华虹公司 - 688347.SH

主营业务：华虹半导体是全球领先的特色工艺晶圆代工企业,也是行业内特色工艺平台覆盖最全面的晶圆代工企业。公司立足于先进“特色IC+功率器件”的战略目标,以拓展特色工艺技术为基础,提供包括嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理、逻辑与射频等多元化特色工艺平台的晶圆代工及配套服务。

经营范围：

华虹半导体有限公司(A股简称:华虹公司,688347;港股简称:华虹半导体,01347)(“本公司”)是全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业,秉持“8英寸+12英寸”、先进“特色IC+PowerDiscrete”的发展战略,为客户提供多元化的晶圆代工及配套服务。

本公司专注于嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理和逻辑与射频等特色工艺技术的持续创新,有力支持新能源汽车、绿色能源、联网等新兴领域应用,其卓越的质量管理体系亦满足汽车电子芯片生产的严奇要求。

本公司是华虹集团的一员,而华虹集团是中国拥有“8英寸+12英寸”先进集成电路制造主流工艺技术的产业集团本公司在上海金桥和张江建有三座8英寸晶圆厂,另在无锡高新技术产业开发区内建有两座全球领先的12英寸特色工艺晶圆厂,其中之一是全球第一条12英寸功率器件代工生产线。

2025年上半年,全球半导体市场在技术创新与部分终端需求回暖的双重驱动下,延续了年初以来的成长态势。

据第三方市场调研机构的统计数据,2025年上半年全球半导体销售额达3667亿美元,同比增长约16%。

应用领域来看,新能源汽车渗透率持续攀升,车规级MCU、图像传感器、功率器件、电源管理芯片进入放量周期。

消费电子端由于手机、PC、TV等大宗电子产品仍处于去库存尾声,伴随着地缘政治的因素影响,消费电子芯片市场格局亦在悄然分化与重塑中。

虽面临复杂的行业环境,凭借着领先的技术平台和长期合作的客户关系,以及重点终端应用生态链建设的业务发展,公司上半年8英寸产线以及12英寸产线均处于满载状态,特别是华虹制造项目（FAB9）自2024年底开始风险量产,2025年上半年产能快速爬坡并协同客户与产品持续导入,实现规模量产,已为公司销售额做出一定程度贡献。

公司上半年整体销售额与出货量同比、环比均保持增长趋势。

在工艺平台业务发展方面,受益于国产供应链趋势、AI服务器及周边应用需求持续增长,模拟与电源管理平台业绩表现最为突出,上半年营收同比、环比均保持两位数增长。

嵌入式非易失性存储器平台55nmeFlashMCU产品进入规模量产阶段并更好的服务于客户,其高速与低功耗标准能更好地满足物联网、安防、汽车电子等应用领域的需求。

独立式非易失性存储器平台48nmNORFlash产品已进入大规模量产阶段。

功率器件方面,由于部分泛新能源及消费电子产品需求增长,深沟槽式超级结MOSFET平台,营收同比、环比亦呈两位数增长。

同时,12英寸扩铂（Pt）工艺开发完成,体二极管性能改善显著,超级结平台性能竞争力得到进一步提升,为客户产品升级提供了有力的支撑。

IGBT平台研发、量产协同,持续推出新的工艺,如SuperIGBT技术,具有更高的频率、更高的电流密度等性能优势,已进入量产推广,为行业客户产品竞争力提供强有力的技术支持。

生态链建设方面,2025上半年继续开展了多场与终端客户及设计公司生态链建设活动,持续推进与汽车、高端家电及新能源领域终端客户及Tier1的生态互动与合作,提升市场韧性、实现生态伙伴的价值共创与整个产业的可持续发展。

产能建设方面,截至2025年6月底,华虹制造项目（FAB9）已完成首批产能所需工艺及量测设备搬入及装机交付。

随着第一阶段工艺产品磨合与产能爬坡的顺利推进,公司预计第二阶段的产能配置也将提前于2025年底前开启,并同步完成研发技术匹配、产品验证与客户导入,为未来营收成长奠定基础。

步入2025年下半年,预计全球半导体市场仍将面临终端市场复苏的不确定性和需求的波动性。

面对行业竞争加剧,公司将努力持续发挥“8英寸+12英寸”特色工艺优势,提升研发能力,加快产能建设,扩宽业务平台,加强供应链管理并着力提升营运效率。

客户拓展方面,继续服务好国内客户,并持续推进海外客户ChinaforChina策略。

公司亦积极布局战略规划,巩固及提升自身在晶圆代工行业中的竞争地位,为公司、股东及各利益相关方创造价值。

1997年华虹NEC成立。

1999年华虹NEC成功试产DRAM生产线。

2000年GraceCayman成立上海宏力。

2003年华虹NEC开始其代工服务。

上海宏力开始生产0.20μm计算机芯片。

上海宏力开始生产0.25/0.18μm独立NOR型闪存芯片。

2004年上海宏力开始用0.25μm嵌入式闪存工艺技术生产汽车发动机控制器芯片。

2005年华虹半导体在香港注册成立为华虹NEC的控股公司。

华虹NEC开始用嵌入式EEPROM工艺技术生产中国居民身份证芯片。

2006年华虹NEC获得Cypress的0.13μmSONOS技术许可,用於生产嵌入式闪存芯片。

上海宏力获得SiliconStorageTechnology,Inc.(SST)的SuperFlash技术许可,用於生产嵌入式闪存芯片。

2007年华虹NEC开始用0.35μmBCD工艺技术生产芯片。

上海宏力开始用0.18μm工艺技术生产嵌入式闪存芯片。

2008年华虹NEC开始用0.13μmSONOS技术生产嵌入式闪存芯片。

2009年上海宏力开始生产0.13μm逻辑与微控制器和0.12μmNOR型闪存芯片。

2010年华虹NEC开始用0.18μmBCD工艺技术生产芯片。

上海宏力开始基於Superflash技术生产0.13μm嵌入式闪存芯片。

2011年华虹NEC的功率MOSFET累计出货量超过二百万片晶圆。

上海宏力及华虹NEC以SuperFlash为基础的集成电路的累计出货量超过一百万片晶圆。

华虹NEC开始用600VSJNFET及1200VNPTIGBT工艺技术生产芯片。

华虹半导体与GraceCayman之间的合并已完成。

2012年上海宏力与华虹NEC用0.13μm工艺技术生产的SIM卡芯片年出货量达到约18亿颗。

2013年根据合并进行的集团内公司间重组已基本完成。

华虹宏力交付移动应用磁力传感器样品。

2014年华虹半导体2014年10月15日在香港联合交易所主板上市。

公司SIM卡芯片出货量达26.6亿张,占全球50%市场份额。

2015年公司三座Fab总产能提升至每月14.6万片,专注於功率器件的Fab2单月产出创5万片历史新高。

公司开始用0.11μmULL嵌入式闪存工艺生产芯片。

公司开始用0.2μm射频SOI工艺生产芯片。

2016年公司90nm嵌入式闪存工艺平台成功量产。

采用公司eNVM技术制造的金融IC卡芯片产品分获国际CCEAL5+和EMVCo安全证书,以及万事达CQM认证。

2017年公司DT-SJ工艺平台累计出货量超过25万片晶圆。

公司功率器件平台累计出货量超过500万片晶圆。

基於95nmOTP工艺平台的首颗MCU开发成功。

2018 华虹无锡一期项目12英寸生产线启动建设。

华虹宏力年出货量首次突破200万片晶圆。

2019 华虹无锡一期项目12英寸生产线建成投片。

华虹无锡项目荣获LEEDv4认证金奖。

华虹无锡90nm嵌入式闪存首批产品交付。

2020 华虹无锡首批功率器件产品交付。

华虹宏力推出90nm超低漏电嵌入式闪存工艺平台。

高性能90nmBCD工艺平台在华虹无锡量産。

2021 12英寸55nm嵌入式闪存工艺平台量产。

车规级IGBT和12英寸IGBT量产。

2022 12英寸平台累计出货100万片。

2023 华虹制造新12英寸产线启动建设。

华虹半导体首次公开发行A股并在科创板上市。