华虹宏力 - 688347.SH

主营业务：华虹半导体是全球领先的特色工艺晶圆代工企业,也是行业内特色工艺平台覆盖最全面的晶圆代工企业。公司立足于先进“特色IC+功率器件”的战略目标,以拓展特色工艺技术为基础,提供包括嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理、逻辑与射频等多元化特色工艺平台的晶圆代工及配套服务。

经营范围：

华虹宏力半导体有限公司是全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业,秉持“8英寸+12英寸”、先进“特色IC+PowerDiscrete”的发展战略,为客户提供多元化的晶圆代工及配套服务。

本公司专注于嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理和逻辑与射频等特色工艺技术的持续创新,有力支持新能源汽车、绿色能源、物联网等新兴领域应用,其卓越的质量管理体系亦满足汽车电子芯片生产的严苛要求。

本公司是华虹集团的一员,而华虹集团是中国拥有“8英寸+12英寸”先进集成电路制造主流工艺技术的产业集团。

本公司在上海金桥和张江建有三座8英寸晶圆厂,另在无锡高新技术产业开发区内建有两座全球领先的12英寸特色工艺晶圆厂,其中之一是全球第一条12英寸功率器件代工生产线。

2026年上半年,全球经济整体维持结构性特征,不同领域呈现高、低双速增长格局,全年增速预估约3.0%,地缘政治、油价波动、货币政策分歧是核心扰动。

全球半导体行业正在从去库存后的复苏阶段进入AI基础设施驱动的结构性重估阶段,需求从存储、先进逻辑等核心链条逐步向电源管理、微控制器、功率器件等服务器配套器件及通用成熟器件传导。

算力周边配套需求的溢出效应,带动了电源管理、嵌入式非易失性存储器、独立式非易失性存储器等成熟制程与特色工艺芯片的景气度全面回暖,晶圆代工行业产能利用率全面攀升,晶圆价格触底回升。

2026年上半年华虹宏力营业收入达95.74亿元,同比增长19.41%,出货量同比增长17.9%,创历史新高。

受益于终端市场的高景气拉动,叠加公司12英寸产线产能持续爬坡、生产柔性不断改善,同时依托特色工艺持续迭代、产品结构优化升级,公司构筑产能与技术双轮驱动的增长动能,整体呈现量价齐升发展态势。

截止2026第二季度已经连续10个季度营收环比呈现增长趋势。

上半年电源管理、嵌入式非易失性存储器、独立式非易失性存储器、中低压功率器件平台需求强劲,产能供不应求。

其中电源管理平台销售额同比增长接近40%,嵌入式非易失性存储器平台同比增长超40%,独立式非易失性存储器平台同比增长接近80%,表现亮眼。

公司持续进行技术研发创新,上半年40nmeFlash工艺平台实现风险量产,55nmeFlash车规平台实现产品导入,新一代小PitchIGBT平台量产,高压超级结以及SuperIGBT系列工艺进入量产；与海外头部客户合作的40nmMCU成功大量量产,打通全球高端MCU应用渠道；40nm超低功耗特色工艺大量量产,深度布局低功耗芯片赛道;电源管理平台产品在汽车电子等高质量领域快速渗透,多代工艺平台大规模量产,工艺竞争力持续强化。

同时公司积极拓展各领域海内外头部客户业务,坚持全球多元化客户布局,并通过产业生态链协同进一步拓展高端消费、汽车电子、新能源等应用领域业务。

产能建设方面,截至2026年6月底,无锡二期项目（Fab9）83K产能所需工艺设备全部完成搬入,正在加紧安装调试,计划于三季度末达成规划产能目标。

与此同时,公司同步推进收购华力微97.5%股权事宜,并于6月中旬过会,预计第三季度完成交割。

华力微并入后,华虹宏力将进一步提升12英寸晶圆代工产能,双方的优势工艺平台可实现深度互补,共同构建覆盖更广泛应用场景、更齐全技术规格的晶圆代工及配套服务,能够为客户提供更多样的技术解决方案,丰富产品体系。

展望2026年下半年,全球半导体将延续强结构性行情,公司将持续推进产能建设,加速工艺创新,积极拓展海内外业务,持续降本增效,积极推动公司业绩增长和提升应对市场波动的能力,努力为全球客户提供更全面、更优质的特色工艺晶圆代工技术与服务。

1997年华虹NEC成立。

1999年华虹NEC成功试产DRAM生产线。

2000年GraceCayman成立上海宏力。

2003年华虹NEC开始其代工服务。

上海宏力开始生产0.20μm计算机芯片。

上海宏力开始生产0.25/0.18μm独立NOR型闪存芯片。

2004年上海宏力开始用0.25μm嵌入式闪存工艺技术生产汽车发动机控制器芯片。

2005年华虹半导体在香港注册成立为华虹NEC的控股公司。

华虹NEC开始用嵌入式EEPROM工艺技术生产中国居民身份证芯片。

2006年华虹NEC获得Cypress的0.13μmSONOS技术许可,用於生产嵌入式闪存芯片。

上海宏力获得SiliconStorageTechnology,Inc.(SST)的SuperFlash技术许可,用於生产嵌入式闪存芯片。

2007年华虹NEC开始用0.35μmBCD工艺技术生产芯片。

上海宏力开始用0.18μm工艺技术生产嵌入式闪存芯片。

2008年华虹NEC开始用0.13μmSONOS技术生产嵌入式闪存芯片。

2009年上海宏力开始生产0.13μm逻辑与微控制器和0.12μmNOR型闪存芯片。

2010年华虹NEC开始用0.18μmBCD工艺技术生产芯片。

上海宏力开始基於Superflash技术生产0.13μm嵌入式闪存芯片。

2011年华虹NEC的功率MOSFET累计出货量超过二百万片晶圆。

上海宏力及华虹NEC以SuperFlash为基础的集成电路的累计出货量超过一百万片晶圆。

华虹NEC开始用600VSJNFET及1200VNPTIGBT工艺技术生产芯片。

华虹半导体与GraceCayman之间的合并已完成。

2012年上海宏力与华虹NEC用0.13μm工艺技术生产的SIM卡芯片年出货量达到约18亿颗。

2013年根据合并进行的集团内公司间重组已基本完成。

华虹宏力交付移动应用磁力传感器样品。

2014年华虹半导体2014年10月15日在香港联合交易所主板上市。

公司SIM卡芯片出货量达26.6亿张,占全球50%市场份额。

2015年公司三座Fab总产能提升至每月14.6万片,专注於功率器件的Fab2单月产出创5万片历史新高。

公司开始用0.11μmULL嵌入式闪存工艺生产芯片。

公司开始用0.2μm射频SOI工艺生产芯片。

2016年公司90nm嵌入式闪存工艺平台成功量产。

采用公司eNVM技术制造的金融IC卡芯片产品分获国际CCEAL5+和EMVCo安全证书,以及万事达CQM认证。

2017年公司DT-SJ工艺平台累计出货量超过25万片晶圆。

公司功率器件平台累计出货量超过500万片晶圆。

基於95nmOTP工艺平台的首颗MCU开发成功。

2018 华虹无锡一期项目12英寸生产线启动建设。

华虹宏力年出货量首次突破200万片晶圆。

2019 华虹无锡一期项目12英寸生产线建成投片。

华虹无锡项目荣获LEEDv4认证金奖。

华虹无锡90nm嵌入式闪存首批产品交付。

2020 华虹无锡首批功率器件产品交付。

华虹宏力推出90nm超低漏电嵌入式闪存工艺平台。

高性能90nmBCD工艺平台在华虹无锡量産。

2021 12英寸55nm嵌入式闪存工艺平台量产。

车规级IGBT和12英寸IGBT量产。

2022 12英寸平台累计出货100万片。

2023 华虹制造新12英寸产线启动建设。

华虹半导体首次公开发行A股并在科创板上市。

2026 2026年5月27日,公司名称由“华虹半导体有限公司”变更为“华虹宏力半导体有限公司”,英文名称由“HuaHongSemiconductorLimited”变更为“HuaHongGraceSemiconductorLimited”,英文简称由“HUAHONGSEMI”变更为“HUAHONGGRACE”,2026年6月8日,证券简称由“华虹公司”变更为“华虹宏力”。