常州银河世纪微电子股份有限公司

• 企业全称: 常州银河世纪微电子股份有限公司
• 企业简称: 银河微电
• 企业英文名: Changzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.
• 实际控制人: 杨森茂
• 上市代码: 688689.SH
• 注册资本: 12890.3167 万元
• 上市日期: 2021-01-27
• 大股东: 常州银河星源投资有限公司
• 持股比例: 31.61%
• 董秘: 李福承
• 董秘电话: 0519-68859335
• 所属行业: 计算机、通信和其他电子设备制造业
• 会计师事务所: 立信会计师事务所(特殊普通合伙)
• 注册会计师: 凌燕、顾肖达、梅军锋
• 律师事务所: 国浩律师(南京)事务所
• 注册地址: 常州市新北区长江北路19号
• 概念板块: 半导体 江苏板块 专精特新 融资融券 转债标的 Chiplet概念 IGBT概念 碳化硅 汽车芯片 第三代半导体 半导体概念 氮化镓 传感器 新能源车 国产芯片

• 注册地: 江苏
• 成立日期: 2006-10-08
• 组织形式: 大型民企
• 统一社会信用代码: 91320411793325883H
• 法定代表人: 杨森茂
• 董事长: 杨森茂
• 电话: 0519-68859335
• 传真: 0519-85120202
• 企业官网: www.gmesemi.com
• 企业邮箱: gmesec@gmesemi.cn
• 办公地址: 常州市新北区长江北路19号
• 邮编: 213022
• 主营业务: 半导体分立器件研发、生产和销售
• 经营范围: 片式二极管、半导体分立器件、集成电路、光电子器件及其他电子器件、电力电子元器件、半导体芯片及专用材料的制造。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
• 企业简介: 常州银河世纪微电子股份有限公司是一家专注于半导体器件研发、芯片设计与制造、封装测试、销售及服务为一体的国家级专精特新小巨人企业。具备IDM模式下的一体化经营能力,是国内首家成为AEC国际汽车电子协会会员的半导体分立器件制造商。公司产品涵盖功率器件芯片、MOSFET、IGBT、SiC器件、GaN器件、保护器件、整流器件、小信号器件、光电器件、模拟IC等,可为客户提供适用性强、可靠性高的系列产品及技术解决方案,满足客户一站式采购需求。公司产品广泛应用于汽车电子、能源动力、工业控制、智能家居、网络通信、计算机及周边设备等领域。
• 发展进程: 2006年9月19日,盈冠有限签署了《常州银河世纪微电子有限公司章程》,设立银河有限,投资总额为2亿港元,注册资本为8,000万港元。2006年9月29日,常州国家高新技术产业开发区管理委员会出具常开委经〔2006〕287号《关于常州银河世纪微电子有限公司章程的批复》。同日,江苏省人民政府出具商外资苏府资字[2006]65736号《中华人民共和国外商投资企业批准证书》。2006年10月8日,银河有限取得江苏省常州工商行政管理局核发的注册号为企独苏常总字第004660号的《企业法人营业执照》。2008年12月12日,常州中正会计师事务所有限公司出具常中正会外验[2008]第048号《验资报告》,经验证:截至2008年12月11日,公司注册资本分期缴足。2008年12月17日江苏省常州工商行政管理局换发注册号为320400400019537的《企业法人营业执照》,实收资本变更为8,000万港元。 2016年10月12日,银河有限的全体股东恒星国际、银江投资、银冠投资共同签订了《发起人协议书》,约定以银河有限截至2015年12月31日经审计的净资产人民币305,212,684.94元,折合股份总额9,180万股,每股人民币1元,共计股本人民币9,180万元,其余部分计入资本公积。立信会计师出具信会师报字[2016]第610878号《验资报告》,对整体变更出资情况进行了审验。2016年11月18日,常州市工商行政管理局向公司换发了统一社会信用代码为91320411793325883H的《营业执照》。2016年11月28日,公司获得常州国家高新技术产业开发区商务局出具的编号为常开委备201600044的《外商投资企业变更备案回执》并完成备案。立信会计师在执行本次首次公开发行股票审计时,对部分事项进行会计差错更正,公司整体变更审计基准日(2015年12月31日)的净资产由305,212,684.94元调整为304,532,337.10元。2017年3月28日,全体股东对调整后的净资产进行了确认,并同意维持整体变更时的股本总额9,180万元不变,调减资本公积680,347.84元。
• 商业规划: 公司继续坚持以市场和客户需求为导向,推动一体化经营模式构建,深化研发项目管理,强化研发成果的产业转化,并加强大客户营销服务,优化系统管控,提高商机转化率和赢单能力。2024年度公司营业利润、净利润等核心经营指标同比均实现稳健增长,整体经营业绩呈现良好发展态势。报告期内,公司实现营业收入909,049,584.47元,同比增加30.75%；归属于上市公司股东的净利润71,874,234.87元,同比增加12.21%。归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润48,049,884.64元,同比增加49.21%。报告期内,公司研发投入合计56,049,945.56元,较上年同期增加33.08%,研发投入总额占营业收入比例为6.17%,较上年同期增加0.11个百分点。全年新增申请知识产权52个,新增授权39个。公司秉承低碳经营的可持续发展理念,致力于实现人与自然的和谐共存。积极推行ISO50001、ISO14064、ISO14067、ISO45001等国际化标准管理体系,倡导绿色经营。通过导入太阳能光伏电站、无纸化智能办公系统、苏文电力控制系统、废水回收利用系统、余热回收利用系统、高密度矩阵式框架生产技术等管理改进和技术革新方案,努力减少有毒有害物质排放,降低工业废弃物产生,提高清洁能源使用占比,提升资源利用效率,以实现可持续发展的战略目标。报告期内,公司荣获“国家级绿色工厂”“常州市智能工厂”“常州市创建和谐劳动关系先进企业”“常州市明星企业”等荣誉称号。公司所处细分行业为半导体分立器件行业,硅材料平台目前仍然是主流的半导体分立器件工艺平台,并将在未来相当一段时间内占据主要市场,但新的半导体材料,如SiC、GaN工艺平台正在逐步走向成熟,凭借第三代半导体材料高频、高功率密度特性,在新能源汽车、光伏逆变器等场景的应用占比显著提升。公司在第三代半导体材料研发上步伐加快,其在SiC与GaN技术方面取得突破,已初步具备SiCMOSFET及GaNHEMT芯片设计能力,并且实现了小批量应用。在硅材料平台上,对于芯片制造工艺也持续优化,基于SGT和深沟槽技术,对电荷平衡与栅极结构进行优化,降低导通电阻和动态损耗,采用多层外延技术提升可靠性。并且在功率MOSFET领域,Clip封装技术创新,逐步替代传统WireBonding,提升散热效率和电流承载能力,满足车规级产品的高可靠性要求。在新产业布局方面,公司“车规级半导体器件产业化”项目进入产能爬坡阶段,产品涵盖IGBT、SiCMOSFET等,获得多家车企供应链认证,聚焦新能源汽车的电机控制、车载充电系统及ADAS领域,满足AEC-Q101等国际车规标准,逐步替代英飞凌、安森美等海外厂商的中高端市场份额。同时,光电耦合器及LED产品已应用于工业自动化、医疗设备等领域,并与多家客户合作,开发高精度传感器及电源管理模块。新业态与模式创新上,公司深化IDM模式,整合芯片设计、制造与封测环节,形成“设计-制造-封测”一体化能力,提升产品性能与成本控制效率,自主设计的大功率IGBT芯片封测技术,实现低热阻封装,性能对标国际竞品。并且采用“以销定产+安全库存”模式,构建柔性生产体系,灵活应对消费电子与工业控制领域的多批次、定制化需求。2024年获评国家级“绿色工厂”,通过优化生产工艺（如无铅封装）降低能耗与污染,符合全球ESG趋势,增强对头部客户的吸引力,同时构建多元化供应链,与本土晶圆代工厂合作,减少对海外设备的依赖,提升供应链稳定性。