主营业务：公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体硅片、芯片及器件设计、制造、封装测试等中高端领域的产业发展
经营范围：新型电子元器件及其它电子元器件的制造、加工,销售本公司自产产品;分布式光伏发电;从事光伏发电项目的建设及其相关工程咨询服务;光伏电力项目的开发以及光伏产业项目的开发;光伏太阳能组件、太阳能应用工程零部件的销售;太阳能应用系统集成开发;道路普通货物运输;自营和代理各类商品及技术的进出口业务(国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外)。公司的经营范围以公司登记机关核准的项目为准。
扬州扬杰电子科技股份有限公司是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化(IDM)的杰出厂商。
产品线含盖分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模块、SiC、整流器件、保护器件、小信号等,为客户提供一揽子产品解决方案。
公司产品广泛应用于汽车电子、人工智能、清洁能源、5G通讯、智能家居、工业、消费类电子等诸多领域。
公司于2014年1月23日在深交所上市,证券代码300373,相信在您的关怀支持下,我们一定能够成为世界信赖的功率半导体伙伴。
1、公司所处行业发展情况功率半导体器件作为电力电子核心功能元器件,广泛应用于AI数据中心、新能源汽车、光储、具身智能、工业、消费类电子等领域。
在双碳战略驱动和人工智能浪潮下,市场对能源转换效率、设备智能化水平的要求持续提升,进而拉动市场对各类半导体功率器件需求持续增加。
随着功率半导体器件行业新型技术的发展与成熟,功率半导体器件的应用领域将不断扩展,成为国民经济发展中不可或缺的核心电子元器件。
2026上半年,在AI数据中心、新能源汽车、光储、具身智能等领域驱动下,功率半导体行业景气度较此前明显提升,呈现“需求扩张、国产加速”态势。
其中,受AI算力基础设施建设加速带动,全球数据中心对高效功率转换及电源管理方案的需求集中释放,AI服务器电源、800VHVDC高压直流等应用场景对整流器件、MOSFET、IGBT及SiC等产品的需求快速放量；具身智能与人形机器人产业在技术迭代、政策扶持与资本投入多重驱动下,加速从样机验证迈向场景落地,对高功率密度执行器、精密电控用功率半导体的需求快速增长。
AI数据中心、具身智能、低空经济等新兴行业正加速成为推动中高端功率半导体需求增长的关键驱动力。
从竞争格局看,功率半导体器件行业市场化程度较高,行业集中度低。
我国功率半导体市场梯队化竞争格局明显,随着国内企业在芯片设计、制造工艺等关键环节不断实现技术突破,逐步填补高端领域技术空白,国产功率半导体产品的质量、性能、技术标准不断提升。
2026年,国内企业市场份额稳步提升,逐步向高端市场渗透,进口替代不断加速。
全球行业TOP企业面对市场的激烈竞争迫切需要降本方案,逐步由全面采用国际品牌器件转向引入国内优质供应商,为我国功率半导体企业拓展海外市场、提升全球市占率创造了有利条件。
叠加国家层面持续出台产业支持政策,大力提升关键元器件国产化水平,多重利好共同为我国功率半导体行业发展注入强劲动能。
功率半导体器件行业是我国重点鼓励和支持的产业。
为推动电力电子技术和产业的发展、建设资源节约型和环境友好型社会,国家出台了一系列政策与法规引导、鼓励、支持和促进国内功率半导体事业的发展,增强本土科技竞争力,功率半导体产业已上升至国家战略高度。
随着“智能制造”和“新基建”等国家政策的深入推进,以及“碳达峰、碳中和”双碳策略的落实,功率半导体作为我国实现电气化系统自主可控以及节能环保的核心零部件,有望在政策的护航之下驶入快车道。
2026年3月,“十五五”规划纲要提出推进“全国一体化算力网”建设,并将其与新型电网、新一代通信网等并列纳入国家重大基础设施体系。
2026年5月,工业和信息化部发布《2026年汽车标准化工作要点》,系统性推进汽车芯片产品与技术应用标准研究,推动电源管理芯片等标准发布,推进功率芯片等标准审查报批,为功率半导体在汽车电子领域的规模化应用提供标准支撑。
2026年6月,工业和信息化部、国务院国资委联合印发《关于联合开展2026年度人形机器人与具身智能实景实训专项行动的通知》,推动人形机器人与具身智能产品在真实生产生活环境中常态化部署、工程化验证、规模化落地,提出到2026年底凝练形成百个以上高价值应用场景,带动形成万台级规模落地能力。
低空经济方面,2026年上半年,国家发改委明确将低空经济纳入“六张网+5大重点领域”的新基建投资框架,全年超7万亿元的投资规模为低空基础设施建设打开了资金窗口；同时,新修订的《中华人民共和国民用航空法》于2026年7月1日起正式施行,首次增设“发展促进”专章,明确低空分类分级管理规则,为eVTOL等新业态建立监管体系。
2、公司在行业中的地位公司凭借前瞻的市场布局、持续的技术创新、优质的产品设计、科学的成本优化、过硬的品质管控、快捷的交付能力,已成为国内少数集单晶硅片制造、芯片设计制造、器件设计封装测试、终端销售与服务等纵向产业链为一体的规模化企业,同时在MOSFET、IGBT、第三代半导体等高端领域采用IDM+Fabless相结合的模式。
公司产品已在多个新兴细分市场具有领先的市场地位及较高的市场占有率。
依托综合营收规模、技术研发实力及市场占有率等核心指标,公司多次蝉联由中国半导体行业协会评选的“中国半导体功率器件十强企业”前三强,OMDIA全球功率半导体discrete榜单排名第八,位列国内外多个半导体企业榜单中前二十强、工信部汽车白名单等,斩获全国首张芯片国产化权威认证、中国SiC器件IDM十强企业等行业荣誉。
同时,公司取得多家国际标杆汽车整车厂和Tier1客户认证,技术方案和产品性能获得多家主流客户认可。
报告期内,公司1200VSiCMOSFET产品斩获CSPSD2026优秀技术创新产品奖,行业影响力与品牌认可度持续提升。
3、公司主要业务情况公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体硅片、芯片及器件设计、制造、封装测试等中高端领域的产业发展。
公司主营产品主要分为三大板块,具体包括材料板块（单晶硅棒、硅片、外延片）、晶圆板块（5吋、6吋、8吋硅基及6吋碳化硅等各类电力电子器件芯片）及封装器件板块（MOSFET、IGBT、SiC系列产品、整流器件、保护器件、小信号及其他产品系列）。
产品广泛应用于AI数据中心、新能源汽车、光储充、工业、消费类电子等诸多领域,为客户提供一站式产品、技术、服务解决方案。
报告期内,在AI算力需求带动功率器件需求激增、人形机器人等新兴应用场景加速落地的背景下,功率半导体行业呈现车规级、AI算力等多赛道共振的结构性高景气态势。
公司紧抓市场机遇,持续加大MOSFET、IGBT、SiC等产品在AI数据中心、新能源汽车、光储充、工业等领域的推广力度,订单和出货量保持较快增长,营业收入同比增长30.69%。
同时,为顺应下游客户需求及市场发展趋势,报告期内,公司七号厂车规级功率半导体模块封装项目实现主体结构封顶,有望进一步夯实车规级功率半导体模块业务的产能基础,提升相关领域技术实力与市场竞争力。
4、公司经营模式（1）供应链模式公司围绕数字化升级与精细化管控,推动供应链由被动响应向主动预判、精准管控转型,构建高效稳定、低成本、抗风险能力强的供应链生态。
深化战略供应商精益管理,筑牢供应链安全基础。
综合评估供应商综合实力,优化供应商结构,扩大战略供应商合作比例。
实行差异化采购配额管理,将供货质量、交付效率、联合研发、应急产能等纳入考核,优化“准入—过程管控—绩效考评—迭代优化”闭环机制,布局中长期物料产能备份,强化供应链风险抵御能力,保障订单稳定交付。
推进采购业务标准化、自动化、数字化、智能化建设,提升运营效能。
依托信息系统贯通全业务链路,实现供应商、产能、供货数据可视可控；借助AI能力,开展关键物料价格监测预警,支撑采购策略动态调整；规范业务流程,强化全流程风险预警,联动供需把控交付节点。
持续迭代数字化工具,以数据驱动采购模式,缩短采购周期、降低损耗。
（2）运营模式公司构建以“零缺陷质量体系”和“扬杰精益运营体系（YBS）”为核心的卓越运营模式。
通过深度优化运营管理七大流程,升级内部质量管理评审体系,打造行业一流的质量管理模式,实现卓越质量管理,持续降低不良率与客诉率,并同步改善供应链成本与内部运营效率。
公司持续推进零缺陷质量管理体系,深化运用QCC、6sigma、PPSP等质量工具,聚焦战略规划到业务落地、产品研发到生产制造、供应链到终端销售等三条主线,以精益标准化、自动化、数字化、智能化转型为路径,多举措协同互补,显著降低失败成本,提高生产质量稳定性及客户满意度。
稳步推进精益运营体系,强化转型的赋能作用,实现生产过程事前防呆、事中防错、事后追溯的数字化管控,依托VDM（可视化日常管理）为抓手推动各项管理绩效指标（SQDCP）可视化及穿透式管理,达成从点到线再到面的生产绩效管理全覆盖。
（3）营销模式公司营销模式正从单一器件单点推广,转向以终端应用系统为切入点的行业系统方案推广,聚焦AI数据中心、具身智能、新能源汽车、光储充、工业五大重点行业。
行业端,围绕AI数据中心高效电源、新能源车主驱逆变/车载充电/电池管理/热管理、光储逆变、工业控制电机驱动与伺服控制等典型系统,按功率环节拆解技术路线与器件需求,打包形成SiC、IGBT、MOSFET、Diodes等产品组合方案,推动从“卖器件”向“卖方案”延伸。
产品端,依托芯片设计制造、器件封装测试一体化IDM能力,在客户项目前期介入、与终端客户及产业链伙伴联合定义规格,加速产品从选型验证走向批量供货。
渠道端,实施分层覆盖,重点终端客户及核心项目以直销深度对接,标准化产品和长尾客户通过经销网络扩大触达,同时配套选型指导、应用验证和技术支持服务,逐步构建“应用系统牵引、产品组合支撑、渠道协同覆盖”的市场开发体系。
概述1、报告期内公司主要经营情况（1）研发技术方面①第三代半导体方面,公司持续加大SiC和GaN等第三代半导体功率器件的研发投入,依托与东南大学集成电路学院签约共建的“东南大学-扬杰科技宽禁带功率器件技术联合研发中心”的平台优势,增强第三代半导体领域的研发创新能力与技术积累。
报告期内,公司投资的SiC芯片工厂通过IDM模式,实现750V/1200V/1700V的SiCMOS产品由第二代向第三代迭代升级。
全系列SiCMOS产品型号实现覆盖750V/1200V/1700V11mΩ-500mΩ,其中第三代SiCMOS平台的比导通电阻（RSP）达到2.47mΩ.cm2以下,FOM值达到2700mΩ.nC以下,导通性能与开关特性兼具优势,可满足车规级可靠性要求,对标国际水平。
同时公司新增消费类800VSiCMOS产品平台,器件导通电阻实现覆盖200mΩ-1000mΩ。
SiC模块方面,公司已形成C2A、Y-DPAK、HPDmini等多系列产品,并持续迭代升级。
报告期内,公司在SiC市场尤其是SiCMOS市场份额持续增加,相关器件已广泛应用于AI数据中心、新能源汽车、光储充、工业等领域。
针对新能源汽车控制器应用,公司升级了全自动化车规功率模块产线,按照AQG324标准完成了全套可靠性验证；重点完成了芯片和DTS银烧结、Pin针超声焊接、粗铜线互连等先进工艺DOE验证。
针对OBC应用,开发了满足1000V电气安全距离的顶部散热Y-DPAK模块,具备体积小型化、功率密度高、爬电距离大、散热效率高、表贴型结构等特点。
针对主驱SiC模块,开发了HPDmini激光焊接模块,具备低电感、低热阻、高可靠性等特点。
针对工业感应加热电源应用,开发了注塑外壳的62mm低电感半桥封装C2A,可以满足SiC芯片6并联和高结温的应用场景。
报告期内,公司与扬州大学物理学院签约共建的“扬州大学-扬杰科技GaN功率器件联合研发中心”经过多年的持续努力,取得丰硕成果。
用于AI数据中心的新一代GaNHEMTVDS650V/RDS（on）typ21mΩ和VDS100V/RDS（on）typ1.1mΩ研发成功,经可靠性试验显示,产品性能对标行业标杆,稳定性对标国际水平,即将上市。
②IGBT产品方面,基于Fabless+自主IDM模式,公司在8吋、12吋平台完成了1.6/2.2µmpitch微沟槽650V30A-160A,1200V15A-200AIGBT芯片全系列的开发和优化迭代,并已在客户端实现全系列批量出货。
工业应用方面,公司不断完善产品封装和电流功率段,从传统沟槽迭代至1.6µm的微沟槽系列,产品覆盖1200V15A-600A全电流段产品,并开发对标国际标杆T7系列的1700V系列大电流模块产品。
光储充应用方面,布局开发1.6µm750V75A-160A全系列产品,以应对光储产品从传统650V系列向更高电压抬升的需求；通过采用高密度器件结构设计以及先进的背面加工工艺,显著降低了器件饱和压降和关断损耗,已有6个三电平模块型号（其中新增N3,N4两个型号）应用于60KW-320KW功率段,覆盖电压650/1100/1200V、电流160-600A的I型和T型三电平拓扑结构模块产品已完成上架,同时完成650V40A-160A、750V75A-160A及1200V40A-140A的单管产品开发布局,产品逐步推向市场,目前已在客户端获得批量订单。
车规单管方面,公司利用自身具备的车规级功率器件封装线,在PTC、压缩机控制器应用领域,大批量交付车企及Tier1客户。
报告期内面向纯800V平台推出1500V车规单管,以适应电动汽车母线从400V平台往800V平台的升级趋势,产品已送样多家汽车客户开展测试评估。
报告期内,公司IGBT产品重点布局新能源汽车、光储充、工业等应用领域,销售额不断增长,市场份额逐步提升,已逐步成为集芯片设计和模块封装的重要参与者。
③MOSFET产品方面,公司紧抓AI数据中心、新能源汽车、工业三大核心增长赛道,基于Fabless+自主IDM模式,已构建覆盖中低压至高压的完整技术平台。
在深耕成熟8吋工艺平台的同时,12吋平台已实现量产放量,推动产能结构与单位成本持续优化,为车规级与高端电源市场规模放量布局。
新能源汽车领域,公司实现从产品验证到规模量产的跨越：车规NMOS产品已通过多家头部终端汽车电子客户测试并量产,围绕电机驱动、电源管理等高功率应用,公司正逐步向重点客户导入产品实现规模应用。
PMOS车规产品完成芯片开发并通过车规级可靠性验证,满足头部终端客户测试要求,形成覆盖电池防反接、负载开关、电源管理等的系统化产品矩阵,显著增强公司车规功率器件领域渗透力。
SGTMOSFET方面,公司加速平台迭代与电压等级拓展。
新一代P40V/P80V/P150V/N80V/N100V/N150V/N200V/N250VSGT工艺平台全面建立,核心性能指标FOM（RDS(ON)*Qg）较市面主流水平领先20%以上,构筑公司在新能源汽车与工业电源领域的技术壁垒并强化产品功率密度与系统效率。
面向AI数据中心,针对IBC架构演进带来的损耗要求,开发超低阻产品,显著提升单位面积电流承载能力。
产品覆盖AI服务器DC-DC、热插拔及e-fuse等场景,目前热插拔方案已通过头部服务器客户验证,部分电源相关产品进入客户验证阶段。
针对低空经济,聚焦无人机与eVTOL的12V/48V电源管理系统(BMS),以中低压SGTMOSFET切入供电链路,满足高可靠性、高功率密度与轻量化需求。
公司已完成N100V-N150V平台立项开发,覆盖电池管理、负载开关、电机驱动等链路,联合头部无人机厂商同步全系列开发规划,优先推进150V、100V及双N管三大核心项目,逐步完成产品验证与客户积累。
面向具身智能,针对中小功率应用聚焦12V、48V系统的产品开发,为提升转换效率开发Qoss和Qrr产品,推动倒装芯片、集成化等先进封装的落地。
总体而言,已形成多电压平台协同推进、车规认证持续落地、核心性能指标领先市场的技术驱动型成长路径。
报告期内,公司研发费用率为6.01%；报告期内,公司合计申请知识产权45件（其中国内发明专利24件,实用新型15件,集成电路布图设计3件,外观设计3件）,获授权28件（其中国内发明专利15件,实用新型11件,集成电路布图设计1件,外观设计1件）。
（2）市场营销方面①行业深耕与客户覆盖。
公司持续完善技术营销协同机制,紧抓全球能源转型与智能化升级机遇,聚焦AI数据中心、新能源汽车、光储充、工业、消费类电子等领域,实现了行业TOP大客户全覆盖；同时完善行业线布局,以行业应用需求牵引产品研发,精准布局新兴赛道。
公司构建“客户需求-技术响应-闭环改进”的敏捷服务体系,以提升客户满意度为年度重点工作,搭建客户反馈响应窗口,针对客户反馈制定改善计划并形成闭环报告,有效增强客户粘性、巩固存量客户基础,为拓展新增合作创造有利条件,客户满意度已连续三年稳步提升。
②重点矩阵突破。
公司深入强化AI事业部建设,聚焦未来确定性增量,面向AI服务器电源、数据中心供配电等领域头部客户,实施分层分类管理和“一客一策”专项营销,围绕客户在研项目持续开展产品推介、技术交流、样品测试和认证跟踪,推动相关产品由单点送样向多产品线导入延伸。
报告期内,公司与多家AI相关领域头部客户合作持续深化,相关产品认证和项目导入有序推进,依托标杆客户示范效应拓展同类客户,客户覆盖和商机转化能力持续提升,AI数据中心板块营收同比增长近翻倍。
同时,公司设立专职战略好产品行销经理,围绕MOSFET、IGBT、SiC系列产品构建行销与技术销售一体化能力,面向战略客户输出技术解决方案,形成团队协同作战模式,助力销售获得产品承认机会,提高重点产品销售占比。
③渠道运营与服务体系完善。
公司持续加强渠道精细化管理,根据产品、客户服务需求和市场覆盖特点,明确不同渠道的产品范围及客户边界。
针对经销渠道,公司完善准入授权、目标管理、价格管理、库存监测和终端流向管理机制,提升渠道运行质量,降低重复覆盖和无序竞争；依托数字化营销平台建设,对线上咨询、技术需求和潜在商机进行统一归集、分级识别与定向分配,提高市场线索的处理效率。
公司进一步规范市场服务流程,明确产品咨询、选型支持、质量反馈及应用问题的响应要求,推动技术服务资源向重点区域和重点需求下沉,持续提升品牌的市场触达能力和客户服务体验。
（3）运营管理方面①公司始终坚持“质量至上”的发展宗旨。
报告期内,公司以国际一流为标尺,系统推进零缺陷质量管理体系升级,持续完善DPPB/DPPM指标体系。
深入落实严进严出与“三化一稳定”等品质提升举措,精准识别并补齐质量管理短板,构建AI赋能的全流程质量控制体系。
同步打造具备全面质量管理能力的数字化专业人才队伍,依托部门数字化小组搭建质量信息共享与数据贯通机制,2026年上半年持续优化品质流程,覆盖多个一级部门及多项数字化平台,前瞻跟踪客户端产品表现,多维度降低产品潜在风险,筑牢高质量发展的质量根基。
通过“流程优化+人员赋能”双轮驱动,人员效率与公司整体质量成本均实现显著改善。
②公司以精益运营管理为核心,持续构建卓越运营体系。
围绕QDC（质量、交付、成本）三大核心目标,运用科学方法优化生产策略与柔性制造体系,不断提升客户交付满意度。
公司聚焦“成本领先”战略,系统推进成本优化,2026年上半年,人效提升超15%、机效提升超5%、坪效提升超8%。
研发端以VAVE价值工程驱动技术创新、品质升级与设计降本,成熟产品优先使用VAVE工具开展改善,通过相关改善落地识别品质及降本机会价值,为持续的品质提升与增效降本奠定坚实基础。
制造端运用VSM价值流分析识别非增值流程与改进机会,依托标准化与单元设计（SW）升级作业标准,通过PPSP及TPM推进问题改进闭环,持续推动精益化转型。
运营端将VDM可视化日常管理与数字化赋能深度融合,实现VDM67个区域100%上线,覆盖制造、品质、仓储等核心场景,以数据透明驱动差距改善、巩固运营改善成果。
③2026年上半年,公司继续大力推进智能化改造,全工序推进智能制造项目落地。
落地IoT工业物联网、EAP等技术在制造与设备管理中的应用,通过无纸化、自动报工、自动排产等项目升级品质与运营管理,持续扩大数据采集覆盖,实现生产全过程“事前防呆、事中防错、事后追溯”的数字化管控,推动品质与效率双提升。
公司依托数字化与AI工具持续优化关键制造参数,结合生产数据采集与精益日常管理,推动制造体系向数字化、网络化、智能化全面演进。
2、报告期内业绩变动原因说明2026年上半年,功率半导体行业受益于AI数据中心、新能源汽车、光储等领域需求爆发,叠加8英寸成熟制程产能紧缺,呈现景气度上行、量价齐升的发展态势。
报告期内,公司聚焦主业,积极落实产品领先战略,通过持续研发投入完善高附加值产品矩阵,实现营业收入同比增长30.69%。
其中,汽车电子业务延续一季度良好发展态势,收入同比增长超100%；SiC业务受益于新产品持续推出、客户端导入进程加快以及产能稳步释放,收入同比增长近翻倍。
此外,公司持续推进精益生产与全流程精细化管控,有效应对原材料成本上涨,业绩实现稳健增长。
公司是由扬州扬杰电子科技有限公司整体变更设立的股份有限公司,由江苏扬杰投资有限公司、扬州杰杰投资有限公司等2家股东作为发起人,根据天健会计师事务所有限公司以2011年2月28日为基准日审计的净资产9,669.53万元折合实收资本6,200万元,余额3,469.53万元列作资本公积。
公司于2011年4月18日在江苏省扬州市工商行政管理局注册登记,取得了《企业法人营业执照》。