华虹公司 - 688347.SH

主营业务：华虹半导体是全球领先的特色工艺晶圆代工企业,也是行业内特色工艺平台覆盖最全面的晶圆代工企业。公司立足于先进“特色IC+功率器件”的战略目标,以拓展特色工艺技术为基础,提供包括嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理、逻辑与射频等多元化特色工艺平台的晶圆代工及配套服务。

经营范围：

华虹半导体有限公司(A股简称:华虹公司,688347;港股简称:华虹半导体,01347)(“本公司”)是全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业,秉持“8英寸+12英寸”、先进“特色IC+PowerDiscrete”的发展战略,为客户提供多元化的晶圆代工及配套服务。

本公司专注于嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理和逻辑与射频等特色工艺技术的持续创新,有力支持新能源汽车、绿色能源、物联网等新兴领域应用,其卓越的质量管理体系亦满足汽车电子芯片生产的严苛要求。

本公司是华虹集团的一员,而华虹集团是中国拥有“8英寸+12英寸”先进集成电路制造主流工艺技术的产业集团。

本公司在上海金桥和张江建有三座8英寸晶圆厂,另在无锡高新技术产业开发区内建有两座全球领先的12英寸特色工艺晶圆厂,其中之一是全球第一条12英寸功率器件代工生产线。

2025年,全球经济温和增长但动能趋弱,区域分化显著。

其中,中国经济顶压前行向新向优,GDP增速达5%。

人工智能及边缘应用快速发展,叠加终端产品智能化、绿色化、融合化等多重发展趋势,全球半导体市场特别是高性能计算芯片及存储芯片市场增长较快,成熟制程芯片市场复苏。

公司2025年8寸和12寸平均产能利用率均保持在100%以上,其中华虹制造项目(FAB9)自2024年底开始风险量产,2025年产能快速爬坡,公司协同客户快速导入产品,截止2025年12月单月投片量已经超过4万片,全力满足客户的强劲需求。

受益于FAB9的营收增长,整体12寸营收占比公司总营收约60%。

2025年公司出货量(折合8寸晶圆)同比增长18.4%,销售额同比增长19.9%,表现优异。

面对复杂多变的全球行业环境以及激烈的市场竞争,公司一方面坚持致力于差异化技术的研发和创新,一方面密切关注终端市场和客户发展情况,不断加大业务拓展、提升技术竞争力并持续优化产品组合满足客户和市场需求。

在全体员工与客户、供应商与股东的共同努力下,2025年五大工艺平台均取得了优异的成绩。

嵌入式非易失性存储器平台,受益于消费类与汽车电子需求回升,MCU整体市场需求增多。

其中高性能MCU方面,40nmeFlashCOT产品风险量产,55nmeFlash工艺平台大规模量产,同时多个相关工艺平台实现车规产品大量供货。

整体嵌入式非易失性存储器平台出货量与销售额均呈两位数增长。

独立式闪存平台方面,持续推进NORD闪存与ETOX闪存工艺的技术迭代,销售收入同比增长44.5%,其中48nmNORFlash产品出货占比大幅度提升。

模拟与电源管理平台,2025年销售收入同比增长42.0%,主要得益于AI周边电源应用和手机领域的强劲需求,公司协同头部客户深耕汽车、工业及消费等领域,不断拓展市场并提升渗透率。

技术方面,0.18umBCD120V平台开发成功满足了汽车电子48V系统对基础电源芯片的高压要求,90nmBCD工艺稳定量产并持续进行技术迭代。

在多个工艺节点推出“BCD+”集成方案,BCD+eFlash工艺产品大规模出货并在汽车电子领域广泛应用,全力打造多元化特色工艺平台。

逻辑与射频平台,40nm超低功耗特色工艺成功进入量产,该工艺能够显著延长物联网、可穿戴设备等产品的续航时间,助力公司向低功耗细分市场渗透;与此同时,55/40nm特色工艺及RFCMOS工艺持续稳定量产,65nmRFSOI工艺平台营收持续增长。

在图像传感器领域,应用于智能手机主摄像头的CIS芯片制造工艺具有出色的感光性能、低噪点和高动态范围等优势,为公司未来在移动影像、车载视觉等市场的发展建立了坚实基础。

功率器件平台,公司持续深耕功率器件平台,积极推动技术创新。

其中,1.6umIGBT工艺产品投入占所有IGBT产品的比例快速提升,工艺对标国际领先水平,成为本土供应链进步的核心支撑,广泛应用于电动车主驱逆变器、风光储充等新能源领域;化合物半导体方面,公司积极开发功率氮化镓工艺,支持高性能电机驱动及高压直流系统等市场需求。

产能方面,华虹制造项目(FAB9)产能建设继续顺利推进,截至2025年底,第一阶段产能建立已达成目标,第二阶段产能扩展设备持续搬入中,计划于2026年三季度达成规划产能目标。

营运方面,公司持续推进成本结构优化、供应链体系安全建设、数字化与智能化升级及行政效率提升等降本增效措施,在业务不断开拓前进的同时夯实长期发展根基。

展望2026年,人工智能及边缘应用蓬勃发展,终端产品的智能化和丰富需求将推动芯片使用量快速上升,全球半导体市场有望继续保持高速增长。

作为全球重要的科技创新产业聚集地,中国半导体市场将持续迸发活力。

在全体管理层的带领下,公司将继续聚焦产能与工艺能力两大核心竞争力主线,依托无锡FAB9等12英寸产线,进一步加大研发投入、加快工艺平台迭代与多元化,丰富产品组合,实现产能的灵活配置与高效利用,全方位提升管理及营运效能。

市场方面,加大与海内外客户的合作,聚焦客户与市场需求,推动产业生态链建设,将制造优势辐射至全球市场,锚定公司长期发展目标,为公司、股东及全体合作伙伴创造价值。

1997年华虹NEC成立。

1999年华虹NEC成功试产DRAM生产线。

2000年GraceCayman成立上海宏力。

2003年华虹NEC开始其代工服务。

上海宏力开始生产0.20μm计算机芯片。

上海宏力开始生产0.25/0.18μm独立NOR型闪存芯片。

2004年上海宏力开始用0.25μm嵌入式闪存工艺技术生产汽车发动机控制器芯片。

2005年华虹半导体在香港注册成立为华虹NEC的控股公司。

华虹NEC开始用嵌入式EEPROM工艺技术生产中国居民身份证芯片。

2006年华虹NEC获得Cypress的0.13μmSONOS技术许可,用於生产嵌入式闪存芯片。

上海宏力获得SiliconStorageTechnology,Inc.(SST)的SuperFlash技术许可,用於生产嵌入式闪存芯片。

2007年华虹NEC开始用0.35μmBCD工艺技术生产芯片。

上海宏力开始用0.18μm工艺技术生产嵌入式闪存芯片。

2008年华虹NEC开始用0.13μmSONOS技术生产嵌入式闪存芯片。

2009年上海宏力开始生产0.13μm逻辑与微控制器和0.12μmNOR型闪存芯片。

2010年华虹NEC开始用0.18μmBCD工艺技术生产芯片。

上海宏力开始基於Superflash技术生产0.13μm嵌入式闪存芯片。

2011年华虹NEC的功率MOSFET累计出货量超过二百万片晶圆。

上海宏力及华虹NEC以SuperFlash为基础的集成电路的累计出货量超过一百万片晶圆。

华虹NEC开始用600VSJNFET及1200VNPTIGBT工艺技术生产芯片。

华虹半导体与GraceCayman之间的合并已完成。

2012年上海宏力与华虹NEC用0.13μm工艺技术生产的SIM卡芯片年出货量达到约18亿颗。

2013年根据合并进行的集团内公司间重组已基本完成。

华虹宏力交付移动应用磁力传感器样品。

2014年华虹半导体2014年10月15日在香港联合交易所主板上市。

公司SIM卡芯片出货量达26.6亿张,占全球50%市场份额。

2015年公司三座Fab总产能提升至每月14.6万片,专注於功率器件的Fab2单月产出创5万片历史新高。

公司开始用0.11μmULL嵌入式闪存工艺生产芯片。

公司开始用0.2μm射频SOI工艺生产芯片。

2016年公司90nm嵌入式闪存工艺平台成功量产。

采用公司eNVM技术制造的金融IC卡芯片产品分获国际CCEAL5+和EMVCo安全证书,以及万事达CQM认证。

2017年公司DT-SJ工艺平台累计出货量超过25万片晶圆。

公司功率器件平台累计出货量超过500万片晶圆。

基於95nmOTP工艺平台的首颗MCU开发成功。

2018 华虹无锡一期项目12英寸生产线启动建设。

华虹宏力年出货量首次突破200万片晶圆。

2019 华虹无锡一期项目12英寸生产线建成投片。

华虹无锡项目荣获LEEDv4认证金奖。

华虹无锡90nm嵌入式闪存首批产品交付。

2020 华虹无锡首批功率器件产品交付。

华虹宏力推出90nm超低漏电嵌入式闪存工艺平台。

高性能90nmBCD工艺平台在华虹无锡量産。

2021 12英寸55nm嵌入式闪存工艺平台量产。

车规级IGBT和12英寸IGBT量产。

2022 12英寸平台累计出货100万片。

2023 华虹制造新12英寸产线启动建设。

华虹半导体首次公开发行A股并在科创板上市。