无锡新洁能股份有限公司

• 企业全称: 无锡新洁能股份有限公司
• 企业简称: 新洁能
• 企业英文名: WUXI NCE POWER CO.,LTD.
• 实际控制人: 朱袁正
• 上市代码: 605111.SH
• 注册资本: 41533.2567 万元
• 上市日期: 2020-09-28
• 大股东: 朱袁正
• 持股比例: 21.84%
• 董秘: 肖东戈
• 董秘电话: 0510-85618058-8101
• 所属行业: 计算机、通信和其他电子设备制造业
• 会计师事务所: 天衡会计师事务所(特殊普通合伙)
• 注册会计师: 顾春华、王天
• 律师事务所: 江苏世纪同仁律师事务所
• 注册地址: 无锡市新吴区电腾路6号
• 概念板块: 半导体 江苏板块 MSCI中国 专精特新 沪股通 上证380 基金重仓 融资融券 算力概念 机器人概念 IGBT概念 碳化硅 汽车芯片 第三代半导体 半导体概念 新能源车 国产芯片 无人驾驶 充电桩 太阳能 物联网

• 注册地: 江苏
• 成立日期: 2013-01-05
• 组织形式: 大型民企
• 统一社会信用代码: 913202000601816164
• 法定代表人: 朱袁正
• 董事长: 朱袁正
• 电话: 0510-85629718,0510-85618058-8101
• 传真: 0510-85620175
• 企业官网: www.ncepower.com
• 企业邮箱: Info@ncepower.com
• 办公地址: 无锡市新吴区电腾路6号
• 邮编: 214028
• 主营业务: MOSFET、IGBT等半导体功率器件及功率模块的研发设计及销售
• 经营范围: 电力电子元器件的制造、研发、设计、技术转让、技术服务、销售;集成电路、电子产品的研发、设计、技术转让、技术服务、销售;计算机软件的研发、技术转让;利用自有资产对外投资;环境保护专用设备的制造、销售;自营和代理各类商品及技术的进出口业务(国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
• 企业简介: 无锡新洁能股份有限公司(以下简称“公司”)成立于2013年1月,拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体、国硅集成电路四家子公司以及深圳分公司、宁波分公司。公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,产品优质且系列齐全,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域;未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展,公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和封装成品。公司是专业化垂直分工厂商,芯片由公司设计方案后交由芯片代工企业进行代工生产,封装成品由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司为国内MOSFET等半导体功率器件设计领域领军企业,2016年以来连续五年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司已建立江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工作站、东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心、江南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心。公司参与的“智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用”项目获得了2019年度江苏省科学技术一等奖,且获得2020年度国家级技术发明奖。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品,是国内率先掌握超结理论技术,并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一,是国内提前早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的企业,也是国内MOSFET品类齐全且产品技术先进的公司。同时,公司是国内较早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一,产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品、达1700余种,为国内MOSFET等功率器件市场占有率排名前列的本土企业。公司将进一步依托技术、品牌、渠道等综合优势,结合大尺寸晶圆芯片(8英寸、12英寸)先进工艺技术,开拓国际先进功率器件封装制造技术,全力推进高端功率MOSFET、IGBT、集成功率器件的研发与产业化,持续布局半导体功率器件先进前沿的技术领域,并投入对SiC/GaN宽禁带半导体、智能功率器件的研发及产业化,提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。2020年9月28日,公司在上交所主板完成挂牌,证券代码:605111。
• 发展进程: 2012年11月15日,公司召开创立大会,决议发起设立新洁能,发起人为朱袁正、新潮集团和新洁能半导体。新洁能设立时法定代表人为朱袁正,股本为1,000万元,经营范围为电力电子元器件、集成电路、电子产品的研发、设计、技术转让;利用自有资产对外投资;环境保护专用设备的制造、销售;自营和代理各类商品及技术的进出口业务。2012年12月25日,无锡大方会计师事务所(普通合伙)出具“锡方会师内验字(2012)第052号”《验资报告》,截至2012年12月25日,公司(筹)已收到全体股东缴纳的注册资本(实收资本)1,000万元,均以货币出资。
• 商业规划: 报告期内,公司共实现营业收入182,842.40万元,较去年同期增加23.83%；其中主营业务收入182,084.70万元,较去年同期增加23.80%；归属于上市公司股东的净利润43,457.60万元,较去年同期增加34.50%。（一）市场营销2024年以来,在经济复苏的大背景下,公司下游行业景气度温和回升,功率半导体的国产替代趋势进一步加强,客户国产化率诉求提升,各大晶圆代工厂产能接近满载,部分功率半导体公司产品价格得到修复,库存持续优化,逐步走出2023年周期的谷底。但同时,随着中美贸易摩擦持续升级,全球半导体市场的竞争加剧。国产品牌竞争激烈、国际半导体厂商从原本追逐高毛利到降低利润预期,与中国半导体品牌开展价格竞争,基于此,公司积极应对市场变化和响应客户需求,积极筹划并寻找更多的新市场新客户机会,利用技术领先、产品丰富、产业链高度协同等优势,持续优化产品结构、市场结构和客户结构,将产品大量销售至新能源汽车和充电桩、AI服务器和数据中心、机器人、无人机、光伏储能等领域头部客户,进一步扩大了公司在中高端市场的应用规模及影响力。此外,报告期内公司设立新加坡研发及销售中心,为公司全球化发展战略、产品升级、开拓海外渠道、应对国际贸易政策影响搭建了坚实的基础。产品结构方面：（1）SGT-MOSFET产品为公司中低压产品中替代国际一流厂商产品料号最多的产品工艺平台,也是公司综合竞争力最强、销售基数最大、客户群体最多的产品平台。其市场广阔,主力应用于汽车电子、储能市场、无人机、电动工具、AI算力服务器、智能机器人、泛消费等多行业领域。在汽车电子领域,在保证原有产品供应的同时,逐步导入更具性价比的第三代40VSGT-MOSFET系列产品,进一步提升产品竞争力。在无人机和光伏储能领域,第三代150VSGT-MOSFET系列产品已完成试产和小批量过程,达成大批量交付订单。在AI算力服务器领域,利用第三代SGT-MOSFET平台的高性能优势,加快产品推广,已经在代表客户中通过试产,后续会快速上量。受益于相关下游领域景气度影响,2024年产品销量取得了显著增长。2024年全年实现销售收入7.80亿元,同比2023年5.46亿元增长了43%,销售占比从37.11%增长到42.86%。2025年一季度,订单持续增长,公司积极跟进客户需求,相关产品继续扩充产能增加供货,保证已有销售并进一步拓展其他新兴市场,预计2025年SGT产品的销售量仍会继续提升。（2）IGBT产品：在维持现有光伏、储能客户中优势市场地位的前提下,大力推广第七代IGBT产品,同时加大在汽车电子、变频家电、工控等领域的推广力度。2024年全球光储市场呈现差异化增长格局,客户库存基本回到正常水位,市场需求逐渐恢复,主要客户都在进行机型迭代和新机型开发。公司针对该市场情况一方面对原有产品加强销售去库存,目前库存已经恢复到正常水平；另一方面加大第七代IGBT产品的推广力度,以满足客户机型升级以及新机型的需要,以750V系列和650V/1200V大电流系列产品为代表的第七代产品,已经通过光储行业多家典型客户测试和试产,进入批量供货阶段。消费电子领域,在变频冰箱、空调等典型应用中,利用新开发的集成续流二极管相应的第七代IGBT产品（RC-IGBT）的成本优势,加快产品推广,目前已经在代表客户中通过试产,后续会快速上量。此外家电领域的IPM模块也已经开始逐步推广,配合IGBT分立产品,可以满足洗衣机、空调压缩机等多领域需求。在工业变频、逆变、伺服等领域,通过IGBT分立产品、IGBT模块的联动,为客户提供整体方案,提升产品竞争力。2024年IGBT产品销售数量同比2023年增加35%以上,但受价格竞争等因素影响,公司的IGBT产品实现了销售收入2.75亿元,比2023年2.66亿增长了3.17%,销售占比从18.09%降至15.08%。从2025年一季度的销售情况看,光伏IGBT产品已经加速回暖,预计2025年IGBT产品销售将实现有效增长。同时,随着新产品系列的有效推广,IGBT产品利润率有望进一步提升。（3）SJ-MOSFET产品市场比较广泛,目前主要应用用于汽车OBC、充电桩、微型逆变器、移动储能、AI服务器电源、工业电源、消费类电子等领域。在OBC市场中,随着电动汽车市场规模的提升,进一步增加了交付数量,同时还在逐步增加导入的器件型号。在微型逆变和移动储能方面,公司利用第四代SJ-MOSFET产品的性价比优势,已经在多家行业典型客户中完成试产,即将陆续进入批量交付。在AI服务器电源、工业电源等领域,利用第四代SJ-MOSFET的型号齐全、及600V快恢复系列的成本优势,销售规模不断扩大。在传统的消费电子领域,如电视机、照明等领域,在保证原有产品供应的同时,逐步导入第四代SJ-MOSFET的650V和700V系列产品,市场份额也有进一步增加。2024年末第四代SJ-MOSFET产品该产品平台销售占比已经提升到16%以上,随着600~700V第四代SJ-MOSFET产品的推广,以及500V、800V、900V第四代SJ-MOSFET产品型号的增加,公司SJ-MOSFET产品的竞争力和销售额有望进一步提升。2024年SJ-MOSFET产品销售数量同比2023年增加45%以上,受价格因素影响,实现销售收入2.16亿元,相比2023年1.84亿元增长了17.35%,销售占比从12.52%降至11.86%。（4）Trench-MOSFET产品作为公司持续量产时间最长的成熟工艺平台,凭借产品的高质量、高可靠性以及持续迭代保持产品技术的领先,应用领域广,长期积累了广泛的客户群体,且对公司产品有长期信任的基础。2024年公司在保证原有智能家居、电动工具、消费电子、工业等领域的销售地位的同时抓住了市场机遇,加大了对于光伏储能市场、汽车电子以及特殊行业等领域的拓展,其销售规模获得了相应的增长,全年实现销售收入5.27亿元,比2023年同期4.54亿增长16.23%,销售占比从30.84%降至28.96%,随着公司应用于智能手机、穿戴设备的BMS的CSP产品大力推广,2025年销售收入会有效增加,销售占比实现进一步增长。市场结构和客户结构方面：2024年,公司坚守现有客户,开拓更多市场应用。一方面积极响应原有市场客户需求,持续跟进订单,加强客户黏性以促进更多产品料号的导入；另一方面,公司继续挑战高端应用市场,开拓多家海内外客户,应用领域涉及AI人工智能、机器人、高端服务器、汽车电子、无人机等,深度绑定国内新能源光储领域头部客户,以可靠的产品,优质的服务,加强客户对公司品牌的认可度,进而形成深度合作和战略互补,获取更大的市场份额,稳固公司在国内功率半导体市场的领先地位。从具体结构来看：汽车电子领域：公司已推出200余款车规级MOSFET,供应产品数量同比增长超6成,汽车电子产品的整体销售占比加速提升。公司产品覆盖汽车电子全域控,多款型号应用于OBC、DC转换、底盘控制、辅助驾驶等汽车重要模块。公司与比亚迪、联合电子、伯特利等头部汽车客户的合作规模持续扩大,公司为比亚迪配置了专门的团队,从产品生产组织、品质管控、销售发货、到客户使用的全过程进行跟踪、服务协调,实现了更多车规产品的导入。对于其他已经形成规模出货的车企,加速提供更多AEC-Q认证的产品系列,扩大销售产品规模,涉及新的车规产品、新的车企客户,从产品送样开始建立管理体制,确保送样产品从生产制程、车载应用、具体车型等可追溯。同时,积极配合车企对公司的审核,实现产品快速上量销售,持续加强新洁能品牌在汽车类客户的知名度和市场占有率。公司持续推动已有产品在800V高压平台和48V车机系统上的布局,积极开发新的车规产品。汽车市场作为公司未来几年的重点布局行业,预计今年将继续快速发展。工业自动化领域：该领域涉及细分行业广泛,2024年公司的相关产品在无人机、电动工具、智能机器人等领域高速增长。2024年,中央及地方关于低空经济的行业支持政策密集出台,无人机(消费级、工业级)、直升机、eVTOL(电动垂直起降飞行器)等低空经济相关产品将具有更广阔的市场前景。作为电能转换与电路控制的核心部件,低空经济对功率半导体提出了高能量密度、轻量化、高安全、超级快充的需求,公司与布局低空经济产业的相关客户形成合作,公司的MOSFET产品在无人机BMS、电驱等核心部件中均有应用,部分客户已经实现大批量销售。公司将紧抓行业机会,持续稳定提供高可靠性的产品,与头部客户进一步深化合作。随着智能机器人市场的崛起,公司已有多款产品进入智能机器人应用中,并获得头部客户的认可及批量订单,公司将持续加强新品对应,紧跟客户新需求,推动该领域销售进一步提升,同时机器人应用场景不断丰富,公司长期看好下游发展并积极布局。AI算力及通信领域：随着国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型,训练需求及推理需求高速增长,共同驱动算力革命,助推AI服务器市场及出货量增长。公司及时跟进响应客户需求,一方面,公司产品持续在传统服务器领域发力,以获取更多的市场份额；另一方面,公司利用自身优势,围绕AI算力服务器的相关需求开发产品,并积极开发下游客户,目前公司的相关产品已应用于服务器电源领域海内外头部客户并实现稳定批量销售。光伏储能领域：相比于去年同期,2024年光伏储能行业呈现差异化增长格局,特别是在20KW以内的混网和离网市场,相关产品在亚非拉等基础电力设施落后、使用受限的地区为刚性需求,该市场形成了增长点。欧洲市场以经济性为导向,在高电价的压力下,光储产品受到市场青睐,客户端库存得到有效去化。报告期内公司大力推广第七代IGBT产品,同时加快部分已有IGBT产品的去库存。对于1至5度电类储能电源,公司通过前期市场推广布局,大力推广SGT类产品,抓住行业头部客户,有效形成了订单增量,并积极协调产能应对紧急交付,实现销售额增长。工商业光伏市场是光伏的重点市场,公司在该市场同时布局模块产品和大电流单管产品,以应对客户不同形态的需求。从长远来看,光伏行业依旧是市场空间巨大、前景广阔的重要下游,公司将持续深耕。（二）研发创新2024年度,公司实现研发投入103,745,624.20元,占营业收入比例为5.67%。截至目前,公司共有专利240项,其中发明专利119项（不含已到期专利）。SGTMOS平台：（1）具有业界最小单位元胞尺寸（CellPitch）的N沟道30V第三代SGTMOS平台实现量产,Rsp相较于上一代产品降低39%,系列产品数量已拓展至26款；（2）具有业界最小单位元胞尺寸的N沟道40V第三代SGTMOS平台实现量产,Rsp相较于上一代产品降低26%,系列产品数量已拓展至122款,其中车规产品达到50余款；（3）40V第三代SGTMOS平台还推出了sTOLL、双面散热DFN5x6等先进封装产品；（4）上述N30V~N40V第三代SGTMOS产品主要针对汽车车舱域控、汽车油泵/水泵、智能辅助驾驶、AI算力、大功率数据中心、通讯电源、工业电源、电池化成、新一代高功率密度电动工具等行业应用；（5）达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性N沟道150V第三代SGTMOS平台实现量产,并且完成车规认证,器件核心综合性能优值（FOM）较业界同规格最优竞品降低达25%以上,平台产品数量拓展至10余款,该平台产品已在光伏储能、无人机、工控电源领域大批量使用,同时针对新能源汽车OBC、车载逆变器、通信电源、服务器电源、植物照明等领域正在大力推广中；（6）基于12寸平台,达到业界领先水平的FOM、高鲁棒性N沟道60V、85V、100V第三代SGTMOS均完成工艺固化,进入风险量产阶段；（7）以85V第三代SGTMOS为例,Rsp相较于上一代产品降低35%,器件FOM较同规格最优竞品降低达30%以上,产品在AI算力、锂电保护、电机驱动行业已经完成测试验证,进入小批量验证阶段；同时针对混动新能源车48V系统、工业/农业大功率无人机电调、园林工具、短途交通等行业已完成送样,客户端测试评估中；（8）基于华虹12寸新产线,已完成N沟道100V第二代SGT平台技术转移,同时N沟道80V和100V第三代SGT平台正在开发中。TrenchMOS平台：（1）基于8寸平台具有创新结构的高可靠性P30V~200V产品平台,已Tapeout6颗产品,P60V~200V工艺已frozen系列产品开发中,P60V-200V,可靠性能满足车规要求；（2）N200V工程批已产出,基本功能达成,待后续工艺frozen后开发不同电压段系列平台。（3）具有高元胞密度（0.75umCellPitch）的第五代P沟道20V~40V产品平台已tapeout10套mask并衍生出53颗系列产品；（4）超高元胞密度（0.55umCellPitch）第七代N沟道12V~20V产品平台工艺固化,已tapeout3套mask,产品均已量产；（5）基于12寸平台具有超高元胞密度（0.65umCellPitch）第六代N沟道20V~60V工艺平台工艺条件已确定,工艺基本frozen待后续开系列产品。（6）带ESD的工艺平台开发中,目前工艺flow条件基本确定,目前工艺单项开发进行中。IGBT平台：（1）第七代微沟槽高功率密度IGBT平台的650V、750V、1200V产品已经完成10A~200A多个电流规格产品量产,在Fab1、2、3和Fab7量产产品良率已提升至98%以上,并通过代表性光伏、储能、逆变电源等行业客户测试,开始进入批量阶段；（2）第七代IGBT在12寸Fab9已经完成首批工程批流片,参数达到预期水平,开始进行可靠性考核；（3）第七代IGBT1000V平台已完成初步搭建,完成封装测试和可靠性考核,该平台主要用于光伏、储能应用的三电平IGBT模块中；（4）第七代400V高短路能力低频系列IGBT产品已经完成客户端测试,开始批量交付,主要用于马达驱动、工业变频等应用；（5）1400V高短路能力低频IGBT平台工程流片已完成,参数达到预期水平,开始送客户端评估,该系列主要目标市场为800V及以上电池系统的汽车空调、PTC等应用；（6）第七代快速恢复体二极管的650V逆导（RC-IGBT）IGBT已经开始小批量投产,该系列产品主要用于冰箱、空调等消费类马达驱动应用；（7）1200V10A逆导（RC-IGBT）IGBT完成工程样品；（8）目前第七代IGBT产品中并联的快恢复二极管（FRD）已经完成400V、650V、750V、1200V、1600V等产品平台搭建和批量试产,产品良率稳定在97%以上。SJMOS平台：（1）第四代9umpitch超结MOS500V/600V/650V/700V在12寸和8寸产线已经全部实现量产,四代超结在三代超结的基础上,更好的优化了特征导通电阻（Rsp）及可靠性,实现更高的性价比；（2）500V/600V/650V在四代超结基础上继续优化特征导通电阻（Rsp）,特征导通电阻（Rsp）可以降低10%左右,目前三个电压平台已经全部实现量产；（3）四代800V深沟槽SJMOS平台在8寸推出第一颗产品,该产品增加快速恢复体二极管设计,目前已经实现量产阶段,800V产品主要用于微型逆变器等市场；（4）第四代950V深沟槽SJMOS平台,该平台预计较第二代SJMOS900V平台特征导通电阻（Rsp）降低25%以上,样品已产出,参数均符合预期,正在进行可靠性及应用测试,后续将展开其他电流平台产品。（5）在四代SJMOS平台上新衍生开发了使用重金属掺杂工艺控制载流子寿命的超快恢复体二极管产品,从动态参数来看,反向恢复速度可以提升40%,反向恢复损耗降低60%左右,静态参数IDSS漏电从uA级别降低至nA级别,其他参数符合预期,可靠性已经全部完成,该工艺后续将全部展开,该系列产品后续主要用于大功率OBC、充电桩等应用。（6）第五代SJMOS平台开始使用优化工艺、材料和结构设计,在12寸晶圆厂进行工程流片,目标600V特征导通电阻（Rsp）降低至0.80欧姆每平方毫米(Ω.mm2)以内,进一步提升器件功率密度。产品目标市场主要是对器件体积和效率由要求的应用中,如大功率汽车OBC、铂金电源等。第三代半导体功率器件平台：公司已开发完成第二代SiCMOSFET产品平台搭建,以1200V为例,Rsp相较于上一代产品降低29%,产品各项参数性能指标达到国际先进水平,已完成650V23mohm~80mohm、750V25mohm~80mohm、900V50mohm~100mohm、1200V20mohm~160mohmSiCMOSFET系列产品开发,新增产品60余款,相关产品已通过车规级AEC-Q100可靠性考核,处于小规模销售阶段,目标市场包括新能源汽车OBC/充电桩、工业设备、服务器电源、通信基站电源、光伏储能等领域；已开发完成1200V和650VSiC二极管平台搭建,新增产品两款；650V/100mohmE-ModeGaNHEMT产品开发完成,新增产品1款,产品各项电学参数指标达到国内领先水平,项目产品通过可靠性考核,100V/200VGaN产品开发中。汽车电子平台：公司在SGTMOS、TrenchMOS、SJMOS、IGBT四大技术平台上已完成200余款产品开发,并通过AEC-Q101车规级可靠性认证。报告期内新增100余款车规产品,覆盖P型20V-200V（7个电压等级）及N型30V-650V（13个电压等级）,电流范围1A-400A,以100V电压产品为例,其导通电阻已经做到1.5mΩ以下,达到业界领先水平,全面适配车内动力、域控、热管理等场景需求。另有120余款产品处于认证阶段,持续补全高压化、大电流应用缺口。采用公司第三代SGT晶圆技术的车规产品已实现性能迭代,全面替代上一代产品,以40V电压平台为例,27款产品进入量产阶段,特征导通电阻（Rsp）较上一代降低26%-39%,核心综合性能优值（FOM）领先竞品25%以上。同时,针对新能源汽车48V系统,开发50余款80V/100V车规级产品,已进入工程验证与小批量试产,覆盖车载空调、DCDC、OBC等应用。此外,报告期内完成PDFN5×6、TOLT、sToll三款车规级封装开发,以PDFN5×6双面散热为例,采用双Clip工艺,结壳热阻降低20%-40%,器件的功率密度得到大幅度提升,从而进一步满足汽车零部件小型化的需求,相关产品已进入小批量试产,目标应用于车载电子助力转向器（EPS）、域控制器等高功率密度场景,预计2025年实现规模化交付。车规产品批量交付近130家Tier1及终端车企,包括头部新能源主机厂及全球零部件巨头。报告期内新增导入30余家客户,重点突破智能驾驶域控、线控底盘等高端供应链。加快建设车规级CNAS实验室,加速客户验厂认证周期,持续优化IATF16949:2016与ISO9001:2015体系,通过APQP流程实现从设计到量产的闭环管控,确保产品良率与一致性。建立寿命预测模型,结合多应力测试（温度循环、功率循环等）验证器件可靠性,满足15年以上车规寿命要求。报告期内,公司进一步加大了研发方面投入,积极扩充研发团队,不断通过外部引进和自主培养等方式引进和培育高端技术人才,并积极组织内部学习和培训,以进一步加强AI与数据中心、新能源光储充、汽车电子、工业自动化、智能机器人和半导体功率模块产品的开发力度。（三）生产运营报告期内,公司的生产运营工作始终围绕整体经营目标进行。随着市场环境的波动以及上游更多产能的释放,公司的运营部门持续做好供应链协调工作以及产品降本工作,确保公司供应链稳定供货。同时,公司从芯片代工、封装测试各个环节都保证了产销衔接及产能调配,目前已与十余家封测领域供应商保持了良好合作关系,为后续进一步加强合作提供了供应保障。报告期内,芯片代工供应稳定,芯片回货量稳步增长,FRD、SiCMOSFET等产品实现小批量生产；持续进行化镀工艺优化,同等成本下改善封装打线问题,进一步提高了成品器件的可靠性；已完成新品储备,如TOLT、LFPAK、STOLL、HSOP8/5*6双面散热等新品的工程批试封；生产周期报表开发,加强订单回货周期管控,推动封装运营管理系统的进一步电子化。（四）子公司建设1、电基集成公司的全资子公司电基集成,致力为公司提供优质且稳定的先进封装和测试资源。报告期内,电基集成总营收同比增长19.85%,增速高于业界同行。2024年,电基集成成功通过数十家汽车行业客户及供应链合作伙伴的体系审核,并高效完成264项新产品封装测试导入,这其中汽车类产品占比约为15%,标志着公司在汽车电子市场的战略布局取得显著成效,进一步巩固了在智能汽车产业链的核心供应商地位。2024年,电基集成成功创建江苏省智能示范车间彰显工业4.0实施能力,跻身江苏省星级上云企业序列印证数字化转型成效,更凭借物联网融合应用方案荣膺无锡市新一代信息技术示范项目。作为区域内罕有同时斩获三大权威认证的高科技企业,电基集成以“智能制造+云端赋能+物联网融合”的多维能力,形成差异化竞争优势。电基集成正在积极开发多款具有更低热阻、更大电流能力和更高功率密度的汽车级和工业级产品,包括DSCPDFN、sTOLL等封装形式,其中sTOLL的Clip加Wire的工艺已进入小量阶段,sTOLL的FullClip的工艺已进入小试状态,配合先进封装的激光全切技术已调试完成。2、金兰半导体公司的控股子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司,其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛,金兰功率半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展,成为公司发展道路上新的业绩增长点。目前金兰半导体已建立一支完整的包括产品开发,工艺技术,设备维护的技术团队,该团队大部成员有十几年丰富的IGBT模块产品及工艺开发经验,且拥有系统的生产品质管理经验。金兰半导体已完成建设第一条IGBT模块的封装测试产线,生产线所用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备,满产后可达到产能6万个模块/月。按计划,金兰半导体开始根据车规要求升级产线,满足车规产品的生产要求,目标今年通过车规质量体系IATF16949审核。产品开发方面：（1）开发完成：基于650V、1200V、1700V电压平台,使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片,完成了9个模块产品平台的开发,分别为L34、L62、LE1、LE2、LE3、LN2、LN3、LD3、LQ2。以应用领域而分,在工业变频和电机驱动领域,在1200V电压平台,完成开发了电流分别为10A、35A、50A、75A、100A、150A、200A、300A、450A、600A、800A的系列产品；在光伏逆变储能领域,在650V电压平台,完成开发三电平150A、200A、300A、400A、600A的系列产品,在1050V平台,完成开发电流分别为三电平400A、600A的系列产品,在1200V电压平台,完成开发电流分别为三电平225A、400A、600A、和半桥600A、800A的系列产品；在电能质量领域,在650V平台,完成开发三电平75A、100A、150A、200A系列产品；在感应加热领域,完成开发1200V电压平台上电流风别为40A、50A、75A、100A、150A系列产品。（2）正在开发：储能领域,基于1000V和1200V产品平台,使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片和碳化硅芯片,根据市场及客户需求,开发行业通用及定制的SiC与Si混合模块、SiC模块等。与此同时,在工业控制及变频领域,在650V、1200V和1700V平台上逐步拓展和完善LE1、LE2、LN2、LN3系列产品。截至目前,金兰半导体已经申请了专利33项（其中8项为发明专利）,已授权24项实用新型；通过了2024年“无锡市智能制造成熟度二级”的审核,获得“省级科技型中小企业”入库；2025年计划通过“雏鹰企业”遴选。3、国硅集成公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司,致力于智能功率集成电路芯片的设计,拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术,应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。自母公司控股以来,国硅就特别注重研发与生产质量的建设与管理,并顺利通过ISO9001体系认证。目前,国硅集成已实现量产25V低侧驱动系列产品18款,适用于光伏MPPT应用,家电PFC应用；量产40V桥式驱动系列产品6款（2024年新增2款）,适用于中小功率风机、中低压水泵；量产250V半桥驱动芯片30款（2024年新增15款）,适用于智能短交通、电动工具应用；700V半桥驱动芯片28款（2024年新增8款）,适用于储能、工业控制等应用；相关产品已经在储能、工控、电池化成柜、智能短交通、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。国硅于2024年新增智能功率模块（IPM）产品线,包括半桥IPM已经三相桥IPM,并在大家电、小家电、水泵、高压吊扇、高速吹风筒等市场展开推广、销售。国硅2024年通过了江苏省“专精特新”企业、“江苏省民营科技企业”、无锡市“雏鹰企业”、无锡市“瞪羚企业”等认定；获得2024年第十一届中国青创赛（科技创新专项）铜奖；顺利通过2024年度专利密集型产品认定、江苏省贯标备案、无锡市“尚贤人才计划”优秀创新人才的选拔及项目立项；2024年获得无锡市人社局“创响无锡”项目资金、产业前瞻及关键技术研发项目、双创博士第二批资助资金、高新技术企业认定奖励及无锡市集成电路产业扶持项目资金入账。国硅集成2024年度新增授权知识产权14项,其中发明专利5项,实用新型专利5项,集成电路布图4项。截至目前国硅累计获得知识产权61项,其中专利16项（发明专利9项,实用新型7项）,集成电路布图44件,软件著作权1件。4、SingaporeErubyMicroelectronicsPte.,Ltd报告期内公司新设海外全资子公司SingaporeErubyMicroelectronicsPte.,Ltd,承担海外研发中心及全球销售中心两大任务。子公司充分利用新加坡丰富的人才资源,进行功率半导体技术的研究和突破,跟踪国际最新顶尖技术,建立与国际巨头的人才和技术交流机制,提升人才团队技术素养水平,提高公司核心竞争力,拓展国际市场。海外研发中心为公司的半导体功率器件提供底层原理性技术创新和突破,作为公司在国内研发中心的海外拓展及前瞻项目布局,前瞻性的开发功率前沿技术,引领全球功率器件水平的发展,主要产品包括但不限于硅基功率器件（MOSFET&IGBT）、第三代宽禁带半导体功率器件（SiC/GaN）、第四代超宽禁带半导体功率器件（GaO/金刚石）等,目标市场包括汽车电子、工业电子、消费电子、航空航天等。尤其是高集成度智能化电机驱动IC芯片、高集成度电源管理IC芯片（含高压隔离型高集成度电源管理IC芯片、高功率密度高集成度电源管理IC芯片）,这两大平台产品与母公司现有市场、客户群体的需求高度吻合,结合公司既有且在发展的分立器件、功率模块等产品,助力公司成为整体应用方案提供商。目前公司已组建了具有深厚的智能功率IC和功率器件研发经验的研发团队,已完成前期市场调研及产品定义,正着手首款产品的研发。功率半导体海外市场占据全球市场60%的份额,公司高度重视海外渠道建设,同时为了更好地服务出海客户,目前公司汇聚数位精通多国语言、熟悉当地市场,且了解半导体功率器件专业知识的人才,为公司在新加坡进行销售团队建立了雄厚的人才基础。报告期内,公司海外销售团队已开拓海外经销商及终端客户,完成小批量订单交付。（五）内部管理2024年度,公司继续不断完善内部治理,建立健全公司内部控制制度、内部流程体系,通过内部培训以及企业价值观建设,进一步整合优化各项制度流程,提升组织能力与运营效率；根据资本市场规范要求,提升公司规范运营和治理水平；严格按照相关法律法规的要求,认真履行信息披露义务,确保信息披露的及时、真实、准确和完整；认真做好投资者关系管理工作,通过多种渠道加强与投资者的联系和沟通,以便于投资者全面获取公司信息,树立公司良好的资本市场形象。同时,合法合规前提下积极做大做强公司市值,并借力资本市场进一步推动公司的整体快速发展。（六）资本市场2024年,公司围绕整体发展战略,持续关注外延式扩张机会,主要目标集中在产业链相关领域,通过对一些国家战略性新兴产业领域具有良好发展前景和增长潜力的企业进行直接或间接的股权投资,进行积极的横向与纵向资源整合,最大程度发挥协同效应,进一步加强与客户之间的合作黏性,有利于公司更好地契合下游市场,更精准地开发新品并进行快速推广,以增强公司的核心竞争力,提升长期盈利能力,创造更多的经济效益与社会价值。报告期内,公司参与无锡盛景微电子股份有限公司首次公开发行股票战略配售,进一步加强了双方在技术研发、供应链及品牌方面的合作；参股投资了以高能单相电机为技术核心的智能无刷电动工具供应商,原材料自主可控的陶瓷基板材料供应商,拥有自主可控RISC-V处理器芯片核心技术和研发能力的MCU、MPU和CPU提供商等。相关投资有利于公司产品的进一步集成化进程,同时加强纵向资源整合,持续完善产业链布局。（七）荣誉奖项2024年,公司新增荣誉如下：2024年全球半导体综合竞争力百强企业2024年享受增值税加计抵减政策先进制造业企业2024年无锡市掩膜制版/流片补贴项目2024年车规级功率器件资质认证项目2024年国家级小巨人区级奖励资金项目2024年无锡市高新区（新吴区）三类企业认定项目2024年高企重新认定区级奖励项目2024年高新区营经济转型升级项目2024年度无锡高新区（新吴区）第二批知识产权项目2024年高新区三类企业奖励资金项目。