东微半导 - 688261.SH

主营业务：高性能功率器件研发与销售

经营范围：半导体器件、集成电路、芯片、半导体耗材、电子产品的设计、开发、销售、进出口业务及相关技术咨询和技术服务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)

苏州东微半导体股份有限公司成立于2008年,2022年2月10日于上海证券交易所登录科创板上市,股票代码:688261。

东微半导体是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。

公司的主要产品包括GreenMOS系列超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列屏蔽栅MOSFET、TGBT、SuperSi2C MOSFET、SuperSi MOSFET、SiC MOSFET,产品可广泛应用于以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、光伏逆变器、储能、5G基站电源、通信电源、数据中心服务器电源、工业照明电源、电动工具、智能机器人、无人机、UPS电源为代表的工业级及汽车级应用领域,以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器、电磁加热为代表的消费电子应用领域。

公司专注于高性能功率半导体及数字控制IC的研发和销售,产品涵盖高性能功率器件与IC产品,可广泛应用于5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能、车身加热和平衡系统等工业级与汽车级领域,以及以TV电源板、手机、笔记本电脑等快速充电系统应用为代表的消费电子领域。

公司坚持以技术创新为驱动的理念,纵向持续深耕高性能功率半导体领域,横向拓展丰富产品线,持续保持研发投入,积极扩充技术人才队伍,丰富产品品类与产品规格；进一步深化与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商的业务和技术合作关系,保障产能的有效供给,持续进行前沿技术的合作。

（一）整体经营业绩情况报告期内,公司实现营业收入7.36亿元,较上年同期增长19.58%；实现归属于上市公司股东的净利润10,630.18万元,较上年同期增长285.41%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润68.92万元,较上年同期减少92.91%。

功率半导体行业下游应用分散、产品品类繁多。

公司产品在汽车、工业、消费等领域广泛应用,通常而言车规级、工业级应用对功率半导体产品的性能和可靠性要求普遍高于消费级应用,报告期内,车规级、工业级领域营业收入占比约为79%。

受益于数据中心、算力服务器电源等领域的业务保持增长并稳步提升、产能持续扩大、新产品不断推出及产品组合结构进一步优化等因素影响,公司营业收入和毛利率有所上升。

（二）技术研发情况公司坚持技术创新与研发投入,夯实现有产品的技术升级,加快实现新产品的技术迭代。

2026年上半年研发费用为5,565.28万元,较上年同期增长31.78%；报告期内,公司研发人员数较上年同期增长36.14%。

公司持续进行新技术开发工作,功率产品端,遵循技术路线图推进各项技术迭代和产品升级。

IC产品端,与控股子公司慧能泰开展技术整合,搭建起完整数字IC矩阵,覆盖数模混合快速充电控制芯片、数字电源控制器、工业实时控制DSP、高精度BMSAFE、PMIC、栅极驱动、模拟运放等全品类芯片,包含了更多的产品品类和更多的应用领域。

报告期内取得多项关键进展,具体进展如下：（1）功率器件/功率模块方面①超级结MOSFET方面：报告期内,公司12英寸晶圆制造基地产能保持稳定,前期深度扩展与技术优化所构建的制造资源池持续发挥效能,为超级结产品线的技术迭代与规模化交付提供了坚实保障。

第四代超级结MOSFET作为当前主力产品平台,制造工艺持续成熟,晶圆测试良率保持高水平,产品一致性表现优异,能够充分满足高端客户对产能和品质的严苛要求。

报告期内,公司持续优化器件结构与工艺流程,进一步降低导通电阻（Ron）与栅电荷（Qg）,同时改善开关软度,提升系统整体能效；工业级及车规级产品高温可靠性管控进一步强化,失效PPM比率持续降低。

第四代产品出货比例稳步提升,延续了上一年度的增长势头。

第六代超级结MOSFET作为全新技术平台,研发工作取得阶段性重要进展。

报告期内,第六代产品验证结果符合预期。

器件性能继续保持国内领先水平,性价比优势明显,该平台将为后续多场景应用拓展提供有力支撑。

与此同时,公司持续推进耐压范围拓展,全电压段超结产品布局进一步完善。

第四代产品的稳定供应能力与第六代新平台的蓄势待发,将共同构筑公司超级结MOSFET产品在高端功率半导体领域的长远竞争力。

②中低压屏蔽栅MOSFET方面：报告期内,通过对25V-200V全规格段中低压屏蔽栅产品性能的深度优化,成功量产了多颗高难度规格产品,为客户的国产化替代提供了坚实支撑。

其中,40VFSMOS系列实现了从8英寸到12英寸产线的全面迭代；150V-200V平台凭借新开发的独特技术,成为通信与服务器电源等高频应用的理想选择。

同时,公司全力推进25V-200V下一代高速系列器件,达成更低的比导通电阻,更小的电容,更快的开关速度,致力于在高端电力电子装备等前沿应用领域创造更大价值。

③独创结构的TGBT方面：报告期内,公司完成了基于柔性开关技术的650V高速低功耗TGBT产品的研发,产品具备和目前国际头部的IGBT竞品对等的参数能力,在相关客户（含汽车领域）已经完成初步评估,性能满足预期,这将为公司赢得更多的订单机会。

使用公司研发的650VTGBT,搭载公司自研的高可靠性SiC续流管产品,已大批量应用于新能源车载充电机领域；多款1200V短路性能优良的产品已经批量交付工业电机及光伏逆变类客户,助力TGBT销售量的增长。

在TGBT领域,公司将研发主力投入于高频和高可靠性应用市场,以期差异化提升产品价值,同时对标国际第八代IGBT技术水平,布局相关器件的前期预研与技术储备。

④SiC器件方面：报告期内,公司持续加速SiC系列产品的研发和量产工作,通过和国内领先的一线晶圆代工厂的深度合作,已推出多款涵盖多种封装形式的SiCMOSFET产品,形成了丰富的产品规格供客户选择。

公司第二代、第三代650V和1200V平台的多个SiCMOSFET产品已通过严苛的工业级可靠性验证,进入稳定交付阶段,并成功切入行业头部客户供应链,覆盖服务器电源、光伏储能、车载充电机等核心应用场景；公司1400V及更高电压系列产品已通过客户测试并获得订单,该系列产品是工业高压电源、固态变压器、储能变流器等高端场景的核心器件；650V/750V/1200V第四代SiCMOSFET平台已完成研发进入量产爬坡阶段,性能处于国内领先水平；同时,3300V及以上系列产品也在积极研发布局中。

公司自主研发的SiCMOSFET应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等,实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的补充。

此外,公司SiC二极管（SiCSBD）已实现规模化量产,公司同步推进高性能沟槽型SiCJFET、沟槽型SiCMOSFET、超结型SiCMOSFET及GaNHEMT等器件的研发工作。

⑤功率模块方面：依托在功率器件和功率模块上的技术积累,公司模块产品已批量出货,产品聚焦储能、AIDC等大功率密度场景,并针对机器人领域进行小型化低压模块的开发。

高压领域,依托成熟的SMD3平台,产品涵盖SJMOSFET、IGBT及SiCMOSFET等,可广泛应用于新能源汽车OBC/DCDC、光伏逆变器、储能系统及算力服务器AIDC领域,展现出卓越的功率密度与热管理能力。

低压领域,低压SGTMOS半桥/全桥模块系列产品显著降低了导通电阻（Rdson）与开关损耗,具备低寄生电感、优异的热阻表现及高功率密度封装等技术亮点。

其核心应用场景广泛,涵盖绿色能源与通信领域的高性能同步整流电源、特种交通工具如电动快艇及四轮低速电动车的驱动系统、无人机飞控电源及四足机器人关节驱动模组,以及汽车热管理系统,可以满足市场对高动态响应和高能效的严苛要求。

（2）IC产品方面①数模混合快速充电控制芯片,主要应用在消费电子的旅行充电器、车载充电器、快充线缆、各类移动式快充设备中。

在报告期内,公司对现有优势产品持续迭代,将在单快充端口中应用较为成熟的零外围极简方案扩展到多端口应用场合,进一步加强了产品组合的竞争力。

同时,针对主流快充协议USBPD的变更升级,公司也推出了新一代产品,以始终给客户提供最佳性能的解决方案。

②数模混合开关电源控制芯片,主要面向工业类场景的PC电源、充电机、服务器电源、中间母线变换器等应用。

报告期内,基于上一代产品的反馈,对于分别适用于图腾柱无桥PFC拓扑和交错PFC拓扑的ACDC数字控制器进行了升级优化,提升了产品在EMC性能、动态响应等方面的关键指标,进一步增强了产品竞争力。

同时,在DCDC数字控制器产品方面,首次推出了AI数据中心48V供电环节下覆盖硬开关全桥、开环LLC、多相Buck等主流拓扑的数字控制器产品,并向部分行业领先客户送样测试。

③工业实时控制DSP系列,对标国际大厂产品,主要面向电源和电机控制应用。

产品的数字架构、硬件加速电路和专用接口全自研,新一代产品支持私有协议的工业实时总线。

④在辅助电源方面,公司在第三代半导体器件领域的技术积累基础上,积极推进面向车载及AI算力电源的800V辅助电源芯片系列的研发工作,该系列产品具有外围电路极其简洁的特点,可以满足未来800V先进供电系统对电路面积的极致要求。

车规级辅助电源适用于新能源汽车主驱辅助电源及高压DC/DC内部辅助供电；AI用辅助电源针对800V高压母线输入场景进行了高压启动及高功率密度专项优化,为AI服务器电源系统提供小体积高可靠性的辅助供电。

综上所述,报告期内,公司主营产品技术迭代和产品升级有序进行。

同时,在持续投入研发,提升测试实验能力的同时,公司进一步完善专利布局以充分保护核心技术,通过持续的专利布局建立深厚的技术与市场壁垒,为技术创新构筑知识产权护城河,为业务开展及未来新业务的拓展打下坚实的基础。

（三）产业链布局情况公司持续追踪优质资产与并购契机,基于业务协同、产业链上下游关系及公司战略规划,对风险收益进行充分评估与审慎决策。

2026年上半年,公司顺利完成对慧能泰的控股收购,此次并购以协议芯片+数字能源控制IC为双核心,锚定先进能源数字化趋势,补齐公司在数字控制领域的技术短板,推动从“功率器件”到“系统方案”的战略跃迁。

本次并购落地开启了公司“控制-驱动-执行”全链路布局的新篇章,充分彰显公司从单一功率器件供应商转型为电源系统解决方案供应商的战略决心。

（四）供应链布局情况报告期内,公司在供应链协同方面持续深化。

在晶圆代工端,公司与上游制造企业保持了稳定的业务与技术合作。

通过前瞻性的采购策略,公司有效应对了产能的周期性波动,确保了产品交付的及时性。

此外,公司持续关注并协助代工伙伴进行创新工艺流程的开发,并根据其制造能力进行深度定制化的工艺与产品适配,实现了双方技术能力的相互促进与共同提升。

在封测端,公司整合供应链资源,强化了对封装与测试环节的协同管理。

公司与合作伙伴共同开发适用于不同产品特性的先进封装方案与高效测试策略,以此推动代工成本的优化与整体效率的提升,从而不断增强供应链的自主可控能力。

（五）总部基地建设情况报告期内,公司总部基地项目正式奠基,基地以高端化、智能化、一体化为建设目标,围绕新型功率器件、新一代功率管理控制芯片的研发及产业化布局。

短期层面,项目有利于优化公司资产结构,改善运营管理质量；长期而言,本次建设不局限于场地扩容,更是创新体系的提质升级。

项目建成后将集中整合研发、实验、办公资源,提升综合管理效率,为公司持续开展技术攻关、产品快速迭代夯实硬件载体与运营基础。

发行人前身东微有限系王鹏飞与龚轶于2008年9月12日共同出资设立的有限责任公司。

东微有限设立时的注册资本为10.00万元,由王鹏飞认缴5.50万元、龚轶认缴4.50万元。

2008年9月2日,江苏新中大会计师事务所有限公司出具“苏新验字〔2008〕697号”《验资报告》,确认截至2008年8月29日,公司已收到全体股东以货币方式缴纳的注册资本共10.00万元。

2008年9月12日,江苏省苏州工业园区工商行政管理局向东微有限核发《企业法人营业执照》。

2020年9月15日,东微有限召开股东会,同意将公司整体变更为股份有限公司,股份有限公司名称为“苏州东微半导体股份有限公司”,公司现有全体股东为股份有限公司发起人;同意以2020年8月31日为基准日,协调中介机构开展相关审计与资产评估工作。

2020年10月25日,天健出具“天健审〔2020〕9923号”《审计报告》,确认截至2020年8月31日,公司净资产的审计值为248,683,212.28元。

2020年10月31日,天健对东微有限整体变更设立为股份有限公司的出资情况进行了审验,并出具“天健验〔2020〕562号”《验资报告》,确认截至2020年10月26日,公司已收到全体股东拥有的东微有限截至2020年8月31日经审计的净资产248,683,212.28元,折合股份47,582,182股。

2020年11月27日,江苏省市场监管局向公司核发变更后的《营业执照》。

2017年3月20日,聚源聚芯与东微有限签署《苏州东微半导体有限公司投资协议》,约定由聚源聚芯向东微有限投资2,000.0000万元,其中201.143万元计入注册资本,剩余投资款计入资本公积。

2018年5月4日,公司在苏州工业园区工商局办理了工商变更手续。

2018年12月21日,王鹏飞与龚轶分别与卢万松签订《股权转让协议》和《股权转让协议补充协议》,约定将王鹏飞与龚轶分别持有的东微有限0.482%股权(对应注册资本21.3292万元)和0.478%股权(对应注册资本21.1522万元)分别均以0元的价格转让给卢万松。

本次股权转让系对卢万松实施股权激励,具体内容参见本招股说明书“第五节发行人基本情况/八、发行人已经制定或实施的股权激励及相关安排”。

2019年4月24日,东微有限就本次股权转让有关事项办理完成工商变更登记。

2019年7月2日,王鹏飞、龚轶、卢万松分别与智禹博弘签署《股权转让协议》,约定王鹏飞、龚轶和卢万松分别将其持有的东微有限0.25%股权(对应注册资本11.0629万元)、0.35%股权(对应注册资本15.4880万元)和0.16%股权(对应注册资本7.0802万元)以312.5000万元、437.5000万元和200.0000万元的价格转让给智禹博弘;王鹏飞、龚轶分别与丰熠投资签署《股权转让协议》,约定王鹏飞和龚轶分别将其持有的东微有限0.27%股权(对应注册资本11.9479万元)和0.37%股权(对应注册资本16.3730万元)以337.5000万元和462.5000万元的价格转让给丰熠投资。

同日,东微有限股东作出股东会决议,同意上述股权转让事宜,全体股东就该等变更签署新的公司章程。

2019年8月2日,东微有限就本次股权转让有关事项办理完成工商变更登记。

2019年11月12日,东微有限作出股东会决议,同意苏州中和将其持有的东微有限1.57%股权(对应注册资本69.4412万元)和1.84%股权(对应注册资本81.4159万元)分别以1,961.7000万元和2,300.0000万元的价格转让给天蝉投资和智禹淼森,全体股东就前述变更签署新的公司章程。

2019年12月31日,苏州工业园区市场监管局向东微有限核发变更后的《营业执照》。

2020年1月15日,江苏中企华中天资产评估有限公司出具“苏中资评报字〔2020〕第3003号”《资产评估报告》。

该评估结果已完成国有资产评估项目备案,并由国有资产监督管理机构出具《国有资产评估项目备案表》。

2020年7月7日,苏州工业园区市场监管局向东微有限核发变更后的《营业执照》。

2020年12月5日,东微半导体与国策投资、智禹东微、丰辉投资、中新创投及上海烨旻分别签署《苏州东微半导体股份有限公司定向发行股份之股份认购协议》。

根据认购协议,国策投资、智禹东微、丰辉投资、中新创投及上海烨旻合计向东微半导体增资15,500.0000万元,认购东微半导体新增股份295.0093万股。

其中,国策投资出资6,000.0000万元,认购东微半导体新增股份114.1972万股;智禹东微出资5,500.0000万元,认购东微半导体新增股份104.6808万股;丰辉投资出资2,500.0000万元,认购东微半导体新增股份47.5821万股;中新创投出资1,000.0000万元,认购东微半导体新增股份19.0328万股;上海烨旻出资500.0000万元,认购东微半导体新增股份9.5164万股。

2020年12月25日,东微半导体就本次增资有关事项办理完成工商变更登记。