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斯达半导 - 603290.SH

斯达半导体股份有限公司
上市日期
2020-02-04
上市交易所
上海证券交易所
企业英文名
StarPower Semiconductor Ltd.
成立日期
2005-04-27
注册地
浙江
所在行业
计算机、通信和其他电子设备制造业
上市信息
企业简称
斯达半导
股票代码
603290.SH
上市日期
2020-02-04
大股东
香港斯达控股有限公司
持股比例
41.66 %
董秘
张哲
董秘电话
0573-82586699
所在行业
计算机、通信和其他电子设备制造业
会计师事务所
立信会计师事务所(特殊普通合伙)
注册会计师
瞿玉敏;欧阳妍霆
律师事务所
北京海润天睿律师事务所
企业基本信息
企业全称
斯达半导体股份有限公司
企业代码
913304007731328302
组织形式
其他外资企业
注册地
浙江
成立日期
2005-04-27
法定代表人
沈华
董事长
沈华
企业电话
0573-82586699
企业传真
0573-82588288
邮编
314006
企业邮箱
investor-relation@powersemi.com
企业官网
办公地址
浙江嘉兴市南湖区科兴路988号
企业简介

主营业务:以IGBT、SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售

经营范围:一般项目:半导体分立器件制造;半导体分立器件销售;集成电路芯片设计及服务;集成电路芯片及产品制造;集成电路芯片及产品销售;机械零件、零部件加工;机械零件、零部件销售;机械设备租赁;货物进出口;技术进出口(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法开展经营活动)。

斯达半导体股份有限公司成立于2005年4月,专业从事以IGBT为主的半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售服务。

公司总部位于浙江嘉兴,在上海、重庆、浙江和欧洲均设有子公司,并在国内和欧洲德国及瑞士设有研发中心。

2020年在上海交易所主板上市,股票简称:斯达半导,代码:603290。

根据国际著名市场调研机构Omdia2023年研究报告,公司在全球IGBT模块市场排名第五。

公司产品分芯片和模块两大类,主要包括IGBT、SiCMOSFET、GaNHEMT、快恢复二极管等功率半导体器件以及汽车级与工业级MCU、栅极驱动IC芯片等。

其中IGBT模块产品超过600种,电压等级涵盖100V~3300V,电流等级涵盖10A~3600A。

公司产品已被广泛应用于新能源、新能源汽车、工业控制与电源、白色家电、AI服务器电源、数据中心、机器人及低空/高空飞行器等领域。

公司是国内新能源汽车市场主电机控制器用大功率车规级IGBT/SiC模块的主要供应商,2024年车规级IGBT模块配套超过300万套新能源汽车主电机控制器。

公司在全球拥有3000多位员工,建立了一支知识密集、专业搭配合理、技术力量雄厚,且极具创新意识、创新激情和创新能力的国际型人才队伍。

公司主要技术骨干来自麻省理工学院、斯坦福大学、剑桥大学、清华大学、台湾清华大学、浙江大学、复旦大学等国际知名高校的博士或硕士,在半导体芯片和模块领域有着10~30年的研发和生产管理经验。

公司建立了国际先进的功率模块生产线,建立了完备的产品可靠性实验室和工况模拟实验室等,可实现产品的性能和静动态测试、可靠性测试、工况模拟测试等。

此外,公司也十分重视高素质人才的培养,与浙江大学、中科院电工所等高校和科研机构建立了紧密的产学研合作关系。

公司始终坚持“品质成就梦想”的宗旨,严把质量关。

公司已通过ISO9001质量管理体系认证、ISO14001环境管理体系认证、ISO45001职业健康安全管理体系认证以及IATF16949汽车级质量管理体系认证,对产品从最初的研发阶段至客户后期服务的整个流程进行全面质量控制。

公司还引进了ERP、MES等管理系统,对公司的进、销、存、设备、生产、财务等进行全面的系统性的信息化管理,为企业决策层及员工提供决策运行手段,确保生产的顺利进行和产品的可追踪性。

公司将继续坚持以市场为导向,以创新为驱动,为高能效、绿色化和智能化应用提供全面的半导体及系统解决方案,为客户创造更大价值,致力于成为世界顶尖的半导体企业。

商业规划

(一)经营情况概述2026年上半年,全球半导体行业迈入AI驱动的上行扩张周期,功率半导体行业受益于AI算力建设需求拉动,整体呈现景气度上行、供需偏紧的发展态势,但细分领域表现分化,AI数据中心供电等应用领域需求旺盛,新能源汽车、光伏等应用领域受阶段性需求波动影响有所承压。

公司依托深厚技术积淀与行业领先地位,聚焦核心业务,充分发挥“Fabless+IDM双轮驱动”业务模式优势,持续推动驱动IC、工业级及车规MCU芯片与现有功率半导体业务深度协同融合,产品矩阵不断完善。

报告期内,公司实现营业收入192,775.12万元,较2025年同期下降0.41%;实现归属于上市公司股东的净利润6,500.05万元,较去年同期下降76.40%;实现扣除非经常性损益的净利润4,615.45万元,较去年同期下降82.29%。

报告期内,公司利润下降主要系功率模块受原材料成本增加以及上年产品价格下调影响,本期毛利率较上年同期有所下降。

报告期内,公司工业控制和电源行业收入实现较快增长,变频白色家电及新兴领域布局持续深化,新能源行业受阶段性需求波动影响短期承压。

公司持续加大研发投入,不断巩固在汽车、新能源、工业等传统根基业务的优势地位,同时积极布局AI等新兴赛道,培育新的增长曲线,核心竞争力与长期发展潜力稳步提升。

(二)主营业务经营情况分析1.新能源行业2026年上半年,受新能源汽车领域阶段性需求波动、上年同期新能源发电项目集中并网形成较高基数影响,公司新能源行业实现营业收入101,890.94万元,较去年同期下降16.02%。

展望下半年,随着公司车规级SiCMOSFET主驱、光伏新一代大组串等客户配套项目集中进入交付周期以及行业需求回暖,预计该板块收入将恢复增长势头。

1)在新能源汽车行业2026年上半年,公司搭载自主第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的750V/1200V车规级IGBT模块持续放量,同时,基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的Plus版本芯片有效适配新能源汽车高压平台高负载、长周期的严苛运行需求,新增多个定点并在多个主流800V双电控平台实现持续大批量交付。

2026年上半年,公司车规级SiCMOSFET业务顺利开展:SiCMOSFET模块新增多个主电机控制器定点,存量项目持续大批量装车;搭载自主第二代车规级750V/1200VSiCMOSFET芯片的模块持续大批量出货,大量配套400V/800V电压主电驱平台项目;搭载自主第二代车规级1500VSiCMOSFET芯片的模块率先在行业头部乘用车厂1000V平台车型实现批量交付。

同时,自建6英寸SiC芯片产线产能利用率持续提高,芯片及模块良率均达到国际领先水平。

2026年上半年,公司开发了车规级三电平SiCMOSFET模块,产品覆盖400A至600A电驱动产品,已获多个项目定点,预计将于2027年进入量产状态。

2026年上半年,公司海外市场加速突破,公司直接配套海外新能源汽车市场收入同比增长超70%。

公司车规IGBT模块持续向欧洲一线Tier1批量交付,并通过其辐射全球多国OEM厂商;同时新增多个IGBT及SiCMOSFET主电机控制器平台定点,为2026-2030年海外收入持续增长提供强力支撑。

2026年上半年,公司继续推进车规级GaN功率模块项目进度,进展顺利,预计将于2028-2030年进入大批量配套上车阶段。

2026年上半年,公司应用于主电机控制器的主频320MHz车规级MCU产品进展顺利,该芯片集成多个高性能锁步内核与高算力功能内核、国密一级标准安全HSM,可全面适配新能源汽车双电机主驱控制及动力总成多合一域控场景,满足ISO26262ASIL-D产品认证要求,整体性能与安全指标对标国际一线主流产品,预计于2026年底实现小批量供货。

公司将持续投入车规MCU产品线,计划在2026年至2030年完成基于车规MCU系列产品的拓展,全面覆盖底盘、域控制器等国产化率比较低的新能源汽车核心应用场景。

2)在新能源发电及储能行业2026年上半年,公司面向地面电站组串式2000V系统的500KW逆变器功率模块已经在客户现场大批量装机并网发电,预计2026年下半年订单逐步增加,2027年将成为地面电站组串式逆变器的主力机型。

2026年上半年,公司新一代构网型大型储能PCS模块,已在多家储能头部企业大批量交付,应用于400KW以上组串式储能系统的三电平混合SiC模块方案持续批量交付。

同时,公司推出的地面电站光储融合产品已在行业头部客户认证通过,该方案为地面电站提供了新型解决方案,预计下半年开始小批量装机。

2026年上半年,公司针对1800V大功率风电变流器开发的基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术2300VIGBT产品研发成功并通过可靠性验证,主要适配10-15MW超大功率风电机组,预计将于下半年开展批量导入工作。

2026年上半年,公司针对2000V以上储能系统开发的混合SiC模块开发成功,预计下半年在客户端开始测试验证。

2.工业控制和电源行业2026年上半年,受益于制造业自动化升级及新能源、AI算力基础建设等因素带动,工业控制和电源行业需求有所回暖,公司作为工控及电源领域核心供应商,核心客户份额持续提升。

报告期公司工业控制和电源行业营业收入大幅增长,实现收入70,951.17万元,较去年同期上升40.17%。

2026年上半年,公司推出适用于工控行业的第八代微沟槽TrenchFieldStop技术的IGBT芯片平台,在提升芯片在高结温下长时间运行能力的同时进一步提升了芯片电流密度并降低开关损耗。

2026年上半年,公司持续深化与海外头部客户的全面合作,海外工控市场开拓成效显著,公司在全球工控及电源供应链中的份额与地位持续提升。

2026年上半年,公司工业级MCU通过多家头部变频器厂家验证,该产品与公司IGBT/SiC功率模块、栅极驱动IC形成“MCU+功率模块+驱动IC”一体化产品矩阵,通过芯片级协同优化有效提升系统能效与可靠性、降低客户研发成本、缩短产品开发周期,进一步增强公司产品综合竞争力与客户粘性。

3.变频白色家电及其他行业2026年上半年,公司持续加大白色家电行业资源投入,不断完善从功率器件、栅极驱动芯片到MCU的全品类产品矩阵,为家电客户提供全功率段全套电控解决方案。

2026年上半年,公司推出白电应用MCU芯片,预计下半年进入测试阶段。

该系列产品对标国际厂商主流MCU产品,搭配公司功率模块及栅极驱动IC,为客户提供主控芯片国产化替代方案。

2026年上半年,公司围绕白色家电电控系统持续完善产品矩阵,集成新一代栅极驱动芯片、IGBT芯片的风机及压缩机IPM模块完成迭代升级并实现市场导入,同时联合头部家电客户开展定制化新品联合开发,夯实中长期增长基础。

2026年上半年,公司IGBT在特种空调配套领域实现增量突破;同时,公司将车规级碳化硅模块技术拓展应用于高端温控领域,顺利获得全球头部磁悬浮空调厂商项目定点,终端服务于AI数据中心等场景。

车规级产品在能效密度、长期可靠性方面的严苛标准,与磁悬浮空调及AI数据中心温控的高端需求高度匹配,为白电及工业温控业务打开新的增长空间。

4.新兴行业公司持续在AI数据中心(含AI服务器电源、HVDC供电系统)、SST(固态变压器)、机器人、低空/高空飞行器等新兴行业开展产品研发和产业化,依托自身技术和品牌优势,持续推出符合市场需求、具有核心竞争力的高附加值新产品。

2026年上半年,公司推出了适用于SST使用场景的2300V/3300V高压SiCMOSFET芯片及3300V/4500V高压IGBT芯片,覆盖多电压等级与多种工况。

公司围绕SST应用构建了从IGBT到SiCMOSFET、从分立器件到模块的功率产品矩阵,并持续推进完善,开发与市场拓展进展顺利。

2026年上半年,公司持续加大研发投入,重点开发适配AI相关应用高功率密度和高能效需求的产品,产品系列包含100V/650VGaNHEMT、25V-150V低压MOS、DrMOS等芯片,下游覆盖PSU(电源供应单元)、IBC(中间母线转换器)、Hotswap(热插拔)、VRM(电压调节模块)等应用场景。

该系列产品将进一步完善公司在AI服务器电源、数据中心等新兴领域的产品矩阵,助力公司紧抓AI产业发展机遇,为公司业务增长拓展新的核心增长极。

2026年上半年,公司在低空飞行器领域持续推进并新增多个定点,载人电动商用飞行器项目进展顺利,已进入小批量装机验证阶段。

公司将继续坚持以市场为导向,以创新为驱动,以成为全球领先的、为高能效绿色化和智能化应用提供全面半导体及系统解决方案的提供商为目标,致力于成为世界顶尖的半导体公司。

发展进程

2005年4月2日,沈华签署了《外商独资经营嘉兴斯达半导体有限公司章程》,根据该章程的约定,斯达有限由沈华出资设立,其投资总额为2,480万美元,注册资本为1,000万美元,其中以现汇出资499万美元,机械设备出资501万美元。

注册资本自《企业法人营业执照》签发之日起三个月内缴付15%,全部注册资本在三年内缴清。

2005年4月14日,嘉兴市秀城区对外经济贸易合作局作出了秀城外经[2005]63号《关于同意嘉兴斯达半导体有限公司章程的批复》,同意设立外资企业斯达有限。

2005年4月15日,斯达有限取得浙江省人民政府颁发的商外资浙府资嘉字[2005]02957《中华人民共和国外商投资企业批准证书》。

2005年4月27日,斯达有限取得了由嘉兴市工商局核发的《企业法人营业执照》,注册号为企独浙嘉总字第003612号。

2005年10月11日,嘉兴中明会计师事务所有限公司(以下简称“嘉兴中明会计师事务所”)对股东沈华的第一期出资情况进行了验证,并出具了嘉中会验外字[2005]080号《验资报告》。

根据该《验资报告》,截至2005年10月8日,斯达有限已经收到股东沈华第一期缴纳的出资1,500,088.00美元。

本期出资全部为美元现汇出资,所缴纳出资占公司注册资本的15%。

2006年12月25日,嘉兴中明会计师事务所对股东沈华的第二期出资情况进行了验证,并出具了嘉中会验外字[2006]090号《验资报告》。

根据该《验资报告》,截至2006年12月19日,斯达有限已经收到股东沈华第二期缴纳的出资1,814,240.00美元。

其中以港币现汇出资折合514,240.00美元,以实物出资折合1,300,000.00美元。

截至验资基准日,用于出资的实物资产权属已经转移至斯达有限。

嘉兴中明会计师事务所对股东沈华用于出资的实物出资进行了评估,并于2006年12月21日出具了嘉中会评报[2006]第208号《资产评估报告》。

根据该《资产评估报告》,用于出资的机器设备评估值为人民币10,175,100.00元。

2007年1月30日,斯达有限就本次实收资本变更取得了换发的《企业法人营业执照》。

本期出资后,斯达有限实收资本为3,314,328.00美元,占公司注册资本的33.14%。

2011年10月14日,斯达有限董事会通过决议,同意斯达有限整体变更设立股份公司,以2011年8月31日为基准日经审计的净资产159,375,587.52元按1:0.7529的比例折合为股份公司总股本12,000万股,每股面值人民币1元,由各发起人按照在斯达有限的出资比例持有相应数量的股份。

2011年10月14日,斯达股份召开了创立大会,会议通过了公司设立的相关决议,选举了第一届董事会成员及第一届监事会非职工代表监事。

2011年11月9日,斯达股份取得浙江省商务厅作出的浙商务资函[2011]223号《关于嘉兴斯达半导体有限公司整体变更为外商投资股份有限公司的批复》,同意斯达有限整体变更设立股份公司,同意各发起人的股份数额及持股比例,并同意2011年10月14日签订的《公司章程》。

2011年11月30日,斯达股份取得嘉兴市工商局核发的注册号为330400400004928号的《企业法人营业执照》。

2023年10月28日,公司名称由嘉兴斯达半导体股份有限公司变更为斯达半导体股份有限公司。

股东交易

变动人 变动日期 变动股数 成交均价 变动后持股数 董监高职务
戴志展 2025-10-20 -1200 118.33 元 731186 高级管理人员
戴志展 2025-10-17 -700 119.23 元 732386 高级管理人员
汤艺 2025-10-16 -11000 120.07 元 396500 高级管理人员
戴志展 2025-10-16 -14600 118.11 元 733086 高级管理人员
汤艺 2025-10-09 -18700 114.82 元 407500 高级管理人员
戴志展 2025-10-09 -17800 116.67 元 747686 高级管理人员
汤艺 2025-09-26 -4000 114.16 元 426200 高级管理人员
戴志展 2025-09-26 -4600 112.95 元 765486 高级管理人员
汤艺 2025-09-25 -3000 114.04 元 430200 高级管理人员
戴志展 2025-09-24 -29400 112.08 元 770086 高级管理人员
汤艺 2025-09-22 -37300 108.38 元 433200 高级管理人员
戴志展 2025-09-22 -4300 108.65 元 799486 高级管理人员
戴志展 2025-09-19 -2200 109.08 元 803786 高级管理人员
戴志展 2025-09-18 -700 107.89 元 805986 高级管理人员
汤艺 2025-09-16 -19100 105.5 元 470500 高级管理人员
汤艺 2025-09-15 -6900 107.02 元 489600 高级管理人员
戴志展 2025-09-15 -1300 107.41 元 806686 高级管理人员
汤艺 2024-07-31 -12000 90.24 元 496500 高级管理人员
戴志展 2024-07-22 -4900 96.9 元 807986 高级管理人员
汤艺 2024-07-19 -10000 93.61 元 508500 高级管理人员
戴志展 2024-07-19 -10000 93.61 元 812886 高级管理人员
戴志展 2024-06-24 -8800 97.43 元 822886 高级管理人员
戴志展 2024-06-20 -7200 96.86 元 831686 高级管理人员
汤艺 2024-06-19 -10000 95.98 元 518500 高级管理人员
汤艺 2024-05-22 151000 0 元 528500 高级管理人员
毛国锋 2024-05-22 200 0 元 700 监事
戴志展 2024-05-22 239682 0 元 838886 高级管理人员