提升公司生产运营智能化与精细化管理水平。

作为区域内罕有同时斩获三大权威认证的高科技企业,电基集成以“智能制造+云端赋能+物联网融合”的多维能力,形成差异化竞争优势。

2、金兰半导体公司的控股子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司,其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。

随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛,金兰功率半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展,成为公司发展道路上新的业绩增长点。

目前公司已建立一支完整的包括产品开发,工艺技术,设备维护的技术团队,该团队大部成员有十几年丰富的IGBT模块产品及工艺开发经验,也有很好的生产品质管理经验。

完成建设第一条IGBT模块的封装测试产线,生产线所选用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备,满产后可达到产能6万个模块/月。

产品开发方面：（1）开发完成：基于650V和1200V电压平台,使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片,完成了9个模块产品平台的开发,为L34、LE1、LE2、LE3、L62、LD3、LQ2、LN2、LN3,电路拓扑有半桥、全桥6单元、PIM7单元、INPC、TNPC、ANPC等。

以应用领域而分,在工业控制,完成开发了电流覆盖10A~800A的45款产品；在光伏逆变、储能领域,完成开发了电流100A~600A的34款产品；在电源应用和电网自动化领域,完成开发了18款产品；在电能质量领域,在650V平台,完成开发完全覆盖低压电能质量应用的4款产品；在焊接应用领域,完成开发1200V电压平台上电流40A~150A系列产品11款,其他领域25款产品。

（2）正在开发：基于750V和1200V产品平台,使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片和第三代SICMOS芯片,2款应用于商用车主驱的IGBT和SIC模块产品正开发:550A/750VIGBT模块和600A/1200VSIC模块；基于升级的750V、1100V和1400V产品平台,使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片,3款应用于光伏储能应用的产品正开发:150KW450A/750V储能模块,320KW600A/1100V逆变模块,600A/1400V逆变模块；第三代SICMOS芯片,多款SIC模块正在开发,模块内阻从2毫欧到5毫欧不等,应用于高频焊机、车载电源管理、固态变压器（SST）等应用。

公司已初步完成各应用领域的产品布局,接下来计划在原有产品平台上拓展产品,完善产品系列,同时积极开发针对新应用领域的产品,如固态变压器（SST）应用领域等。

截止到2025年5公司申请了专利39项（其中10项为发明专利）,已授权30项（发明4项）；通过了“无锡市智能制造成熟度二级”“科技型中小企业”“江苏省星级上云企业”的认定。

3、国硅集成公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司,致力于智能功率集成电路芯片的设计,拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术,应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。

自母公司控股以来,国硅持续注重研发与生产质量的建设与管理,并顺利通过ISO9001体系认证。

目前,国硅集成已实现量产25V低侧驱动系列产品33款（2025年新增15款）,适用于SiCMOS驱动、光伏MPPT应用,家电PFC应用；量产40V桥式驱动系列产品11款（2025年新增5款）,适用于中小功率风机、中低压水泵、小型电机；量产250V半桥驱动芯片45款（2025年新增15款）,适用于智能短交通、电动工具应用；700V半桥驱动芯片36款（2025年新增8款）,适用于储能、工业控制等应用；相关产品已经在储能、工控、电池化成柜、智能短交通、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。

国硅2025年新增的碳化硅智能功率模块（SiC-IPM）产品线,包括半桥IPM以及三相桥IPM,并在大家电、小家电、水泵、高压吊扇、高速吹风筒等市场展开推广、销售；IPM产品2025年已经在头部白电厂商和标杆风机客户实现批量供应。

国硅2025年通过：江苏省“两新”产品、无锡市三类企业遴选“瞪羚企业”等认定；国硅2025年通过：“规模以上企业”、科技型中小企业年审；国硅2025年获得无锡市太湖湾科创带规上企业及高新技术产业认定补助。

国硅集成2025年度新增授权知识产权11项,其中发明专利6项,集成电路布图5项。

截至目前国硅累计获得知识产权68项,其中专利20项（发明专利13项,实用新型7项）,集成电路布图47件,软件著作权1件。

4、SingaporeErubyMicroelectronicsPte.,Ltd功率半导体全球市场规模中,海外市场占比约60%,市场空间广阔。

公司海外全资子公司SingaporeErubyMicroelectronicsPte.,Ltd.已正式投入运营并高效运转,承载海外研发中心及全球销售中心两大核心功能。

该子公司的设立是公司深化全球化战略布局的重要举措,旨在借助新加坡作为国际人才与科技创新高地的区位优势,推动功率半导体前沿技术的研发与突破。

海外研发中心为公司的半导体功率器件提供底层原理性技术创新和突破,作为公司在国内研发中心的海外拓展及前瞻项目布局,前瞻性的开发功率前沿技术,主要产品包括高集成度智能化电机驱动IC芯片、高集成度电源管理IC芯片（含高压隔离型高集成度电源管理IC芯片、高功率密度高集成度电源管理IC芯片）,这两大平台产品与母公司现有市场、客户群体的需求高度吻合,结合公司既有且在发展的分立器件、功率模块等产品,助力公司成为整体应用方案提供商。

在研发层面,子公司聚焦国际功率半导体领域最新技术趋势,致力于跟踪并掌握行业顶尖技术动态,同时建立与全球领先企业的技术交流与合作机制,持续提升公司研发团队的技术素养与创新能力。

报告期内,公司组建了一支具备深厚智能功率IC及模拟集成电路研发经验的海外团队,有效增强了公司在高压高功率密度集成领域的技术储备。

基于该团队的研发能力,公司已顺利完成两款智能高边开关集成电路的设计工作。

该系列产品主要面向12V及24V汽车车身控制与配电系统,依托海外代工厂的先进功率器件工艺平台,提供多种导通电阻选项,可满足不同负载场景下的应用需求。

与此同时,面向服务器电源、AC-DC电源及家用电器等领域的LLC及PFC控制器正处于研发阶段。

该类产品可与公司SiCMOSFET产品协同使用,实现更高开关频率、更大输出功率及更高功率密度,同时有效降低系统热损耗,助力下游客户提升电源系统整体能效。

未来,公司海外研发团队将持续聚焦AI数据中心、电动汽车等高端应用领域的快速增长需求,依托国际化人才与技术资源,推动行业领先的集成化功率器件与电源控制芯片产品的研发迭代,进一步完善公司产品生态,提升在高端市场的综合竞争力。

在销售层面,子公司积极拓展海外市场渠道,强化对东南亚、欧洲及北美等重点区域的客户覆盖与服务能力,为公司抢占全球功率半导体市场份额提供有力支撑。

报告期内,公司已组建一支具备多国语言能力、熟悉当地市场环境且精通功率半导体专业知识的国际化销售团队,为新加坡销售中心的运营奠定了坚实的人才基础。

公司海外销售团队以新加坡为核心枢纽,重点布局东南亚经销商网络,并聚焦印度等潜力市场,在太阳能逆变及储能、电动汽车、工业电机驱动、数据中心UPS电源及E-bike等应用领域取得快速突破,相关产品已实现批量交付。

海外市场拓展成效初显,为公司全球化战略的深入推进奠定了良好基础。

（五）内部管理报告期内,公司持续完善内部治理体系,不断健全内部控制制度与流程管理体系。

通过强化内部培训与企业文化建设,公司进一步整合优化各项制度流程,提升了组织协同效率与整体运营能力。

同时,严格按照资本市场规范要求,持续提升公司治理水平和合规运营能力,确保公司运作透明、规范、高效。

在信息披露方面,公司严格遵守相关法律法规,认真履行信息披露义务,确保信息披露的及时性、真实性、准确性和完整性,保障投资者公平获取公司信息的权利。

公司高度重视投资者关系管理,通过多元化沟通渠道加强与投资者的互动交流,积极传递公司价值,树立了良好的资本市场形象。

此外,公司在合法合规的前提下,聚焦主业发展,稳步推进市值管理工作,致力于做优做强公司价值,并积极借力资本市场工具,推动公司实现高质量、可持续发展。

（六）资本市场2025年,公司紧紧围绕整体发展战略,持续关注并积极推进外延式发展机遇。

投资方向重点聚焦于功率半导体产业链上下游及相关领域,通过直接或间接方式,对国家战略性新兴产业中具备良好发展前景与增长潜力的企业进行股权投资,稳步推进横向整合与纵向延伸。

通过上述资源整合,公司充分发挥产业链协同效应,进一步加深与核心客户的合作黏性,提升对下游市场的响应能力与理解深度,为新品精准开发及快速市场化推广奠定了坚实基础。

相关举措有效增强了公司的核心竞争力,有助于提升长期盈利能力,实现经济效益与社会价值的协同增长。

同时,公司积极通过产业投资拓展产品线布局,不断完善产业链生态体系,加快产品集成化进程,为公司可持续发展注入新动能。

（七）荣誉奖项2025年,公司新增荣誉如下：2024年中国功率半导体十强企业2025年享受增值税加计抵减政策先进制造业企业资质2025年国家级创新型中小企业资质复审2025年江苏省专精特新小巨人企业资质复核2025年无锡市集成电路产业专项2025年无锡市数字经济和数字化转型发展资金项目2025年无锡市生态型创新联合体建设项目2025年无锡市新吴区集成电路产业发展资金项目。

2012年11月15日,公司召开创立大会,决议发起设立新洁能,发起人为朱袁正、新潮集团和新洁能半导体。

新洁能设立时法定代表人为朱袁正,股本为1,000万元,经营范围为电力电子元器件、集成电路、电子产品的研发、设计、技术转让;利用自有资产对外投资;环境保护专用设备的制造、销售;自营和代理各类商品及技术的进出口业务。

2012年12月25日,无锡大方会计师事务所(普通合伙)出具“锡方会师内验字(2012)第052号”《验资报告》,截至2012年12月25日,公司(筹)已收到全体股东缴纳的注册资本(实收资本)1,000万元,均以货币出资。