北方华创 - 002371.SZ

主营业务：半导体基础产品的研发、生产、销售和技术服务

经营范围：许可经营项目:组装生产集成电路设备、光伏设备、TFT设备、真空设备、锂离子电池设备、流量计、电子元器件;一般经营项目:销售集成电路设备、光伏设备、TFT设备、真空设备、锂离子电池设备、流量计、电子元器件;技术咨询;技术开发;技术转让;经济贸易咨询;投资及投资管理;货物进出口;技术及出口;代理进出口。

北方华创科技集团股份有限公司(以下简称“北方华创”)成立于2001年9月,2010年在深圳证券交易所上市,股票代码002371,是目前国内集成电路高端工艺装备的先进企业。

北方华创以科技创新为基点,着眼未来,致力于加快推进北方华创向新型制造业的战略转型;致力于成为半导体基础产品领域值得信赖的引领者;致力于提升人类智能生活品质;致力于实现中国“智造强国”的梦想蓝图。

北方华创主营半导体装备、真空及锂电装备、精密元器件业务,为半导体、新能源、新材料等领域提供解决方案。

公司现有六大研发生产基地,营销服务体系覆盖欧、美、亚等全球主要国家和地区。

未来的北方华创,将以半导体基础产品领域先进企业的姿态登上世界舞台,深耕发展,引领未来,坚持以客户为中心,以价值创造者为本,持续创新,推动产业进步,创造无限可能。

北方华创专注于半导体基础产品的研发、生产、销售和技术服务,主要产品为电子工艺装备和电子元器件,电子工艺装备包括半导体装备、真空及新能源装备。

电子元器件包括电阻、电容、晶体器件、模块电源、微波组件等。

北方华创始终坚持科技创新,不断推动产品迭代升级,积极拓展产品应用领域,以满足快速发展的市场需求。

在半导体装备业务板块,北方华创的主要产品包括刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法、离子注入、涂胶显影、键合等核心工艺装备,广泛应用于集成电路、功率半导体、三维集成和先进封装、化合物半导体、新型显示等制造领域。

北方华创借助产品技术领先、种类多样、工艺覆盖广泛等优势,以产品迭代升级和成套解决方案为客户创造更大价值。

在真空及新能源装备业务板块,北方华创深耕高压、高温、高真空技术,主要产品包括晶体生长设备、真空热处理设备、气氛保护热处理设备、连续式热处理设备、等离子增强化学气相沉积设备、扩散氧化退火设备、磁控溅射镀膜设备、低压化学气相沉积设备、多弧离子镀膜设备、金属双极板镀膜设备等,广泛应用于材料热处理、真空电子、半导体材料、磁性材料、新能源等领域,为新材料、新工艺、新能源等绿色制造提供技术支持。

在精密电子元器件业务板块,北方华创推动元器件向小型化、集成化、高精密、高可靠方向发展,主要产品包括精密电阻器、新型电容器、超高压陶瓷电容器、石英晶体器件、石英微机电传感器、模拟芯片、模块电源、微波组件、电感器变压器、高性能磁性材料等,广泛应用于电力电子、轨道交通、智能电网、精密仪器、自动控制等领域,为客户打造高端精密电子元器件技术、产品、服务一体化的专业解决方案。

1、半导体装备（1）刻蚀设备刻蚀设备是半导体制造中的核心工艺设备,通过物理或化学作用选择性去除材料以形成微观结构。

其中,ICP刻蚀设备基于电感耦合等离子体技术,通过高频线圈激发反应气体生成高密度等离子体,在低工作气压下实现快速刻蚀,其优势在于离子能量与通量独立控制,可优化各向异性刻蚀能力,适用于硅、金属、氮化镓等材料的精细结构加工。

CCP刻蚀设备采用电容耦合方式产生等离子体,通过调节射频功率和气体配比实现高刻蚀速率,其特点在于适应宽泛的工艺窗口,对氧化物、氮化物等绝缘材料刻蚀效果显著,常用于存储芯片的深孔和沟槽结构。

去胶设备通过等离子体活化氧气或氩气,分解光刻胶残留并转化为挥发性产物,其核心优势在于无化学污染、处理效率高。

高选择性刻蚀设备通过优化气体组合和脉冲等离子体技术,可实现超高刻蚀选择比,精准去除目标材料而不损伤掩膜层,主要用于精细结构释放、堆叠层间实现选择性刻蚀等工艺。

Bevel刻蚀设备采用定向等离子体轰击晶圆边缘,消除薄膜沉积不均匀导致的边缘缺陷,在12英寸晶圆制造中用于晶背清洁,防止铜互连断裂。

根据权威机构数据,2024年刻蚀设备在集成电路设备资本支出中的占比为16.8%,全球市场规模约1,350亿元人民币。

北方华创在刻蚀设备领域,已形成了ICP、CCP、干法去胶设备、高选择性刻蚀设备和Bevel刻蚀设备的全系列产品布局。

2025年上半年,公司刻蚀设备收入超50亿元人民币。

（2）薄膜沉积设备薄膜沉积设备作为半导体制造的核心装备,通过物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）、外延生长（EPI）、原子层沉积（ALD）、电镀（ECP）及金属有机化学气相沉积（MOCVD）等技术,在基底表面精准构筑纳米级功能膜层。

其中,物理气相沉积以磁控溅射为核心技术,通过氩离子轰击靶材形成金属等离子体,在半导体中用于阻挡层和金属互连层沉积。

化学气相沉积通过气相化学反应生成固态薄膜,主要用于氧化硅、氮化硅等介质薄膜沉积。

外延生长通过气相反应在单晶基底上生长同质/异质材料薄膜。

原子层沉积以单原子层逐次沉积实现纳米级精度,满足逻辑和存储等制程高深宽比填充的需求。

电镀设备利用电解反应沉积金属,专用于集成电路和先进封装中的铜互连及微凸点制作。

金属有机化学气相沉积通过金属有机物热分解生长化合物半导体,配备精密气体混合系统和快速热退火模块,实现多种化合物材料的外延。

根据权威机构数据,2024年薄膜沉积设备在集成电路设备资本支出中的占比为23.0%,全球市场规模约1,850亿元人民币。

北方华创在薄膜沉积设备领域,已形成了物理气相沉积、化学气相沉积、外延、原子层沉积、电镀和金属有机化学气相沉积设备的全系列布局。

2025年上半年,公司薄膜沉积设备收入超65亿元人民币。

（3）热处理设备热处理设备是半导体制造中用于调控材料性质的核心装备,通过精确控制温度、时间及气体环境,实现氧化、扩散、退火等工艺,主要包括快速热处理（RTP）、立式氧化退火炉等类型。

快速热处理设备采用热源辐射加热,实现超快温变速率,适用于超浅结激活和金属硅化物形成。

立式氧化退火炉以垂直石英管为核心,通过电阻丝加热在氮气/氧气混合氛围中生长介质薄膜,广泛应用于栅极氧化层制备和离子注入损伤修复。

根据权威机构数据,2024年热处理设备在集成电路设备资本支出中的占比为2.8%,全球市场规模约230亿元人民币。

北方华创在热处理设备领域,已形成了立式炉和快速热处理设备（RTP）的全系列布局。

2025年上半年,公司热处理设备收入超10亿元人民币。

（4）湿法设备湿法设备是半导体制造中保障晶圆洁净度的核心装备,通过化学溶液与物理作用的协同效应去除表面污染物,其技术路线涵盖单片清洗、槽式清洗、物理清洗（Scrubber）等多种形式。

湿法清洗设备的工作原理基于化学反应（如溶解、氧化）与物理作用（如机械冲刷、超声波振动）,利用去离子水、酸/碱溶液及表面活性剂等清洗液,通过浸泡、喷淋或旋转甩干等工艺步骤,清除晶圆表面的颗粒、有机物、金属离子等污染物,确保后续工艺的可靠性。

单片清洗设备采用高压喷淋、兆声波或二流体技术,每次仅处理单片晶圆,具备纳米级颗粒去除能力和零交叉污染特性。

槽式清洗设备通过多腔体串联浸泡工艺,可批量处理多片晶圆。

物理刷洗设备采用机械刷毛与化学液协同作用,通过高速旋转的PVA（聚乙烯醇）或聚氨酯刷具对晶圆表面施加可控压力,结合二流体雾化技术形成微米级液滴,实现高效颗粒剥离。

根据权威机构数据,2024年湿法设备在集成电路制造设备资本支出的占比为5.9%,全球市场规模约470亿元人民币。

北方华创在湿法设备领域,已形成了单片设备、槽式设备全面布局。

2025年上半年,公司完成对沈阳芯源微电子设备股份有限公司的并购,丰富了公司在前道物理清洗和前道化学清洗领域的布局。

2025年上半年,公司湿法设备收入超5亿元人民币。

（公司自2025年6月30日起将芯源微纳入合并财务报表范围,以上收入不含芯源微湿法设备收入）（5）离子注入设备离子注入设备通过高能离子束改变半导体材料的电学特性,是集成电路工艺中形成PN结和调控器件性能的核心装备。

其工作原理是先通过离子源产生所需离子,在电场作用下加速至预定能量,再精确注入半导体材料,实现原子的替换或添加,进而调控材料性能。

2024年离子注入设备在集成电路设备资本支出中的占比为3.1%,全球市场规模约250亿元人民币。

2025年3月,北方华创正式宣布进军离子注入设备市场,并发布多款12英寸离子注入设备。

（6）涂胶显影设备涂胶显影设备是集成电路制造过程中不可或缺的关键处理设备,主要与光刻机（芯片生产线上最庞大、最精密复杂、难度最大、价格最昂贵的设备）配合进行作业,通过机械手使晶圆在各系统间传输和处理,从而完成晶圆的光刻胶涂覆、固化、显影、坚膜等工艺过程。

根据权威机构数据,2024年涂胶显影设备在集成电路制造设备资本支出的占比为3.2%,全球市场规模约260亿元人民币。

北方华创控股子公司芯源微是国内领先的前道涂胶显影机的厂商,主要产品包括前道涂胶显影机、后道先进封装涂胶显影机、化合物小尺寸涂胶显影机等。

（7）键合设备键合设备是实现晶圆级集成与异质封装的核心装备,通过物理或化学作用实现芯片与基板的高精度互联,其技术路线涵盖传统引线键合、倒装芯片键合、混合键合及临时键合等多种形式。

根据权威机构数据,2024年键合设备全球市场规模约50亿元人民币。

北方华创控股子公司芯源微是国内临时键合设备的领先厂商,主要产品包括临时键合机、解键合机等。

2、真空及新能源装备（1）晶体生长设备晶体生长设备是用于制备高纯度单晶材料的关键设备,通过直拉法（CZ）、区熔法（FZ）或化学气相沉积（CVD）等工艺,在严格控温、控压及气氛环境下生长半导体级单晶硅、蓝宝石、碳化硅等晶体,广泛应用于集成电路、新能源光伏、半导体照明等领域。

其核心在于精准调控晶体生长的温度梯度、提拉速率及杂质浓度,确保晶体结构完整和低缺陷密度,从而提升电子器件的性能与可靠性。

随着半导体和新能源产业升级,晶体生长设备向大尺寸晶圆、自动化控制及低能耗方向持续迭代,支撑先进芯片与高效光伏电池的规模化生产需求。

北方华创主要批量销售的晶体生长设备包括电阻式SiC长晶炉、感应式SiC长晶炉、液相法SiC长晶炉和单晶硅生长炉等。

（2）真空热工设备真空热工设备是在真空或低气压环境下进行材料热处理、加工或制备的特种工业装备,其通过抽真空技术消除气体干扰（如氧化、污染）,精准调控材料性能,广泛应用于航空航天、电真空器件、新能源及精密制造等领域。

典型设备包括真空热处理炉（用于金属退火、淬火等工艺,提升力学性能）、真空钎焊炉（无氧高精度焊接航空发动机叶片等精密部件）、真空镀膜设备（通过PVD/CVD技术制备光学或耐磨涂层）以及真空烧结炉（实现陶瓷、硬质合金的高致密化烧结）等。

该设备具备无氧化污染、工艺可控性强、节能环保等优势,可保障材料高纯度加工并减少能耗。

随着新材料需求增长,真空热工设备正向智能化、多功能集成化方向演进,成为高端制造业的核心装备。

北方华创主要批量销售的真空热工设备包括高温氢气烧结炉、连续高温石墨化炉和真空钎焊炉等。

（3）新能源光伏设备新能源光伏电池片制造的核心设备体系涵盖扩散、氧化、退火、LPCVD及PECVD等关键工艺装备。

扩散设备主要以管式扩散炉为主,通过高温通入磷源或硼源在硅片表面形成PN结,采用双路进气系统解决大尺寸硅片（如230mm）方阻均匀性问题。

氧化设备用于生长二氧化硅（SiO₂）钝化层以提升抗PID性能。

退火设备通过控温消除内应力、激活掺杂剂并修复晶格缺陷。

管式退火炉结合氮气保护与多区风冷系统保障温度精度,提升钝化效率。

LPCVD设备在低压环境下沉积隧穿氧化层和掺杂多晶硅层,实现TOPCon电池钝化接触结构；PECVD设备利用等离子体激活反应气体,低温沉积氮化硅（SiNₓ）、氧化铝（Al₂O₃）等钝化膜。

当前,光伏电池技术正经历从PERC向TOPCon的全面迭代,其核心在于通过结构革新实现效率突破与度电成本优化,推动N型电池降本增效。

未来,光伏电池技术预计会向TOPCon铜电镀金属化、BC技术、钙钛矿/TOPCon叠层电池技术等方向继续发展。

北方华创主要批量销售的新能源光伏装备包括管式低压化学气相沉积设备（LPCVD）、光伏扩散、氧化、退火设备、等离子增强化学气相沉积设备（PECVD）等。

（4）新能源锂电复合集流体设备新能源锂电复合集流体设备通过在高分子基材（如PET、BOPP）表面沉积纳米级金属层（铜、铝等）,形成“三明治”结构,替代传统金属箔制造锂电池复合集流体。

该设备可实现超薄（微米级）、高导电、耐腐蚀的轻量化集流体生产,可提升电池能量密度5%以上,其高精度卷对卷连续镀膜技术适配大规模量产需求,广泛应用于动力电池、储能系统等领域,同时该类设备可应用于锂电池极片表面或界面涂层制备抑制锂枝晶生长,增强锂电池安全性与循环寿命；调控固态电池界面阻抗,助力新能源产业向高效、安全方向升级。

北方华创主要批量销售的新能源锂电复合集流体设备包括磁控溅射卷绕镀膜设备、卷绕式蒸发镀膜设备等。

（5）氢燃料电池金属双极板镀膜设备氢能金属双极板镀膜设备是专为氢燃料电池核心组件——金属双极板表面处理而设计的高端制造装备,旨在通过精密镀膜技术提升双极板的耐腐蚀性、导电性及耐久性,满足燃料电池苛刻工况下的性能需求。

北方华创主要批量销售的氢能装备包括阴极电弧复合磁控溅射镀膜设备等。

3、精密电子元器件在高端精密电子元器件领域,公司主要产品为电源管理芯片、模拟信号链产品、石英晶体器件、石英微机电传感器、高精密电阻器、新型电容器、微波组件、电子封装管壳、超高压陶瓷电容器、电感器变压器、高性能磁性材料等。

公司将现有工艺与半导体工艺相结合研制新产品,拓展新应用。

新开发高功率密度负载点电源,可应用于AI、数据中心、新一代高性能FPGA、CPU、GPU等应用场景。

公司积极布局模拟信号链产品,已形成覆盖ADC/DAC模数/数模转换器、运算放大器、模拟开关、总线接口、时钟芯片、基准源等十余类300多种产品,并积极拓展数字存储类产品,已经形成FLASH、DDR存储器等系列产品。

报告期内,公司研发出基于石英材质的压力传感器芯体,在温漂系数、稳定性方面相较于市场同类型产品有着明显优势；完成抗振动高能钽电容技术攻关和高分子钽电容产品研发,解决行业痛点,产品性能指标大幅提升；进行了耐高温阳极设计,开发了耐高温电解液及耐高温结构材料,并对结构进行了优化攻关,完成了耐高温液体钽电容器的开发。

成功开发电子封装外壳系列产品,目前已广泛应用于单片集成电路、光电探测和光通信、微波通信模块、射频微系统、光电微系统、汽车电子等领域。

公司研发的超高压陶瓷电容器,采用自研的陶瓷粉体配方,在相同的体积条件下,介质耐电压性能比国内市场同等产品高30%以上,在充放电寿命及耐温性方面具有明显优势,目前已广泛应用于激光器、医疗器械、高压电源、高铁机车、电力系统、广播通讯等领域。

公司是2001年9月25日经北京市人民政府经济体制改革办公室[京政体改股函[2001]54号]文批准,由七星集团作为主发起人,以经营性资产出资,联合吉乐集团、硅元科电、中国华融、王荫桐和周凤英共同发起设立的股份有限公司。

2001年9月28日,本公司在北京市工商行政管理局注册登记(注册号1100001331816(1-1))。

经公司申请,并经深圳证券交易所核准,自2017年2月24日起,公司证券简称由“七星电子”变更为“北方华创”。

公司证券代码不变,仍为“002371”。