晶盛机电 - 300316.SZ

主营业务：半导体装备、半导体衬底材料、耗材及零部件的研发、生产和销售

经营范围：晶体生长炉、半导体材料制备设备、机电设备制造、销售;进出口业务。

浙江晶盛机电股份有限公司围绕硅、蓝宝石、碳化硅三大主要半导体材料开发一系列关键设备,并延伸至化合物衬底材料领域,为半导体、光伏行业提供全球极具竞争力的高端装备和高品质服务。

晶盛机电是全球光伏装备技术和规模双领先的企业,国内集成电路级8-12英寸大硅片生长及加工设备领先企业,公司大尺寸蓝宝石晶体生长工艺和技术已达到国际领先水平,是掌握核心技术和规模优势的龙头企业。

公司为半导体产业、光伏产业和化合物衬底产业提供智能化工厂解决方案,满足客户数字化智能化的生产模式需求。

（一）公司所处行业根据中国证监会《上市公司行业分类指引》的分类标准,公司所在行业为大类“C制造业”中的专用设备制造业,公司主营业务产品为半导体装备、半导体衬底材料、半导体耗材及零部件。

（二）公司业务所处行业发展情况1、半导体装备（1）集成电路装备领域AI需求驱动全球半导体资本开支持续扩张,半导体设备市场规模呈显著增长态势。

据SEMI预测,全球半导体制造设备销售额预计2026年将达到1,659亿美元,同比增长23.2%,并有望于2028年进一步增至2,295亿美元。

中国大陆仍是全球最大半导体设备市场。

全球半导体设备行业集中度高,芯片制造核心设备仍由海外厂商主导垄断；我国设备企业已基本覆盖各细分赛道,整体国产化率持续提升,但量检测、涂胶显影等环节国产化水平仍偏低,核心零部件国产化仍有较大提升空间。

在硅片制造设备环节,目前8-12英寸大硅片设备已基本实现国产化。

国产设备凭借性能达标、交付与服务响应快、供应链安全可控等优势,在国内主流大硅片产线占据主要份额。

在芯片制造设备环节,在政策支持与产业需求驱动下,国内设备生态加速完善,国产化率快速提升,成熟制程设备已形成规模化量产与竞争优势,芯片制造设备持续突破,刻蚀、薄膜沉积、清洗等关键环节国产化率显著提升,新建晶圆产线国产设备采购比例持续走高,替代节奏进一步加快。

在封装测试设备环节,虽然我国封测产业成熟度高于芯片制造环节,但高端封测设备国产化率仍然较低。

今年以来,国外半导体设备出口管制持续升级,超薄减薄机、高端键合设备等先进封装核心设备纳入管制范围。

面对外部设备封锁压力,国内产业加速推进设备自主验证与国产化替代成为必然选择。

（2）化合物半导体装备领域以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的第三代化合物半导体材料,凭借高击穿电场强度、高导热率、高电子饱和速度及耐腐蚀等优异物理化学特性,成为制备高温、高频、抗辐射及大功率电子器件的核心基础材料,在光电子与微电子领域应用空间持续拓展。

行业现已全面跨越技术验证阶段,进入规模化商用放量周期；产业链工艺持续迭代,8英寸产线工艺持续突破,材料制造成本逐年下行,持续打开大规模产业化窗口。

根据YoleGroup最新预测,2031年SiC功率市场规模将达到约110亿美元,复合年增长率约为20%。

碳化硅材料凭借优异热稳定性与电学性能,已成为新能源汽车800V高压平台的核心器件方案,可显著提升电驱效率、延长续航并缩短充电时间；同时在AI数据中心高压电源、光伏逆变器、储能、工业电源及轨道交通等领域也呈现出快速渗透的态势。

随着SiC产能快速扩张、8英寸产线建设提速以及下游新能源与AI算力需求持续释放,化合物半导体行业市场规模保持高速增长,碳化硅衬底、外延、刻蚀、薄膜、清洗、量检测等专用装备需求同步快速攀升,成为半导体设备领域重要增量赛道。

当前MOCVD行业增长动力由传统LED转向GaN功率射频、AI光通信芯片及Mini/MicroLED等领域；海外厂商占据砷磷系高端设备主导地位,国内厂商在GaN设备领域实现国产替代。

海外高端机型交期紧张,下游8英寸硅基GaN、高速光芯片持续扩产拉动设备需求,行业技术向大尺寸、高产能、工艺一体化方向发展,砷磷系MOCVD国产化攻关将成为中长期核心主线。

（3）新能源光伏装备领域当前光伏行业已进入规模化与高质量发展并重的阶段,市场竞争日趋激烈,发展模式正从单纯依靠规模扩张逐步转向以技术提效为核心的竞争新格局。

根据CPIA预测,2026年国内新增装机180–240GW,全球全年新增装机612GW,同比下降约8%。

2026年6月底,工业和信息化部联合国家发展改革委、国家市场监督管理总局发布《硅单晶单位产品能源消耗限额》《晶体硅光伏组件和逆变器能效限定值及能效等级》《硅多晶和锗单位产品能源消耗限额》三项光伏能耗能效强制性国家标准,覆盖多晶硅、硅片、组件、逆变器等光伏产业链关键环节,分等级设定相关产品能耗能效指标,严控各环节高耗能低效产能,三项标准将于2027年1月1日起实施；在组件环节,创新纳入耦合环境应力衰减率评价指标。

新规的实施将进一步扭转光伏行业单纯依靠扩产、拼规模的粗放发展模式,推动全产业链朝着能效领先+技术创新的高质量方向稳步转型。

2、半导体衬底材料作为半导体产业链的上游环节,半导体材料具有产业规模大、细分行业多、技术门槛高等特点,对产业发展起到重要支撑作用。

公司业务涉及化合物半导体材料碳化硅衬底、蓝宝石衬底、金刚石和氮化硅陶瓷。

（1）SiC衬底材料碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的核心代表,凭借高击穿电场强度、高导热率、低导通损耗等优异特性,已成为支撑高端制造业升级的战略基石。

导电型碳化硅功率器件能完美适配高压、高温、高频工作环境,在新能源汽车800V高压平台、AI数据中心高压电源、储能逆变器、轨道交通及特高压输电等场景实现规模化应用。

半绝缘型碳化硅则依托低载流子浓度与优异微波损耗特性,成为5G-A/6G基站射频前端、低轨卫星通信等的核心衬底材料,其高折射率、高硬度的光学特性,在AR眼镜等光学显示终端应用领域有着不可替代的优势。

2026年全球碳化硅行业迎来明确景气拐点,迈入高质量发展新阶段。

根据行家说三代半Research测算,2030年全球碳化硅衬底总需求量有望接近1200万片（折合6英寸）,这一增长不仅依赖于车规级市场的持续放量,也离不开多元应用场景的不断渗透与协同推进。

据YoleGroup预测,2030年全球导电型碳化硅衬底出货量预计将达到约609万片（折合6英寸）,2026至2030年期间年均复合增长率约为28%,汽车应用是拉动市场增长的主要驱动力。

国内碳化硅产业依托技术攻坚与资本赋能快速实现国产替代突破,形成8英寸规模化量产落地、12英寸前沿技术研发布局的双轨发展格局,大尺寸、低成本、国产化成为行业核心发展趋势。

当前8英寸碳化硅衬底凭借产能利用率高、缺陷控制优异、制造成本更低的优势,成为产业迭代核心主力,有力推动车规级、工业级SiC器件规模化降本上量。

与此同时,12英寸碳化硅衬底片瞄准AR设备等新兴应用领域,正积极开拓更具想象的市场空间。

需求端呈现传统刚需打底、新兴赛道爆发的双轮驱动格局,产业生态持续完善,国产化替代进程全面提速,整体市场规模维持高景气增长态势。

（2）蓝宝石衬底材料蓝宝石材料凭借与GaN晶格匹配好、强度大、硬度高、耐腐蚀等特点,被广泛应用于LED衬底、消费电子视窗盖板及光学部件等领域,其中LED行业和消费电子是蓝宝石材料的主要应用领域。

近年来,蓝宝石材料应用市场呈现复苏,传统LED照明的二次替换需求增长,Mini/MicroLED、5G射频、功率半导体（GaN-on-Sapphire）及消费电子光学部件等新兴领域的需求成为核心增量,车载MiniLED显示屏等场景增速显著。

供给端方面,随着长晶及加工的技术和工艺进步,蓝宝石尺寸不断扩大,成本持续降低,推动其应用领域向更多细分市场延伸。

（3）金刚石材料金刚石以其优异的物理特性在工业、半导体、珠宝等领域有着广泛应用。

作为当前单质半导体材料中带隙最宽的材料,金刚石兼具高击穿电场、大饱和载流子速度、高载流子迁移率和低介电常数等卓越电学性质,更拥有自然界最高热导率,是制备下一代高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件的理想材料,被称为第四代半导体材料。

CVD金刚石凭借散热性强、尺寸可控、成本持续优化的优势,可作为大功率散热片,已从实验室验证阶段迈向规模化应用初期,未来随着大尺寸晶圆缺陷控制技术的进步和制备成本的不断下降,有望在半导体散热领域得到大规模应用。

我国人造金刚石产业基底雄厚,但产品结构分化明显,高端电子级功能金刚石产能占比较低,高端市场长期被海外企业占据,国产替代空间广阔。

随着AI算力基础设施持续扩容、6G通信、量子计算等新兴领域对超高热导率材料需求逐步释放,金刚石材料行业市场规模有望进入持续快速增长周期。

金刚石衬底材料市场正处于“技术突破-场景验证-量产爬坡”的关键阶段。

（4）氮化硅陶瓷材料氮化硅陶瓷因其出色的机械强度、卓越的抗热震性、与半导体芯片匹配的热膨胀系数,以及优异的绝缘性和可金属化能力,被视为极端工况下不可替代的关键材料,广泛应用于新能源汽车电控系统、5G/6G通信射频器件、光伏与储能逆变器、轨道交通与智能电网等高精尖领域,适配800V平台碳化硅功率模块封装。

目前,高性能氮化硅陶瓷材料的制备技术和主要市场份额仍被日本等国外企业主导。

伴随新能源汽车800V平台普及、SiC器件用量增长,下游供应链自主可控需求提升,国内粉体、基板、AMB工艺持续突破,高性能氮化硅陶瓷国产化节奏有望持续加快。

3、半导体耗材及零部件（1）半导体耗材领域半导体耗材作为半导体制造过程中不可或缺的消耗品,在整个半导体产业链中占据关键地位。

伴随全球半导体产业持续扩张,在AI芯片、芯片制造与HBM需求拉动下,耗材市场规模增速进一步提升。

其中,石英坩埚、石英制品、石墨制品和金刚线等作为半导体及光伏产业的核心生产耗材,深度渗透半导体硅片制造、芯片制造以及光伏硅片、电池片生产等核心环节,双赛道需求共振打开长期成长空间。

我国石英材料产业正经历从“替代跟随”到“创新引领”的关键转折。

在半导体领域,国产大尺寸石英坩埚持续取得工艺突破,加速打破海外企业长期垄断,国产化替代进程提速。

随着国内多条12英寸晶圆产线集中扩产,半导体用高纯石英、大口径石英管/腔体需求持续放量,当前8英寸产线石英零部件国产化率稳步提升,但12英寸芯片制造高端石英制品国产化率较低,本土企业成长空间广阔。

石英制品品类多元,几乎覆盖半导体晶圆制造全流程工序。

随着芯片制造工艺演进,行业对石英制品的纯度、热稳定性和尺寸精度标准持续抬升,国内石英制品企业持续加大研发投入,通过技术创新提升产品质量,并深化与国内半导体制造企业的协同合作,实现产业联动发展,推动国产石英制品在高端市场的占有率持续提升。

石墨制品作为硅片长晶、外延、刻蚀环节的关键耗材,随着8英寸SiC产线规模化落地,半导体高端石墨市场需求快速提升。

国内企业在等静压高纯石墨、SiC涂层石墨基座领域实现关键技术突破,产品纯度、抗热震、使用寿命等核心指标逐步对标国际一线水准。

国产石墨部件依托成本优势、本地化快速交付、就近技术服务等竞争力,已批量导入国内头部SiC衬底与外延厂商供应链,高端半导体石墨制品国产化正式进入放量阶段。

作为硅棒截断与硅片切割的核心耗材,金刚线的性能直接关乎硅片质量、效率和成本。

钨丝金刚线凭借抗拉强度高、耐磨损、断线率低、可实现超细线径量产等突出优势,持续替代传统碳钢金刚线成为市场主流。

（2）半导体零部件领域半导体精密零部件以微米级精度、超千种细分品类、高耐腐蚀性（适应高频等离子体/强真空环境）构筑技术壁垒,覆盖刻蚀机反应腔体、沉积设备气体分配盘（Showerhead）、石墨涂层载具、石英及陶瓷部件等。

作为支撑半导体装备制造运行的核心基础单元,半导体设备零部件具备高精密、高洁净度、超强耐腐蚀能力及优异电气绝缘性能,其生产制造深度融合精密机械加工、特种工程材料研发、表面处理工艺创新、机电系统集成及高端工程设计等多学科技术体系,部分芯片制造零部件要求达到纳米级加工精度与ppm级杂质控制水平。

根据QYResearch报告数据,2025年全球半导体零部件（核心机械/结构备件,含腔体、轴、夹具等）市场规模达315.3亿美元,预计2026–2032年以7.8%的年复合增长率增长。

中国作为最大的区域市场,占全球份额约30%,预计2026–2032年复合增长率达9.0%。

半导体设备精密零部件种类繁多,高端市场长期由国外厂商主导。

在地缘贸易环境变化、国内供应链自主可控需求推动下,零部件国产替代紧迫性持续凸显。

国内本土企业持续加大研发投入,推进上下游产业链协同联合攻关,多项产品实现关键性技术突破；当前零部件产品基本覆盖成熟制程产线配套需求,面向芯片制造的零部件国产化率稳步抬升。

依托国内持续推进的自主可控产业政策,叠加本土晶圆厂持续扩产带来稳定内需支撑,国产半导体精密零部件有望加速工艺迭代、持续扩大市场渗透率。

未来,行业将向“材料自主化、工艺高端化、交付一体化”升级,推动全球市场格局重塑。

（三）公司主营业务、主要产品及用途公司始终坚持先进材料、先进装备双引擎可持续发展的战略定位,形成了装备+材料协同发展的良性产业布局,主营业务产品涉及半导体装备、半导体衬底材料以及半导体耗材及零部件领域。

图一公司主营业务布局1、半导体装备（1）半导体集成电路装备硅片制造端,公司实现了8-12英寸半导体大硅片设备的国产替代,开发出了包括全自动晶体生长设备（直拉单晶生长炉、区熔单晶炉）、晶体加工设备（单晶硅滚圆机、截断机、金刚线切片机等）、晶片加工设备（晶片倒角机、研磨机、减薄机、抛光机）以及外延设备和清洗设备,且均已实现批量销售,其中长晶设备在国产设备市场市占率领先。

图二大硅片设备产品在芯片制造和封装端,公司开发了应用于芯片制造的8-12英寸减压外延设备、ALD设备等薄膜沉积类设备,应用于先进封装的12英寸减薄抛光机、12英寸减薄抛光清洗一体机、超快紫外激光开槽设备。

以差异化的工艺和技术优势,为客户提供优质的产品和服务。

图三芯片制造及先进封装设备产品（2）化合物半导体装备碳化硅装备领域,公司开发了碳化硅长晶及加工设备（研磨、切割、减薄、倒角、抛光、清洗及检测）,满足碳化硅衬底规模化产能建设需求的同时,在技术、工艺以及成本方面构筑壁垒,强化公司在碳化硅衬底领域的核心竞争力。

基于产业链核心设备的国产化突破,在检测、离子注入、激活、氧化、减薄、退火等工艺环节积极布局产品体系,以高标准研发目标,逐步实现产品产业化市场突破,6-8英寸碳化硅外延设备实现国产替代并市占率领先,率先开发了12英寸碳化硅外延设备。

在蓝宝石装备领域,公司开发了长晶、切片、研磨、抛光等系列设备,实现设备、工艺的高度融合,促进联合创新,提升公司蓝宝石材料领域的综合竞争力。

此外,公司开发了4/6/8英寸兼容的行星式MOCVD设备,该设备平台可支持氮化镓、碳化硅等多种材料外延生长；设备采用自主优化的温场与流场协同调控技术,实现了高均匀性、低缺陷密度的外延成膜,满足功率、射频、MicroLED及光通信等芯片对外延材料的严苛质量要求,显著提升单位产能并降低综合使用成本,助力客户实现高效、低成本量产。

图四碳化硅产业链设备产品（3）新能源光伏装备在光伏装备领域,公司产品覆盖了硅片、电池和组件环节,为客户提供光伏整线解决方案。

硅片制造端,公司的主要产品有全自动晶体生长设备（单晶硅生长炉）、晶体加工设备（环线截断机、环形金刚线开方机、滚圆磨面一体机、金刚线切片机）、晶片加工设备（脱胶插片清洗一体机）、晶片分选检测设备等；在电池端,公司开发PECVD、扩散、退火、单腔室多舟ALD和电池切割边缘钝化（EPD）设备等多种电池工艺设备；在组件端,公司开发了含排版机、边框自动上料机、灌胶检测仪等多道工序的组件设备产线。

同时,通过实现各装备间的数字化和智能化联通,向客户提供自动化+数字化的智能工厂解决方案,促进客户生产效率提升,实现降本增效。

公司单晶硅生长炉在光伏行业实现了技术和规模双领先,切片机、脱胶插片清洗一体机以及分选装盒一体机以创新的设计和工艺,实现了生产效率和质量的大幅提升；差异化设计和工艺的电池设备,在稳定性、均匀性以及效率等方面表现优异,EPD设备增效显著,得到客户的广泛认可；创新的去银化组件设备,能够大幅降低电池及组件环节的银耗,大幅降低组件生产成本。

图五光伏产业链设备产品图六智能化解决方案2、半导体衬底材料公司碳化硅衬底材料行业地位不断提升,已实现6-8英寸衬底规模化量产,产能持续提升,并实现12英寸碳化硅单晶生长技术突破。

蓝宝石材料业务取得了全球技术和规模双领先,已实现750kg、1000kg晶锭及4-8英寸衬底的规模化量产,并研发出12英寸衬底及310mm方形衬底。

金刚石材料方面,公司依托自研MPCVD设备与工艺,已完成1-8英寸金刚石晶圆生长工艺技术开发,具备全尺寸规格的晶圆制备能力,持续推进大尺寸金刚石晶圆的工艺优化与产业化落地。

氮化硅材料方面,公司首条氮化硅陶瓷基板产线已通线量产,产品在热导率、可靠性、表面平整度等关键性能指标上对标国际主流产品,稳步推进高端氮化硅陶瓷基板国产化应用,为中国新能源汽车和高端装备产业相关材料的技术进步添砖加瓦。

图七半导体衬底材料产品3、半导体耗材及零部件（1）半导体耗材在石英坩埚领域,公司可提供全规格、高品质的石英坩埚产品,广泛覆盖半导体及光伏领域应用；其中半导体石英坩埚成功突破海外技术垄断,实现核心环节国产化替代,光伏石英坩埚市占率持续领跑并稳步提升,为双赛道协同发展奠定坚实基础。

依托同源超高纯石英材料技术平台、核心生产设备自主研发体系、自动化与智能化生产运营管理体系,以及成熟的半导体级品控标准,公司搭建数字化智能制造产线,保障产品批次一致性与性能稳定性。

在此基础上,公司向高端石英制品领域高效延伸,相继开发出适用于半导体晶圆生长、热处理、刻蚀、清洗等关键制程的炉管类、舟类、环类、治具类、清洗类等核心耗材,全面覆盖半导体制造多场景应用需求,显著提升对半导体客户的一站式协同供应能力。

伴随高端客户认证的持续突破与市场需求的快速增长,公司石英制品顺利通过客户验证并进入规模化量产阶段,进一步强化了在高端半导体石英材料领域的综合竞争力。

在石墨制品领域,公司相继拓展了外延基座、碳化硅部件等产品。

在金刚线领域,通过电镀金刚线技术自主研发与工艺创新,叠加产线自动化和智能化升级,针对性满足半导体晶圆高精度切割要求,有效改善切割良率、提升加工稳定性,实现高品质金刚线规模化量产,主力支撑半导体加工,同时覆盖光伏切割场景。

图八公司半导体耗材产品（2）半导体精密零部件公司构建了覆盖高端半导体设备核心部件的全产品体系,涵盖腔体与结构件（传输腔体、反应腔体、真空腔体等）、功能组件（气体分配盘、精密传动装置、磁流体密封装置、超导磁体等）、耗材与密封件（圆环类组件、腔体遮蔽件、半导体阀门管件等）三大核心产品矩阵。

通过设备、技术和工艺创新,形成高精密加工、特种焊接技术、半导体级表面处理及全流程集成验证四大核心能力。

图九公司半导体精密零部件产品（四）公司的经营模式1、采购模式公司主要采用以产定购的采购模式。

所需原材料及标准件直接向市场采购；定制化零部件向合格供应商外协定制加工。

公司构筑了全面供应链管理体系,通过搭建战略供应链管理流程、供应商质量管理流程、采购订单管理流程、供应商绩效管理流程等,实现供应链快速、敏捷、灵活和协作,高效地满足采购需求。

发展供应链战略合作伙伴,与供应商共同成长。

2、生产模式公司主要产品采用以销定产的生产模式,根据客户订单进行生产。

公司以客户需求为导向,搭建稳定交付的批量生产管理体系和柔性快速反应的小批多样及新产品生产管理体系。

通过打造“稳健批量”和“柔性快捷”双模制造为特点的产品生产制造系统,来满足客户需求,并为公司的产品发展路径和快速的新品上市提供保障。

同时,执行“持续强化精益生产”和“推行全流程质量管理”的制造业管理原则,以打造高效率的生产过程和零缺陷的产品交付能力,提高核心竞争力。

3、销售模式公司主要采用直销方式进行销售。

在销售组织管理方面,公司商务部负责市场调研、市场开拓和产品销售,技术服务团队负责设备产品的安装调试、售后服务和技术支持等。

由于公司的主要产品属于专用设备和材料,公司采用参加行业展销会、行业技术交流、目标客户定向推介、招投标等方式进行产品营销。

公司设备产品主要采用“预收款—发货款—验收款—质保金”的销售结算模式,材料产品主要采用预收款—发货验收后开票付款的销售结算方式。

4、研发模式公司坚持技术创新和客户需求深度挖掘的双轮驱动研发模式,建立了从设计制作、工艺流程改善、产品认证测试、项目开发申报等环节的完整研发控制体系。

通过加强对国家产业政策、行业发展趋势的研究,跟踪产业发展方向和技术前沿动态,收集分析客户需求、行业市场、竞争企业以及新产品新技术信息,在此基础上,研究确定公司研发目标、方向和路径规划,建立与产品和技术研发相关的一系列核心技术开发平台和产品产业化平台,持续研发符合市场需求和公司发展战略的新产品新技术,确保公司在行业中处于优势地位。

（五）公司所处的行业地位在集成电路装备领域,公司已构建8-12英寸半导体大硅片核心装备的全产业链布局,产品质量达国际先进水平,国内市占率领先；同时,延伸至芯片制造与封装环节,成功布局8-12英寸硅常压外延、8-12英寸减压外延设备及减薄设备等,相关产品取得市场认可并实现批量销售。

在化合物半导体装备领域,公司6-8英寸碳化硅外延设备、氧化炉、激活炉实现国产替代,市占率行业领先；公司突破技术壁垒,实现6/8英寸兼容的行星式MOCVD设备国产化,打破国外在MOCVD外延领域的技术封锁。

在新能源光伏装备领域,公司取得了行业认可的技术和规模双领先的地位,具备硅片端、电池端以及组件端全产业链核心装备供应能力,全自动单晶硅生长炉市占率国际领先。

在半导体衬底材料领域,公司蓝宝石衬底材料技术和规模全球领先；6-8英寸碳化硅衬底材料技术及规模处于国内前列,量产的6-8英寸碳化硅衬底核心参数指标达到行业一流水平。

在半导体耗材及零部件领域,公司半导体用石英坩埚技术和规模国内领先,半导体大尺寸合成石英坩埚实现国产替代；光伏石英坩埚技术和规模全球领先；大型真空腔体、大型高精密框架、精密传动主轴、磁流体、真空阀门等半导体精密零部件加工能力与量产规模处于国内前列。

1、概述报告期内,公司实现营业收入345,219.77万元,归属于上市公司股东的净利润23,224.08万元。

受益于半导体行业持续发展及国产化进程加快,公司半导体业务持续发展。

报告期内,公司集成电路与化合物半导体（含SiC、蓝宝石等）设备及材料收入13.07亿元,截至2026年6月30日,公司未完成集成电路及化合物半导体装备合同超47亿元（含税）。

随着集成电路与化合物半导体设备的逐步验收以及化合物半导体衬底材料的产能提升,预计2026年全年集成电路与化合物半导体设备及材料收入超40.00亿元（仅为预测数据,最终以2026年经审计数据为准,敬请投资者注意投资风险）。

（1）深化半导体装备国产替代,持续扩大市场规模报告期内,公司依托半导体装备国产替代的行业发展趋势和机遇,积极推进半导体装备的市场推广。

在集成电路装备领域,积极推进12英寸干进干出边抛机、12英寸双面减薄机等新产品的客户验证；成功开发应用于先进封装的超快紫外激光开槽设备,填补国内高端紫外激光开槽技术领域的空白,实现国产替代；应用于半导体大硅片的新一代双抛机市占率迅速提升。

发布方形硅片全流程解决方案,为客户提供效率更高、综合成本更优的一站式设备解决方案。

公司自主研发的12英寸常压硅外延设备实现小批量销售,其电阻率、厚度均匀性、外延层缺陷密度、生产效率以及工艺重复性等关键指标达到国际先进水平。

12英寸硅减压外延生长设备顺利实现销售出货,并取得重要客户复购,在芯片制造、特色硅光工艺上均取得突破。

设备采用单温区、多温区闭环控温模式,结合多真空区间精准控压技术,确保外延生长过程的高度稳定性,其独特的扁平腔体结构和多口分流系统设计,能够显著提升外延层的膜厚均匀性和掺杂均匀性,满足芯片制造的高标准要求。

12英寸原子层沉积设备进入国内头部逻辑产线验证。

在化合物半导体装备领域,公司紧抓碳化硅产业链向8英寸切换的行业发展趋势,充分发挥在碳化硅产业链装备的核心技术优势,加强8-12英寸碳化硅外延设备、减薄设备及激活炉的市场推广,顺利取得客户订单；积极推进碳化硅氧化炉以及离子注入等设备的客户验证,相关设备的验证进展顺利,为规模化量产奠定坚实基础。

在新能源光伏装备领域,公司持续加强研发技术创新,在产品技术和工艺、自动化和智能化以及先进制造模式等领域持续进行创新,聚焦TOPCon提效与BC技术创新,持续完善金属腔、管式、板式三大平台设备体系,积极推进EPD、LPCVD、PECVD、PVD以及ALD等设备的市场推广和客户验证,EPD设备持续强化行业领先的技术和规模优势,在推动产业创新的同时,助力公司高质量发展。

（2）加速半导体衬底材料产业化,提升全球化供应能力报告期内,公司以碳化硅衬底为核心,实现从技术突破到规模化供应的关键跨越。

公司基于自主研发的碳化硅单晶生长炉以及持续迭代升级的8-12英寸长晶工艺,经过多年的技术攻关,创新晶体生长温场设计及气相原料分布工艺,攻克12英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题,实现了12英寸超大尺寸晶体生长的技术突破,并基于下游应用,向产业链客户进行送样验证。

同时,持续推进8英寸和12英寸碳化硅衬底在全球功率、光学等市场客户的验证,已向全球及国内功率芯片领域过半数头部厂商实现批量供货,产品验证和量产推进顺利,8英寸已实现大规模供应,12英寸已实现小批量供应。

基于全球碳化硅产业的良好发展前景及广阔市场空间,公司积极推进全球化产能布局,在马来西亚槟城投资建设8英寸碳化硅衬底产业化项目,在银川投建8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目,形成“国内+海外”双基地布局。

目前,公司产能处于快速爬坡阶段,正加速推进6英寸及8英寸碳化硅衬底年产90万片项目投产,全球供应能力有望得到显著提升。

蓝宝石材料受益于LED二次替换、Mini/MicroLED新应用拓展及消费电子复苏,实现同比稳健增长；氮化硅陶瓷材料实现重大突破,成功突破了关键流延成型、精密温场控制等全产业链核心技术,公司首条氮化硅陶瓷基板产线已通线量产,产品在热导率、可靠性、表面平整度等关键性能指标上对标国际主流产品,稳步推进高端氮化硅陶瓷基板国产化应用,成功打破国外企业垄断,为新能源汽车、高端装备等领域提供关键材料支撑,降低下游产业进口依赖度。

（3）强化半导体零部件自主可控,技术实力与产业规模持续提升报告期内,子公司晶鸿精密坚持以核心零部件国产化为目标,不断强化精密加工、特种焊接、组装测试、半导体级表面处理等核心制造能力,持续加强关键零部件的研发攻关和产业化建设,产品质量持续提升,产品品类日益丰富。

强化零部件产品的市场拓展,聚焦客户需求,构建研发、制造、服务一体化解决方案,为客户提供高品质、高效率的产品和服务,提升半导体产业链关键零部件的配套供应和服务能力,公司不断拓展真空腔体、精密传动主轴、游星片、陶瓷盘以及其他高精度零部件等系列产品的客户群体,推动市场规模持续提升。

（4）加强组织人才建设,夯实组织管理发展基石报告期内,公司面对半导体行业发展机遇与光伏行业周期性挑战,持续加强管理体系及组织人才建设,大力培养青年骨干人才,锻造一支善于聚焦重点任务、精准响应市场变化、勇于担当作为的复合型青年人才队伍。

同时,加速高能级技术研发平台建设,实现集团内外创新资源精准配置,强化技术、人才与产业链的深度协同,构建高效、敏捷、坚韧的组织生态,为突破“卡脖子”技术、推进核心装备与材料自主可控、加速全球化战略布局提供了坚实的人才与组织保障。

（5）完善内部控制体系,提升规范治理水平报告期内,公司持续健全内部控制体系,结合各业务板块发展特点,系统梳理并优化内控流程。

由内部审计、流程管理、财务管理等专业人员定期开展内控制度审查与评估,根据业务发展变化及监管要求,及时修订完善相关制度。

在财务管理方面,强化预算管理、成本管控与资金监管,保障财务运行稳健规范；在内部审计方面,加大审计力度,拓宽审计覆盖范围,强化对业务活动的全过程监督,及时识别、预警并整改各类风险隐患。

同时,结合公司经营实际优化流程控制,加强决策层、管理层与执行层的协同联动,确保内控要求有效落地。

通过全面落实内部控制,公司进一步构建科学决策机制、快速市场响应机制和完善风险防范体系,持续提升规范运营能力与公司治理水平,为实现高质量可持续发展提供坚实保障。

本公司系由成立于2006年12月14日的上虞晶盛机电工程有限公司以整体变更方式设立的股份有限公司。

2010年11月19日,晶盛有限通过股东会决议,以截至2010年10月31日经天健会计师事务所审计的净资产138,281,437.73元为基数,按1:0.7232的比例折合股本10,000万元,余额38,281,437.73元计入资本公积,整体变更设立为股份有限公司。

2010年12月14日,公司在绍兴市工商局领取注册号为330600400011495的《企业法人营业执照》,核准登记的企业名称变更为浙江晶盛机电股份有限公司。